-
题名Si基锂离子电池负极材料的纳米化和合金化
被引量：3
- 1
-
-
作者
曲晓雷
蒲凯超
高明霞
刘永锋
潘洪革
-
机构
浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室浙江省电池新材料与应用技术研究重点实验室
-
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期254-263,共10页
-
基金
国家自然科学基金(51471152
51571178)
+1 种基金
国家材料基因组计划(2016YFB0700600)
国家青年拔尖人才支持计划
-
文摘
Si作为一种新型锂离子电池负极材料,具有理论比容量高、来源丰富、成本低廉、安全性能好等优点,近年来备受关注。但其在充放电过程中会产生巨大的体积变化而使得材料粉化严重,导致循环过程中容量迅速衰退,难以满足实用化的需求。纳米化和合金化是改善Si负极材料的有效途径,纳米化能够有效缓解材料嵌脱锂过程中体积变化造成的机械应力、缩短锂离子的迁移距离,从而明显改善Si基材料的电化学循环稳定性能;合金化可以减小材料在脱嵌锂过程的体积变化率、提高材料的电导率,也可以延长Si基材料的循环寿命。此外,Si合金的振实密度高、制备工艺简单,有利于规模化应用。在简要综述最近5年在Si基锂离子电池负极材料的纳米化和合金化方面的研究进展的同时,重点关注了不同纳米结构和合金化方法对其电化学储锂容量、倍率性能和循环稳定性能的影响。
-
关键词
锂离子电池
负极材料
si基材料
纳米化
合金化
-
Keywords
Li-ion battery
anode
si-based materials
nanostructuring
alloying
-
分类号
TM911
[电气工程—电力电子与电力传动]
-
-
题名Si基光发射材料的探索
被引量：4
- 2
-
-
作者
黄美纯
张建立
李惠萍
朱梓忠
-
机构
厦门大学物理系
-
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期419-424,共6页
-
基金
国家自然科学基金重大项目 (698962 60 )
信息部项目 (60 0 770 2 9)资助项目
-
文摘
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外 ,最近已有若干令人鼓舞的方案 ,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法 ,实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上 ,认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料 ,以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求 ,较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程 ,对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则 ,并设计出一种新的硅基超晶格。通过计算机模拟计算表明 ,其中Se/Si10 /Se/Si10 /Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征 ,其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能 ,其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此 。
-
关键词
si基光发射材料
超晶格
直接带隙光发射
光电子材料
响应速度
发光材料
微电子技术
-
Keywords
si based light emitting material
superlattice
direct bandgap light emission
-
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
O472.3
[理学—半导体物理]
-
-
题名Si基光电子学的研究与展望
被引量：10
- 3
-
-
作者
彭英才
ZHAO X W
傅广生
王英龙
-
机构
河北大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
Department of Physics
中国科学院微电子研究中心
河北大学物理科学与技术学院
-
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期273-285,共13页
-
基金
河北省自然科学基金(503125和500084)
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目
-
文摘
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。
-
关键词
光电子学
直接带隙si基低维材料
晶粒有序si基纳米材料
稳定高效si基发光器件
全si
光电子集成
-
Keywords
optoelectronics
direct bandgap si-based low dimensional materials
ordered si-based nanocrystalline films
stable and high-efficient si-based luminescent devices
all-si optoelectronic integrated technology
-
分类号
TN20
[电子电信—物理电子学]
O471.1
[理学—半导体物理]
-
-
题名Si基纳米结构的电子性质
被引量：1
- 4
-
-
作者
彭英才
ZHAO Xin-wei
王英龙
马蕾
-
机构
河北大学电子信息工程学院
Department of Physics
河北大学物理科学与技术学院
河北大学电子信息工程学院
-
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第2期1-8,共8页
-
基金
河北省自然科学基金资助项目(503125
500084)
-
文摘
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系。还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响。
-
关键词
si基纳米结构
电子性质
si基纳米发光材料
量子限制效应
电子结构
器件应用
-
Keywords
si-based nanocrystalline luminescent materials
quantum confinement effect
electro-nic structure
device applications
-
分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
O431.2
[机械工程—光学工程]
-
-
题名用XPS法研究硅基硫化锌薄膜
- 5
-
-
作者
曾明刚
陈松岩
林爱清
邓彩玲
蔡贝妮
-
机构
厦门大学物理系
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期17-20,共4页
-
基金
福建省自然科学基金(A0110006)厦门大学自选课题基金(07007)
-
文摘
应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态, 认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合。PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义。
-
关键词
X射线光电子能谱
杂质中心
si基材料
-
Keywords
X-ray photoelectron spectrum(XPS)
impurity centre
silica-base material
-
分类号
O484.1
[理学—固体物理]
-
-
题名锗近红外光电探测器制备工艺研究进展
被引量：2
- 6
-
-
作者
黄志伟
汪建元
黄巍
陈松岩
李成
-
机构
厦门大学嘉庚学院
厦门大学物理科学与技术学院
-
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2020年第1期40-47,共8页
-
基金
国家自然科学基金(61474094,61474081)。
-
文摘
Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的材料之一。针对Ge光电探测器制备过程中面临的挑战,文中综述了近年来笔者所在的课题组在Ge探测器材料、器件及工艺方面的研究进展。首先介绍了Si基Ge材料的制备工艺,利用低温缓冲层生长技术、Ge/Si键合技术、Ge浓缩技术等分别制备得到高晶体质量的Si基Ge材料。研究了Ge材料n型掺杂工艺,利用离子注入结合两步退火处理(低温预退火和激光退火)以及利用固态磷旋涂工艺等分别实现Ge材料n型高掺浅结制备。最后探究了金属/Ge接触势垒高度的调制方法,结合金属中间层和透明导电电极ITO制备得到性能良好的Ge肖特基光电探测器。
-
关键词
Ge光电探测器
si基Ge材料
N型掺杂
肖特基势垒高度
-
Keywords
Ge photodetectors
si-based Ge materials
n-type doping
Schottky barrier height
-
分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
-
