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新型SiBCN先驱体的合成及其陶瓷性能的研究进展 被引量:8
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作者 杨治华 贾德昌 周玉 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期300-304,共5页
综述了近年来采用有机先驱体制备S iBCN复合陶瓷的研究现况.详细介绍了S iBCN先驱体合成的两种主要方法,并对利用这两种方法获得的先驱体和裂解后的陶瓷的产率等方面进行了比较.阐述了S iBCN复合陶瓷与纯S iC和S i3N4陶瓷在力学,抗蠕变... 综述了近年来采用有机先驱体制备S iBCN复合陶瓷的研究现况.详细介绍了S iBCN先驱体合成的两种主要方法,并对利用这两种方法获得的先驱体和裂解后的陶瓷的产率等方面进行了比较.阐述了S iBCN复合陶瓷与纯S iC和S i3N4陶瓷在力学,抗蠕变,抗氧化等性能的差别. 展开更多
关键词 si—b—c—n 先驱体 裂解 复合陶瓷
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Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料研究进展 被引量:4
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作者 贾德昌 张鹏飞 +3 位作者 杨治华 叶丹 孙振淋 周玉 《中国材料进展》 CAS CSCD 2011年第1期5-11,25,共8页
Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料微观结构独特,高温性能优良,在高温结构材料与航天防热领域表现出诱人的应用前景。从Si-B(Al)-C-N系陶瓷的主要制备方法与工艺特点,典型的组织特征和高温性能,以及Si-B(Al)-C-N基复合材料的性能特点等... Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料微观结构独特,高温性能优良,在高温结构材料与航天防热领域表现出诱人的应用前景。从Si-B(Al)-C-N系陶瓷的主要制备方法与工艺特点,典型的组织特征和高温性能,以及Si-B(Al)-C-N基复合材料的性能特点等几方面,综述了该系陶瓷材料的研究现状,展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 si—b(Al)-c—n系陶瓷 非晶态 纳米陶瓷 抗氧化性 高温蠕变 复合材料
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先驱体转化法制备Si-B-N-C陶瓷纤维及表征 被引量:6
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作者 唐云 王军 +3 位作者 李效东 李文华 王浩 王小宙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1515-1518,共4页
以聚硼硅氮烷为先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理及氮气中高温热解、烧结得到Si—B—N.C陶瓷纤维.利用元素分析、FTIR、XRD、高温热重分析等手段对Si—B—N—C纤维的组成、结构以及高温稳定性和抗氧化性等进行了表征.结果表明,纤维... 以聚硼硅氮烷为先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理及氮气中高温热解、烧结得到Si—B—N.C陶瓷纤维.利用元素分析、FTIR、XRD、高温热重分析等手段对Si—B—N—C纤维的组成、结构以及高温稳定性和抗氧化性等进行了表征.结果表明,纤维主要由Si3N4,BN和SiC等相组成,其室温抗拉强度为2.1GPa,弹性模量为230GPa,具有很好的非晶稳定性和高温抗氧化性,惰性气氛中可保持非晶至1700℃,空气中加热至1100℃以下时无增重,在1100~1400℃温度范围内增重约3.3%. 展开更多
关键词 si-b-n—c陶瓷纤维 先驱体转化法 聚硼硅氮烷 耐高温 抗氧化
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SiC-BN及Si-B-C-N复合陶瓷的研究进展 被引量:2
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作者 杨治华 贾德昌 周玉 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期7-10,共4页
从制备工艺、组织结构及其性能的角度综述了晶态SiC-BN及非晶Si-B-C-N陶瓷材料的研究进展情况,并对碳化硅-氮化硼及非晶Si-B-C-N陶瓷材料的研究方向提出一些见解。
关键词 碳化硅 氮化硼 si-b-c-n 复合陶瓷
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聚合物前驱体制备具有竹节结构的Si-B-C-N纳米材料及其发光 被引量:1
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作者 王岩松 徐世峰 +4 位作者 范翊 罗劲松 王文全 安立楠 张立功 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期391-394,共4页
采用热裂解聚合物前驱体法制备出了具有竹节结构的Si B C N纳米材料。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明样品具有特殊的竹节状(叠杯状)形貌,电子散射能谱(EDX)证实了样品组分为Si、B、C、N。通过微区喇曼光谱仪研究了... 采用热裂解聚合物前驱体法制备出了具有竹节结构的Si B C N纳米材料。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明样品具有特殊的竹节状(叠杯状)形貌,电子散射能谱(EDX)证实了样品组分为Si、B、C、N。通过微区喇曼光谱仪研究了样品在488nm激光激发下从84~290K的变温发射特性,在490~800nm观察到位于580,620nm附近两个较强发射峰和740nm附近一个弱的发射峰。变温实验说明相应发射峰与材料禁带中形成的杂质能级有关。 展开更多
关键词 聚合物前驱体 纳米si—b—c-n 发射 杂质能级
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先驱体转化法制备Si-B-C-N陶瓷微球 被引量:1
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作者 刘洪丽 王雯 +3 位作者 李婧 罗永明 张海媛 康伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期224-226,共3页
以聚硼硅氮烷(PSNB)为先驱体聚合物,烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)为乳化剂,采用先驱体转化法结合乳液工艺制备了Si-B-C-N微球。研究了乳化剂OP-10用量、固化反应时间以及裂解温度对微球表面形貌的影响。结果表明:OP-10含量为0.1%(质... 以聚硼硅氮烷(PSNB)为先驱体聚合物,烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)为乳化剂,采用先驱体转化法结合乳液工艺制备了Si-B-C-N微球。研究了乳化剂OP-10用量、固化反应时间以及裂解温度对微球表面形貌的影响。结果表明:OP-10含量为0.1%(质量分数),反应8h制备的PSNB微球分散性良好,粒径为400~700nm;裂解温度为800~1500℃时,裂解得到的Si-B-C-N陶瓷微球能保持完整的球形结构,随着温度升高微球尺寸逐渐减小,1500℃时微球直径约为345nm;X射线衍射结果表明,800~1300℃时,裂解产物为非晶状态,1500℃时产物基本完成结晶,析出β-SiC和BN晶相。 展开更多
关键词 聚硼硅氮烷 乳液法 先驱体转化法 PSnb微球 si-b-c-n陶瓷微球
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硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C(B)/n-Si 异质结光伏特性 被引量:2
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作者 周之斌 杜先智 +2 位作者 张亚增 杨峰 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期197-200,共4页
采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率5—10Ωcm。俄歇(Auger)电子能谱测试表明,硼离子含量为0.8%,由扫描电镜(SEM)和激光喇曼(Raman)谱分析可知,... 采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率5—10Ωcm。俄歇(Auger)电子能谱测试表明,硼离子含量为0.8%,由扫描电镜(SEM)和激光喇曼(Raman)谱分析可知,薄膜以非晶为主,观察到许多线径为0.5—1.0μm的金刚石结晶微粒。制备成Au/C(B)/n-Si异质结,其开路电压Voc=580mV,短路电流密度为650μAcm-2,获得暗I-V整流特性和光照I-V工作曲线。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 异质结 光伏特性
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