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Microstructure and properties of electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites by semi-solid thixoforming
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作者 郭明海 刘俊友 +2 位作者 贾成厂 贾琪瑾 果世驹 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2014年第11期4053-4058,共6页
The electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites was prepared by semi-solid thixoforming technique. The flow characteristic of the Si C particulate was analyzed. The microstructures of... The electronic packaging shell with high silicon carbide aluminum-base composites was prepared by semi-solid thixoforming technique. The flow characteristic of the Si C particulate was analyzed. The microstructures of different parts of the shell were observed by scanning electron microscopy and optical microscopy, and the thermophysical and mechanical properties of the shell were tested. The results show that there exists the segregation phenomenon between the Si C particulate and the liquid phase during thixoforming, the liquid phase flows from the shell, and the Si C particles accumulate at the bottom of the shell. The volume fraction of Si C decreases gradually from the bottom to the walls. Accordingly, the thermal conductivities of bottom center and walls are 178 and 164 W·m-1·K-1, the coefficients of thermal expansion(CTE) are 8.2×10-6 and 12.6×10-6 K-1, respectively. The flexural strength decreases slightly from 437 to 347 MPa. The microstructures and properties of the shell show gradient distribution. 展开更多
关键词 high silicon carbide aluminum-base composites electronic packaging semi-solid thixoforming thermal conductivity coefficient of thermal expansion
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轻质Si-Al电子封装材料制备工艺的研究 被引量:19
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作者 蔡杨 郑子樵 +1 位作者 李世晨 冯曦 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期168-172,共5页
探讨采用传统粉末冶金方法制备轻质、高性能Si 5 0 %Al(质量分数 ,下同 )电子封装材料的可能性。研究了粉末粒度组成、压制压力、烧结温度对材料室温导热性和室温到 2 0 0℃间热膨胀系数的影响。发现采用一定的粉末粒度组成 ,高压制压... 探讨采用传统粉末冶金方法制备轻质、高性能Si 5 0 %Al(质量分数 ,下同 )电子封装材料的可能性。研究了粉末粒度组成、压制压力、烧结温度对材料室温导热性和室温到 2 0 0℃间热膨胀系数的影响。发现采用一定的粉末粒度组成 ,高压制压力、高温和适当的时间烧结能够获得综合性能较好的Si Al复合材料。 展开更多
关键词 硅铝电子封装材料 粉末冶金 热导率 热膨胀系数 制备
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电子封装用功能梯度铝基复合材料研究应用进展
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作者 方杰 刘彦强 +8 位作者 杨志宇 樊建中 刁恩泽 崔西会 黎康杰 彭颐豫 张坤 孔欣 杨博 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第8期1295-1305,共11页
电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与... 电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与激光熔焊性能、高导热、高比刚度、高比强度和良好的可制造性,无法适应SWaP要求。功能梯度铝基复合材料综合了铝合金与铝硅、碳化硅铝等先进复合材料的优点,既具备大跨度热匹配、高导热率的特点,又具备精细加工和良好的激光熔焊等工艺性能,是新一代微电子封装材料的研究热点。本文综述了功能梯度铝基复合材料的优势、制备方法和封装应用情况,并对该材料制备与应用中存在的问题进行了总结,最后对其未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 先进金属基复合材料 功能梯度材料 铝基复合材料 电子封装 研究应用进展
