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耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器 被引量:10
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作者 靳根 陈法国 +2 位作者 杨亚鹏 徐园 王希涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期909-912,共4页
在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是Si... 在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是SiC晶体,因其禁带宽度大、晶体原子离位能大以及电子空穴迁移率高等特点,最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。 展开更多
关键词 碳化硅 半导体探测器 耐高温 耐辐照
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
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作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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室温半导体CdZnTe(CdTe)探测器性能综述 被引量:27
3
作者 艾宪芸 魏义祥 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期325-328,277,共5页
CdZnTe(CdTe)探测器是近年来迅速发展的新型半导体探测器,具有体积小、分辨率高、可在室温下工作等优点。由于探测器晶体内电荷收集不完全,导致所测的γ谱会产生低能尾巴,从而增加了谱解析的困难,需要进行新的解谱算法研究。介绍了其基... CdZnTe(CdTe)探测器是近年来迅速发展的新型半导体探测器,具有体积小、分辨率高、可在室温下工作等优点。由于探测器晶体内电荷收集不完全,导致所测的γ谱会产生低能尾巴,从而增加了谱解析的困难,需要进行新的解谱算法研究。介绍了其基本性能、电极设计、γ谱解析方法和发展趋势。 展开更多
关键词 镉锌碲探测器 碲化镉探测器 Γ谱 谱解析 半导体
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中红外半导体光源和探测器件及其应用 被引量:4
4
作者 张永刚 顾溢 +5 位作者 李耀耀 李爱珍 王凯 李成 李好斯白音 张晓钧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第10期1846-1850,共5页
中红外波段(2~25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 中红外波段(2~25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。 展开更多
关键词 中红外 半导体激光器 光电探测器 化合物半导体 分子束外延
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PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用研究 被引量:7
5
作者 刘正山 邓长明 +1 位作者 张志勇 程昶 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期661-663,共3页
以SDM2000个人剂量仪为例,针对个人剂量仪的特点,对PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用进行了研究,并进行了详尽的性能测试,取得了较好的结果。
关键词 PIN 半导体探测器 个人剂量仪
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半导体探测器及其在空间科学中的应用 被引量:4
6
作者 王小兵 谭继廉 +11 位作者 张金霞 卢子伟 鲍志勤 李存璠 王柱生 凤莹 许金兰 朱光武 王世金 梁金宝 沈思忠 高萍 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期377-379,364,共4页
阐述了空间辐射环境监测的意义 ,描述了由半导体探测器组成的望远镜系统在空间科学中的应用 。
关键词 半导体探测器 空间科学 应用 地球辐射带 空间带电粒子探测器 空间辐射 环境监测
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半导体探测器在诊断X射线剂量测量中的应用 被引量:2
7
作者 杨勇 杨建 《中国测试》 CAS 2009年第5期11-13,共3页
介绍了基于半导体探测器的诊断X射线剂量仪的工作原理。半导体探测器具有体积小、易于集成、灵敏度高、能量分辨率好等特点,根据半导体探测器的特征设计了能谱测量剂量修正功能,解决了半导体探测器能量响应差的问题。将能谱测量后修正... 介绍了基于半导体探测器的诊断X射线剂量仪的工作原理。半导体探测器具有体积小、易于集成、灵敏度高、能量分辨率好等特点,根据半导体探测器的特征设计了能谱测量剂量修正功能,解决了半导体探测器能量响应差的问题。将能谱测量后修正过的剂量与未进行剂量修正的测量数据进行了比较,实验数据表明,能谱法修正将基于半导体探测器的剂量仪的能量响应降低至5%内。 展开更多
关键词 诊断X射线 半导体探测器 si-pin二极管 能谱法修正 剂量
