由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来...由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。展开更多
文摘由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
