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Eu^(3+)、Si^(4+)共掺杂TiO_2光催化剂的协同效应 被引量：57
1
作者 李越湘 王添辉 +2 位作者 彭绍琴 吕功煊 李树本 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1434-1439,共6页
采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了Eu/Ti/Si纳米光催化剂,并通过XRD、FT-IR、EPR等进行了表征.结果表明,掺入Eu3+和Si4+,阻止了TiO2从锐钛矿晶型向金红石晶型的转变,使TiO2的粒径减小,且Eu3+能够促进Si4+进入TiO2的晶格中.以甲基橙为光催化反... 采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了Eu/Ti/Si纳米光催化剂,并通过XRD、FT-IR、EPR等进行了表征.结果表明,掺入Eu3+和Si4+,阻止了TiO2从锐钛矿晶型向金红石晶型的转变,使TiO2的粒径减小,且Eu3+能够促进Si4+进入TiO2的晶格中.以甲基橙为光催化反应模型化合物,考察了光催化剂的活性.测定了甲基橙在不同光催化剂上的吸附常数,探讨了催化剂对甲基橙的吸附机理.Eu3+和Si4+的最佳掺入量分别为wEu=0.03%、wSiO2=39.06%,且Eu3+和Si4+同时掺入TiO2光催化剂产生协同效应.讨论了光催化活性与催化剂性质的关系. 展开更多
关键词 光催化 二氧化钛 EU^3+ Si^4+共掺杂 甲基橙 协同效应
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Fe^(3+),Si^(4+)掺杂TiO_2纳米材料相变和热稳定性研究 被引量：13
2
作者 张玉红 徐永熙 王彦广 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1099-1103,共5页
Guth等人[1]在1977年首次报道了铁(Ⅲ)掺杂二氧化钛催化剂对氮气光催化还原为氨具有独特的光催化效果,开辟了一条太阳能转化为化学能的新途径,引起了人们对铁(Ⅲ)掺杂二氧化钛的研究热潮[2～7].
关键词 FE^3+ Si^4+ 掺杂 TIO2 纳米材料 相变 热稳定性 二氧化钛 催化剂
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Si^(4+)掺杂对镁铝水滑石纳米晶体结构与性能的影响 被引量：3
3
作者 任庆利 陈寿田 吴洪才 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期181-185,共5页
研究了Si4+掺杂对镁铝水滑石[Mg6Al2(OH)16CO3]·4H2O阻燃剂制备的影响,讨论了以NaAlO2为铝源,不同的Si4+掺杂浓度对所得镁铝水滑石试样的相组成以及其晶粒大小和结晶状态的影响.结果表明:在Na2SiO3的掺入浓度小于等于0 012mol/L的... 研究了Si4+掺杂对镁铝水滑石[Mg6Al2(OH)16CO3]·4H2O阻燃剂制备的影响,讨论了以NaAlO2为铝源,不同的Si4+掺杂浓度对所得镁铝水滑石试样的相组成以及其晶粒大小和结晶状态的影响.结果表明:在Na2SiO3的掺入浓度小于等于0 012mol/L的范围内,可以成功地进行Si4+掺杂,Si4+进入到镁铝水滑石基本层中的羟基八面体空间,使镁铝水滑石晶体的颜色由白色变为天蓝色,抑制了镁铝水滑石晶体的长大.DSC TG热分析表明,Si4+掺杂提高了镁铝水滑石第二次热分解的终止温度点,将其热分解温度范围拓宽了约17℃,最终热分解物的残余量提高了5 5%,从而提高了镁铝水滑石阻燃剂的热稳定性. 展开更多
关键词 镁铝水滑石 纳米晶体 Si^4+掺杂
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Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性
4
作者 李国辉 朱德华 +2 位作者 张通和 罗晏 韩德俊 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期23-27,共5页
研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使... 研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si^+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET. 展开更多
关键词 离子注入 Si^+ S^+ GAAS 快速退华
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Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)
5
作者 王利光 李勇 +1 位作者 陈禾 Wong Kin-Shun 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期187-191,共5页
