-
题名Si基JBS整流二极管的设计与制备
被引量：6
- 1
-
-
作者
王朝林
王一帆
岳红菊
刘肃
-
机构
兰州大学微电子研究所
西安微电子技术研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期180-183,共4页
-
基金
甘肃省科技支撑计划-工业类(090GKCA049)
-
文摘
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。
-
关键词
si基jbs整流二极管
功率肖特基二极管
蜂窝状结构
I-V特性
场限环
-
Keywords
si-based jbs rectifier diode
power SBD
honeycomb structure
I-V characteristics
field limiting rings （FLR）
-
分类号
TN313.5
[电子电信—物理电子学]
-