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硅半导体探测器个人剂量仪的研制 被引量:6
8
作者 姚永刚 邓长明 倪邦发 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1020-1023,共4页
介绍个人剂量仪的工作原理,利用硅半导体光电二极管测量X、γ射线的特性和新颖的软件处理算法设计了一款个人剂量仪。在中国原子能科学研究院国防科技工业电离辐射一级计量站对仪器进行了测试,测试结果:剂量率测量范围(0.1μSv/h^1 Sv/... 介绍个人剂量仪的工作原理,利用硅半导体光电二极管测量X、γ射线的特性和新颖的软件处理算法设计了一款个人剂量仪。在中国原子能科学研究院国防科技工业电离辐射一级计量站对仪器进行了测试,测试结果:剂量率测量范围(0.1μSv/h^1 Sv/h);剂量率固有误差:-15%^+4.7%;累积剂量固有误差:-11%^+5.7%;角响应:-19%^+4%(垂直方向),-20%^-2%(水平方向);在能量60 ke V^1.332 Me V范围内,相对137Cs的能量响应:-22%^+0.4%;实验测试结果符合国家剂量仪鉴定规程JJG1009-2006的要求。 展开更多
关键词 个人剂量仪 半导体 辐射探测器
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有机半导体探测器材料的研究展望 被引量:4
9
作者 姬荣斌 唐利斌 张筱丹 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第1期2-6,共5页
对国外刚刚研究起步的有机半导体探测器材料及器件的研究现状进行了分析,介绍了有机半导体探测器材料和薄膜的制备及表征技术,并对有机半导体探测器材料的未来做了展望。
关键词 有机半导体 探测器材料 展望
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用于化合物半导体探测器的小型电荷灵敏前置放大器 被引量:3
10
作者 刘正山 张志勇 +3 位作者 邓长明 程昶 宿小辉 李梅 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期465-468,共4页
本文介绍了以运算放大器为主要器件的用于化合物半导体探测器的低功耗、低噪声的小型化电荷灵敏前置放大器。
关键词 运算放大器 电荷灵敏 化合物 半导体探测器
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室温半导体探测器的发展和应用 被引量:4
11
作者 王震涛 张建国 +1 位作者 杨翊方 王海军 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1197-1202,1257,共7页
重点阐述了室温半导体核辐射探测器的发展和现状,详细讨论了常见化合物半导体探测器材料的性能指标、应用范围和进展情况,简单介绍了新型Si半导体探测器的进展情况。旨在为读者选择、使用室温半导体探测器提供参考。
关键词 室温 半导体探测器 致冷方法 化合物 碳化硅 金刚石膜
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金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 被引量:4
12
作者 张志龙 傅翠明 郝庆国 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,279,共5页
金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度。
关键词 金硅面垒半导体探测器 温度特性 补偿
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硅半导体探测器的两种γ剂量估算方法 被引量:2
13
作者 陈法国 靳根 +1 位作者 杨亚鹏 徐园 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期522-525,共4页
硅PIN二极管由于其具有体积小、使用方便以及可实时操作的特点,已经被广泛地用作个人及区域γ辐射剂量仪。但是,由于硅不是组织等效也不是空气等效材料,用于γ剂量测量时,在低能段的响应过于灵敏是其本质的缺点,尤其γ射线能量在200 ke... 硅PIN二极管由于其具有体积小、使用方便以及可实时操作的特点,已经被广泛地用作个人及区域γ辐射剂量仪。但是,由于硅不是组织等效也不是空气等效材料,用于γ剂量测量时,在低能段的响应过于灵敏是其本质的缺点,尤其γ射线能量在200 keV以下。利用补偿片来展平能量响应曲线,是克服此缺点的一种方法。但是能响补偿方法估算剂量时仅仅依据探测器输出的脉冲个数,因此又提出了权重函数法(简称G(E)函数法)进行剂量估算,这样剂量不仅与脉冲个数有关,还依赖于脉冲幅度。 展开更多
关键词 半导体探测器 能量响应 能量补偿 权重函数
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基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器 被引量:7
14
作者 黄梅珍 唐九耀 陈钰清 《电光与控制》 北大核心 2000年第2期34-38,共5页
综述了基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器(PSD)的发展、工作原理及应用,展望了PSD的研究动态和发展前景。
关键词 半导体 横向光电效应 位置敏感探测器 PSD
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用国产Si(Au)面垒半导体探测器测量微量铀同位素的α谱法 被引量:2
15