利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在... 利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能。其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoidedcrossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点。 展开更多
关键词 Si^5+离子 HE原子 相互作用 势能
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In^3+,Si^4+共掺杂ZnBi(0.02)Ga(1.98)O4:Cr^3+的发光与长余辉性能研究 被引量：2
6
作者 焦点 肖思国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期3716-3721,共6页
长余辉材料在生物医学、信息存储等领域有着广阔的应用前景。人们已在不同体系的材料中成功制备蓝、绿、黄光长余辉材料,且一些材料的高效长余辉性能已能满足实际应用的要求。然而,红色长余辉材料在发光亮度和余辉时间方面都还不够理想... 长余辉材料在生物医学、信息存储等领域有着广阔的应用前景。人们已在不同体系的材料中成功制备蓝、绿、黄光长余辉材料,且一些材料的高效长余辉性能已能满足实际应用的要求。然而,红色长余辉材料在发光亮度和余辉时间方面都还不够理想。采用高温固相法,通过In^3+, Si^4+共掺杂的方式,制备了深红色发光的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+材料,并系统地研究了所制备材料的发光光谱、长余辉及热释光性能。XRD分析发现, In^3+, Si^4+参与固相反应并占据了Zn(Bi)Ga2O4适当的晶格位置, In^3+, Si^4+的掺入也不会改变基质的基本相结构。通过监测λ=695 nm的光发射测量了Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+;Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+, 9%In^3+和Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+, 9%In^3+, 7%Si^4+的激发光谱, In^3+, Si^4+的引入改变了Cr^3+的局域环境,从而使得O^2-的2p轨道到Ga^3+的4s4p轨道的电荷迁移带产生红移,并使得Cr^3+的4A^2-4T^1和4A^2-4T^2跃迁强度明显增强。研究440 nm氙灯光激发下发射光谱发现, In^3+的引入改变了部分八面体中Cr^3+的配位环境,造成不同格位的发射峰位置不同,从而使发光光谱表现出非均匀加宽。In^3+掺杂对Cr^3+的配位环境的改变也同时提高了样品的发射光强度。而In^3+, Si^4+共掺杂则使得样品的发射光谱的非均匀加宽效应进一步加强,同时进一步增强了其发光强度。实验表明, 9%In^3+, 7%Si^4+共掺杂的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+样品表现出最好的光致发光特性。余辉衰减曲线测试发现, In^3+的引入可以大大提高样品的余辉亮度,并延长余辉时间。而Si^4+的引入则进一步的改善了样品的余辉亮度,延长了余辉时间。热释光测试表明, In^3+的引入能提高样品中陷阱能级的深度,而合适浓度的In^3+, Si^4+共掺杂不仅提高了陷阱的深度,也增加了样品中陷阱的浓度。研究发现, 9%In^3+, 3%Si^4+共掺杂的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+样品具有最好的长余辉性能。相关研究为进一步优化镓酸盐长余辉性材料提供了有意义的参考。 展开更多
关键词 ZnBi(0.02)Ga(1.98)O4:Cr^3+ In^3+ Si^4+共掺杂 荧光 长余辉
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Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG单晶生长和光谱特性研究
7
作者 田瑞丰 张璐 +1 位作者 潘明艳 齐红基 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1957-1962,共6页
利用提拉法生长了Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG单晶,该晶体属于立方晶系,O_(h)^(10)-Ia3d空间群。掺杂的Si^(4+)没有改变YAG的晶体结构,但是影响了发光离子的价态。吸收光谱表明Si^(4+)的引入使得Yb^(2+)含量增多,这是由于Si^(4+)引入了过量的... 利用提拉法生长了Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG单晶,该晶体属于立方晶系,O_(h)^(10)-Ia3d空间群。掺杂的Si^(4+)没有改变YAG的晶体结构,但是影响了发光离子的价态。吸收光谱表明Si^(4+)的引入使得Yb^(2+)含量增多,这是由于Si^(4+)引入了过量的电荷,为满足电价平衡,Yb^(3+)转换为Yb^(2+)。Yb^(2+)的出现降低了Yb∶YAG的发光强度。稳态X射线激发发射光谱结果表明Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG晶体的发光强度是Yb∶YAG的63%,γ射线激发下的光产额降至原来的40%。此外,由于原料中含有多种Yb的同位素,Yb∶YAG除了可以被X射线、γ射线激发出荧光外,还可以与中子发生核反应产生带电粒子,进而引起次级反应产生荧光。荧光的产生仍然由Yb^(3+)决定,因此,Si^(4+)掺入也降低了中子探测灵敏度。 展开更多