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食品包装复合膜的层结构与材质分析方法研究
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作者 刘芳 《中国塑料》 北大核心 2025年第3期25-29,共5页
主要采用5种不同的前处理制样方法对市面上的一种食品包装复合膜进行横截面制作,利用扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析联用、红外光谱仪(FTIR)对其层结构和材质进行分析。结果表明,该复合膜有5层结构,依次为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/无... 主要采用5种不同的前处理制样方法对市面上的一种食品包装复合膜进行横截面制作,利用扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析联用、红外光谱仪(FTIR)对其层结构和材质进行分析。结果表明,该复合膜有5层结构,依次为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/无机颜料-聚氨酯(PU)胶-铝蒸镀层/聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/聚氨酯(PU)胶/聚乙烯(PE);通过SEM观察比较5种不同前处理制样方法的横截面可知,利用超薄切片机的钢刀和钻石刀或者离子研磨装置对多层复合膜制样,截面光滑层结构清晰形貌理想;通过选择合适的制样方法可以大大提高制作理想膜截面的成功率,对极薄金属镀层多层膜的质检和研发有重要借鉴意义。 展开更多
关键词 食品包装复合膜 扫描电子显微镜 傅里叶变换红外光谱 离子研磨装置 膜截面
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增强体表面改性在高导热金属基复合材料中的应用 被引量:3
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作者 蔡志勇 文璟 +1 位作者 王日初 彭超群 《有色金属科学与工程》 CAS 北大核心 2024年第2期237-255,共19页
随着电子技术的高速发展和电子器件的更新换代,电子封装材料的性能需求越来越高。金属基复合材料,尤其是铝基和铜基复合材料具有高导热、低膨胀、高稳定性等特点,是具有广阔应用前景的电子封装材料。然而,金刚石、石墨烯、硅等增强体与... 随着电子技术的高速发展和电子器件的更新换代,电子封装材料的性能需求越来越高。金属基复合材料,尤其是铝基和铜基复合材料具有高导热、低膨胀、高稳定性等特点,是具有广阔应用前景的电子封装材料。然而,金刚石、石墨烯、硅等增强体与基体的润湿性差,或者在高温下与基体发生有害的界面反应,限制了此类高导热金属基复合材料的开发和应用。本文简述了金属基复合材料的界面研究进展,结合影响金属基复合材料界面结合的因素,提出了几种改善界面结合的方法。增强体表面改性是改善金属基复合材料界面的重要途径之一,常用工艺有磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、化学镀法等;最后,对增强体表面改性在高热导金属基复合材料中的应用进行分析和展望。 展开更多
关键词 电子封装材料 金属基复合材料 铝基复合材料 铜基复合材料 增强体 界面反应 表面改性
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电子封装用环氧树脂基复合材料的研究进展 被引量:4
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作者 陈小文 姜涛 李文戈 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1-8,共8页
环氧树脂作为应用最广泛的塑料基电子封装材料,低导热性限制了其在电子封装领域的应用,而通过树脂的改性和高导热填料的加入可以有效提高环氧树脂的导热性能。概述了环氧树脂基复合材料的种类及研究进展,介绍了电子封装对环氧树脂基复... 环氧树脂作为应用最广泛的塑料基电子封装材料,低导热性限制了其在电子封装领域的应用,而通过树脂的改性和高导热填料的加入可以有效提高环氧树脂的导热性能。概述了环氧树脂基复合材料的种类及研究进展,介绍了电子封装对环氧树脂基复合材料的多种性能要求,包括高导热性能、绝缘性能、低介电性能以及阻燃性能等,对具备不同性能环氧树脂基复合材料的改性方法进行了综述。最后,对电子封装用环氧树脂基复合材料今后的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 电子封装 环氧树脂基复合材料 导热性能 介电性能 绝缘性能
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电子封装材料的研究现状及进展 被引量:48
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作者 杨会娟 王志法 +2 位作者 王海山 莫文剑 郭磊 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期86-87,90,共3页
根据电子及封装技术的快速发展特点,通过比较几种传统的电子封装材料的优劣,以金属基复合材料为重点,阐述了三明治复合板 KCK(Kovar/Cu/Kovar)的制作及性能,并展望了电子封装材料的发展方向及前景。
关键词 电子封装 复合材料 三明治复合板 KCK 集成电路
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电子封装材料的研究现状 被引量:59
8
作者 黄强 顾明元 金燕萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期28-32,共5页