作者 石志侠 卢正永 +1 位作者 李源新 张静娟 《核化学与放射化学》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期164-169,共6页
介绍了国产Si(Au)面垒半导体探测器分析测量铀同位素丰度的α谱法。该方法已用于1988年世界卫生组织──国际放射性参考中心(WHOIRC)组织的矿泉水中放射性分析比对的铀同位素分析,并取得了较好的结果。
关键词 Α谱 半导体探测器 同位素
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用于半导体探测器研制的数字影像显微系统 被引量:2
16
作者 韩励想 李占奎 +2 位作者 靳根明 王柱生 肖国青 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期945-949,共5页
光学显微检测在半导体探测器研制的多个环节具有重要意义。利用较低价单元、部件组装了一套数字影像光学显微系统,性能与国外中档产品相当,性价比卓越。该系统拥有微机控制的高清晰数字摄影装置,配置大屏幕监视器,搭载高倍干系物镜,分... 光学显微检测在半导体探测器研制的多个环节具有重要意义。利用较低价单元、部件组装了一套数字影像光学显微系统,性能与国外中档产品相当,性价比卓越。该系统拥有微机控制的高清晰数字摄影装置,配置大屏幕监视器,搭载高倍干系物镜,分辨率达到0.2μm,可以进行明暗场、偏光、干涉观测。它可以方便的用于缺陷、沾污控制,图形检测,表面光洁度检验,材料鉴定等方面,还可用于测试、封装、修理等精细操作。通过观察焊点的表面形貌,钎料合金的显微结构,可以鉴定焊点质量。如果结合多光束干涉技术可用于表面起伏的精细测量。论文叙述了该系统在半导体探测器研制上的应用,详述了其建造细节。 展开更多
关键词 半导体探测器IC制造技术 平面工艺 显微镜 数码相机
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新型半导体探测器发展和应用 被引量:13
17
作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期87-96,共10页
新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器... 新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室
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微结构半导体中子探测器研制 被引量:1
18
作者 吴健 蒋勇 +5 位作者 李俊杰 温左蔚 甘雷 李勐 邹德慧 范晓强 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第5期521-524,537,共5页
微结构半导体中子探测器具备探测效率高、响应时间快、体积小等优点,性能相对传统平面型半导体中子探测器有本质提升。采用蒙卡方法分析了器件微结构参数对沟槽型微结构探测器的性能影响规律,并结合工艺条件制备出沟槽宽度26μm,沟槽间... 微结构半导体中子探测器具备探测效率高、响应时间快、体积小等优点,性能相对传统平面型半导体中子探测器有本质提升。采用蒙卡方法分析了器件微结构参数对沟槽型微结构探测器的性能影响规律,并结合工艺条件制备出沟槽宽度26μm,沟槽间距13μm,沟槽深度22μm,灵敏区面积1.8×1.8 cm^2的微结构探测器。该探测器在10 V的反向偏压下,漏电流仅1.24×10^(-7)A/cm^2,优于国外研究组报道的漏电流特性。利用同位素α源开展了带电粒子探测性能测试,所制备微结构探测器可实现241Am源α粒子探测。在外加0 V偏压时,微结构探测器即可获得与电子学噪声区分明显的241Am源α粒子能谱。本工作证明了微结构探测器对带电粒子具有良好的探测性能。 展开更多
关键词 微结构中子探测器 MC模拟 半导体探测器
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微结构半导体中子探测器研究进展 被引量:1
19
作者 甘雷 蒋勇 +2 位作者 彭程 吴健 范晓强 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期986-990,1006,共6页
微结构半导体中子探测器(MSND)除了具有体积小、时间响应快、工作偏压低以及易于与读出电子学系统集成等优点外,还解决了二维平面半导体中子探测器存在的探测效率极低的问题(<5%),其在军用和民用领域都具有良好的发展前景。介绍了微... 微结构半导体中子探测器(MSND)除了具有体积小、时间响应快、工作偏压低以及易于与读出电子学系统集成等优点外,还解决了二维平面半导体中子探测器存在的探测效率极低的问题(<5%),其在军用和民用领域都具有良好的发展前景。介绍了微结构半导体中子探测器的中子探测原理,简述了其发展概况,综述了近年来的研究进展,展望了微结构半导体中子探测器的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 微结构 半导体 中子探测器 探测效率
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金属半导体金属光探测器电路模型的研究 被引量:2
20
作者 陈维友 刘式墉 《电子科学学刊》 EI CSCD 1994年第3期327-331,共5页
本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的MSM-PD电路模型,采用该模型对一个GaAs MSM-PD的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。
关键词 探测器 电路模型 金属 半导体
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