关键词 Si^(4+)掺杂 Yb∶YAG晶体 提拉法 闪烁性能 探测灵敏度
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Fe^(3+)、Si^(4+)共掺杂TiO_2光催化性能研究 被引量：1
8
作者 郭峰波 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期130-131,133,共3页
采用溶胶-凝胶法制备了Fe/Ti/Si复合光催化剂,通过对甲基橙的降解来研究其光催化活性。结果表明,Fe的掺杂提高了光催化剂的光响应范围,可以充分地利用太阳光,Fe最佳掺量为3.5×10-6mol/g;适量掺杂SiO2增强了光催化剂的热稳定性,其... 采用溶胶-凝胶法制备了Fe/Ti/Si复合光催化剂,通过对甲基橙的降解来研究其光催化活性。结果表明,Fe的掺杂提高了光催化剂的光响应范围,可以充分地利用太阳光,Fe最佳掺量为3.5×10-6mol/g;适量掺杂SiO2增强了光催化剂的热稳定性,其最佳掺量为15%;Fe、Si共掺杂TiO2在脱色过程中产生了协同作用,提高了催化剂的光催化活性。 展开更多
关键词 TIO2 FE-SI 共掺杂 光催化剂
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BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
9
作者 李国辉 韩德俊 +5 位作者 陈如意 罗晏 刘伊犁 姬成周 朱红清 王策寰 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n... 研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。 展开更多
关键词 砷化镓 离子注入 硅离子
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MeV P^+/Si^+共注入SI-GaAs制备高品质n^+埋层
10
作者 姬成周 张燕文 +1 位作者 李国辉 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1993年第4期488-494,共7页
采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损... 采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n^+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm^2/(V·s),激活率可达95％以上。 展开更多
关键词 MEV 离子注入 磷 硅 共注入 砷化镓
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新型红色长余辉发光材料Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的合成及性能表征(英文)
11
作者 王飞 刘利军 +2 位作者 王其洪 于凯立 邵泽 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第S2期109-112,共4页
采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征。结果表明:Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的晶体结构与Gd_... 采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征。结果表明:Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的晶体结构与Gd_2O_2S相同,为六方晶系。颗粒的形貌为类球形。Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的激发光谱呈250～400nm宽带状,激发光谱主峰位于365nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu^(3+)的~5D_J(J=0,1)→~7F_J(J=0,1,2,4)跃迁。最强的发射峰为627nm和617nm,均属于~5D_0→~7F_2跃迁,且627nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si^(4+)和Ti^(4+)离子的共掺杂可显著延长样品Gd_2O_2S:Eu^(3+)的余辉时间。 展开更多