电子及封装技木的快速发展对封装材料的性能提出了更为严格的要求。综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响;据此进一步提出了改善... 电子及封装技木的快速发展对封装材料的性能提出了更为严格的要求。综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响;据此进一步提出了改善封装材料热性能的途径及未来的发展方向。 展开更多
关键词 电子封装 复合材料 热性能 MMC 集成电路
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含高体积分数SiC_p的铝基复合材料制备与性能 被引量:20
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作者 张强 陈国钦 +2 位作者 武高辉 姜龙涛 栾伯峰 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1180-1183,共4页
以电子封装为应用对象 ,通过合理选择一定粒径分布的SiC颗粒 ,采用挤压铸造方法制备了SiC颗粒体积分数分别为 5 0 % ,6 0 %和 70 %的 3种SiCp/Al复合材料。材料组织致密 ,颗粒分布均匀。复合材料的平均线热膨胀系数 (2 0~ 10 0℃ )随Si... 以电子封装为应用对象 ,通过合理选择一定粒径分布的SiC颗粒 ,采用挤压铸造方法制备了SiC颗粒体积分数分别为 5 0 % ,6 0 %和 70 %的 3种SiCp/Al复合材料。材料组织致密 ,颗粒分布均匀。复合材料的平均线热膨胀系数 (2 0~ 10 0℃ )随SiC含量的增加而降低 ,在 8.3× 10 -6~ 10 .8× 10 -6/℃之间 ,与Kerner模型预测值相符。复合材料比强度和比刚度高 。 展开更多
关键词 铝基复合材料 制备 性能 热膨胀 电子封装 碳化硅
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电子封装用粉末冶金材料 被引量:32
10
作者 王铁军 周武平 +1 位作者 熊宁 刘国辉 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期145-151,共7页
本文阐述了电子封装材料的基本要求与状况,对传统封装材料Al2O3、BeO、SiC的制备工艺、性能指标进行了介绍,着重分析了新型电子封装材料AlN、W/Cu、Mo/Cu、SiC/Al的性能特点和粉末冶金制备工艺的最新研究进展。
关键词 粉末冶金材料 电子封装材料 制备工艺 AL2O3 性能指标 研究进展 性能特点 SiC BEO A1N 重分析 Cu
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新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用 被引量:19
11
作者 方针正 林晨光 +2 位作者 张小勇 崔舜 楚建新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期36-39,43,共5页
随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一。对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用... 随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一。对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向。 展开更多
关键词 金刚石/金属 复合材料 电子封装 热导率
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金刚石/铜复合材料在电子封装材料领域的研究进展 被引量:31
12
作者 邓安强 樊静波 +3 位作者 谭占秋 范根莲 李志强 张荻 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2010年第5期56-61,共6页
金刚石/铜复合材料作为新型电子封装材料受到了广泛的关注。综述了金刚石/铜复合材料作为电子封装材料的国内外研究现状,介绍了金刚石/铜复合材料的制备工艺,并从材料科学的原理综述了该复合材料主要性能指标(热导率)的影响因素,同时对... 金刚石/铜复合材料作为新型电子封装材料受到了广泛的关注。综述了金刚石/铜复合材料作为电子封装材料的国内外研究现状,介绍了金刚石/铜复合材料的制备工艺,并从材料科学的原理综述了该复合材料主要性能指标(热导率)的影响因素,同时对金刚石/铜复合材料的界面问题进行了分析,最后对金刚石/铜复合材料的未来应用进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石/铜 复合材料 电子封装 热导率 界面
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电子封装用金属基复合材料的研究进展 被引量:49
13
作者 曾婧 彭超群 +1 位作者 王日初 王小锋 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3255-3270,共16页
金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因... 金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因素和改进措施,介绍常见的制备方法,最后对金属基电子封装材料的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 电子封装 金属基复合材料 热导率 热膨胀系数
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铜基封装材料的研究进展 被引量:20
14
作者 蔡辉 王亚平 +1 位作者 宋晓平 丁秉钧 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期24-28,共5页
具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材... 具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料。综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题。指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向。 展开更多
