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Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
1
作者
刘鹏浩
江弘胜
+4 位作者
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄...
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
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关键词
si
基
集成
si基ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
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职称材料
题名
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
1
作者
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
机构
中国电子科技集团重庆声光电有限公司
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
基金
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010145001)。
文摘
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
关键词
si
基
集成
si基ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
Keywords
integration on
si
si
-based
ge
film
heteroepitaxy
dislocation control
device
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
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