关键词 红色长余辉 Gd2O2S:Eu3+ Si4+ Ti4+ 激发光谱 发射光谱 发光材料
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Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究
12
作者 鲁光沅 刘福润 +2 位作者 刘明成 赵杰 王永晨 《天津师大学报（自然科学版）》 2000年第3期22-27,共6页
研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ... 研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 . 展开更多
关键词 离子注入 GAAS 电激活均匀性 半导体
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Al^(3+),Si^(4+)对施主、受主掺杂高居里点BaTiO_3基PTCR材料性能的影响 被引量：4
13
作者 徐荣云 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第4期7-9,共3页
固相法合成 (Ba0 .6 Pb0 .4 )TiO3,固定外加TiO2 量 ,研究了Al3+、Si4 +对施主Nb5+掺杂居里点Tc >3 2 0℃的 (Ba,Pb)TiO3材料室温电阻率的影响以及对施主Nb5+、受主Mn2 +共掺时材料PTC效应等性能的影响。结果表明 ,添加物不影响材料... 固相法合成 (Ba0 .6 Pb0 .4 )TiO3,固定外加TiO2 量 ,研究了Al3+、Si4 +对施主Nb5+掺杂居里点Tc >3 2 0℃的 (Ba,Pb)TiO3材料室温电阻率的影响以及对施主Nb5+、受主Mn2 +共掺时材料PTC效应等性能的影响。结果表明 ,添加物不影响材料基体的晶体结构 ,Al3+、Si4 +可促进材料的烧结 ,适量的Al3+、Si4 展开更多
关键词 施主 受主 掺杂 高居里点 BATIO3基 PTCR材料 性能 影响 陶瓷材料 铝离子 硅离子 PTC效应
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Si^+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟
14
作者 周原 韦冬 +1 位作者 王茺 杨宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第7期380-384,共5页
在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si+自注入Si晶体的Si+深度分布几率和注入时的能量传递。计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si+的分布概率是恒定的,在注入过... 在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si+自注入Si晶体的Si+深度分布几率和注入时的能量传递。计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si+的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si+进一步深入的主导因素。论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因。 展开更多
关键词 SRIM程序 Si+ 自注入 W缺陷 D1线
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一部南三阁本《四库全书》的纸张材料分析研究
15
作者 吕淑贤 易晓辉 +4 位作者 钟迪 康葆强 张群 潘伟 王恺 《中国造纸》 北大核心 2025年第9期123-134,共12页
本研究以一部南三阁本《四库全书》的书叶及2种护叶纸张为研究对象,采用多种检测手段进行综合分析。结果表明,3种纸张均为青檀皮和稻草混料宣纸,均含有草酸钙、石英和碳酸钙,但在外观形貌、纤维配比及化学成分上有一定差别。书叶用纸为... 本研究以一部南三阁本《四库全书》的书叶及2种护叶纸张为研究对象,采用多种检测手段进行综合分析。结果表明,3种纸张均为青檀皮和稻草混料宣纸,均含有草酸钙、石英和碳酸钙,但在外观形貌、纤维配比及化学成分上有一定差别。书叶用纸为细腻洁白的薄宣纸,厚度34μm左右;青檀皮纤维含量约85%;纸中含有少量碳酸钙,其Ca元素含量为3种纸张中最低。白色护叶纸为洁白光滑的厚宣纸,厚度约52μm;青檀皮纤维含量高达95%;其Si元素含量为3种纸张中最低;纸中除碳酸钙外还含少量生石膏(CaSO_(4)·2H_(2)O)。黄色护叶纸为色暗粗糙的较厚宣纸,厚度约42μm,含较多纤维束;檀皮和稻草纤维各约占50%;Si元素和Ca元素含量均为3种纸张中最高;纸中含有大量碳酸钙。该结果表明,宣纸被用作部分南三阁《四库全书》的书叶及护叶,与文献中“棉白榜纸”“泾县白棉纸”及“金线榜纸”的记载一致,但是否为“坚白太史连纸”尚待进一步研究。 展开更多
关键词 四库全书 南三阁 宣纸 纤维分析
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Si元素对钛/钢异种金属接头成形及微观组织影响