关键词 铜基复合材料 电子封装 碳化硅
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金属基电子封装材料进展 被引量:74
15
作者 刘正春 王志法 姜国圣 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2001年第2期49-54,共6页
对照几种传统的金属基电子封装材料 ,较详细地阐述了 W Cu、Mo Cu、Si C/ Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态 ,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技... 对照几种传统的金属基电子封装材料 ,较详细地阐述了 W Cu、Mo Cu、Si C/ Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态 ,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后 ,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望 ,作者认为 ,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本。 展开更多
关键词 电子封装 复合材料 膨胀系数 热导率 发展动态
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电子封装用diamond/Al复合材料研究进展 被引量:13
16
作者 马如龙 彭超群 +2 位作者 王日初 张纯 解立川 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期689-699,共11页
Diamond/Al复合材料作为第四代电子封装材料,具有高热导率、低热膨胀系数和低密度等优良性能,成为研究重点。论述diamond/Al复合材料研究概况,分析挤压铸造、浸渗法和放电等离子烧结制备方法的优点和缺点,讨论热导率和热膨胀系数等热物... Diamond/Al复合材料作为第四代电子封装材料,具有高热导率、低热膨胀系数和低密度等优良性能,成为研究重点。论述diamond/Al复合材料研究概况,分析挤压铸造、浸渗法和放电等离子烧结制备方法的优点和缺点,讨论热导率和热膨胀系数等热物理性能的影响因素,并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 电子封装 DIAMOND AL复合材料 热导率 热膨胀系数
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电子封装材料的研究现状及发展 被引量:39
17
作者 方明 王爱琴 +1 位作者 谢敬佩 王文焱 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第4期84-87,共4页
根据电子封装材料的特点及要求,介绍了几种封装材料,详细地阐述了金属基复合封装材料的性能特点、制备方法、应用背景及存在的问题。并展望了电子封装材料的发展前景。
关键词 电子封装材料 金属基复合材料
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金属基电子封装复合材料的研究现状及发展 被引量:57
18
作者 喻学斌 吴人洁 张国定 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第3期64-66,共3页
阐述了金属基复合材料用于电子封装领域的优点及其重要意义,综述了该研究方向最新研究现状,归纳了金属基电子封装复合材料制造方法,指出了未来研究方向。
关键词 金属基复合材料 电子封装 热物理性能
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电子封装用金属基复合材料的制备 被引量:11
19
作者 黄强 金燕萍 顾明元 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期18-19,17,共3页
分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求,在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。
关键词 电子封装 金属基复合材料 制备工艺 粉末冶金 液相法
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环保型电子封装用Sip/Al复合材料性能研究 被引量:7
20
作者 武高辉 修子扬 +2 位作者 孙东立 张强 宋美慧 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期244-246,250,共4页
为研究电子封装用Sip/Al复合材料热物理及力学性能,利用挤压铸造方法制备了体积分数为65%的Sip/LDll(A1—12%Si)可回收环保型复合材料.采用TEM观察、膨胀仪、激光导热综合测试仪以及万能电子拉伸试验机等设备及技术对复合材料... 为研究电子封装用Sip/Al复合材料热物理及力学性能,利用挤压铸造方法制备了体积分数为65%的Sip/LDll(A1—12%Si)可回收环保型复合材料.采用TEM观察、膨胀仪、激光导热综合测试仪以及万能电子拉伸试验机等设备及技术对复合材料进行研究.结果表明:Sip/LDll复合材料组织致密,材料中未观察到孔洞和缺陷;20~50℃时复合材料的热膨胀系数为8.1X10^-6/℃,并随着温度的升高而增加,退火处理能够降低复合材料的热膨胀系数;Sip/LDll复合材料铸造状态和热处理状态的热导率分别为132.9、160.1w/m·℃,复合材料的弯曲强度和比模量较高;可以采用化学镀方法在复合材料表面涂覆M层,镀层结合强度良好,是一种优异的电子封装用复合材料. 展开更多
关键词 SI 铝基复合材料 热导率 热膨胀 电子封装
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