16
作者 孙清洁 陶玉洁 +3 位作者 甄祖阳 刘一搏 张清华 刘岳 《焊接学报》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
采用T2Cu和CuSi3焊丝在相同工艺参数下对厚度为1 mm的TC4钛合金及304不锈钢进行焊接,并借助光学显微镜(optical microscopy,OM)和扫描电镜(scanning electron microscopy,SEM)研究了两种焊丝下的TC4/304异种金属焊接熔池冶金行为.对比... 采用T2Cu和CuSi3焊丝在相同工艺参数下对厚度为1 mm的TC4钛合金及304不锈钢进行焊接,并借助光学显微镜(optical microscopy,OM)和扫描电镜(scanning electron microscopy,SEM)研究了两种焊丝下的TC4/304异种金属焊接熔池冶金行为.对比分析了不同焊丝成分,尤其是Si元素的加入对TC4/304异种金属接头宏观成形、界面微观组织和力学性能的影响.结果表明,Si元素的加入使液态熔池流动性显著增强,消除了凹陷和孔洞等缺陷,解决了焊缝背部熔合不良问题,焊缝宏观成形显著改善.两种焊丝均有效阻隔了Ti,Fe原子,钛/铜界面未生成Ti-Fe化合物,但在焊缝中心以及铜/钢界面处生成了少量Ti-Fe相.CuSi3焊丝中充足的Si元素不仅使Ti5Si3相形核生长的更加充分,在熔池流动的作用下均匀分布于焊缝中,对接头起到弥散强化作用.与T2Cu焊丝相比,CuSi3焊丝所得接头的抗拉强度提升了81.4%,最高达到366.8 MPa. 展开更多
关键词 钛/钢异种金属焊接 SI元素 焊缝成形 微观结构 弥散强化
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高尔基体蛋白73在原发性胆汁性胆管炎中的临床价值探讨
17
作者 王艳萍 唐笛娇 +2 位作者 余雪霏 陈瀑 邹麟 《重庆医科大学学报》 北大核心 2025年第8期1122-1126,共5页
目的:探讨高尔基体蛋白73(golgi protein 73,GP73)在原发性胆汁性胆管炎(primary biliary cholangitis,PBC)诊断中的作用及其与疾病进程和治疗疗效监测的相关性。方法:收集70例PBC患者、36例非自身免疫性肝病(autoimmune liver disease,... 目的:探讨高尔基体蛋白73(golgi protein 73,GP73)在原发性胆汁性胆管炎(primary biliary cholangitis,PBC)诊断中的作用及其与疾病进程和治疗疗效监测的相关性。方法:收集70例PBC患者、36例非自身免疫性肝病(autoimmune liver disease,AILD)的其他肝病患者(non-AILD)和40例健康体检者(healthy control,HC)血清,酶联免疫吸附试验(enzyme linked immunosor-bent assay,ELISA)测定血清中GP73的水平。其中,PBC住院患者在治疗结束前、后分别收集血清样本进行GP73检测。结果:血清GP73浓度在PBC组、non-AILD组和HC组的分布上,差异有统计学意义(P<0.001),受试者工作特征(receiver operating characteristic,ROC)曲线显示GP73在诊断PBC的曲线下面积(the area under the curve,AUC)为0.839。血清GP73水平与天门冬氨酸氨基转移酶(aspartate aminotransferase,AST)(r=0.337,P=0.009)、碱性磷酸酶(alkaline phosphatase,ALP)(r=0.380,P=0.003)、总胆红素(total bilirubin,TBil)(r=0.330,P=0.010)和直接胆红素(direct bilirubin,DBil)(r=0.371,P=0.004)呈正相关性,与凝血酶原活动度(prothrombin activity,PTA)(r=-0.329,P=0.036)和胆碱酯酶(cholinesterase,CHE)(r=-0.518,P<0.001)呈负相关。PBC合并肝硬化患者血清GP73水平明显高于未合并患者(P=0.002)。抗线粒体抗体M2亚型抗体(anti-mitochondrial antibodies-M2,AMA-M2)、抗三联体抗体(anti-BCOADC-E2PDC-E2 OGDC-E2 antibodies,anti-3E/BPO)、抗可溶性酸性磷酸化核蛋白SPl00抗体(anti-SPl00 antibodies,anti-SP100)和抗核包膜蛋白gp210抗体(anti-gp210 antibodies,anti-gp210)阳性组与阴性组之间GP73含量差异无统计学意义。PBC患者经保肝、改善胆汁淤积等治疗后,血清AST、ALP、γ-GGT和GP73水平明显降低(P=0.003、P=0.005、P=0.001、P=0.003)。结论:GP73在PBC的诊断、疾病进程和疗效监测方面都发挥了重要作用,有望成为PBC的潜在疾病标志物。 展开更多
关键词 高尔基体蛋白73 原发性胆汁性胆管炎 诊断 疗效
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TiC-TiB_(2)/Al-xSi-4.5Cu复合材料的制备与性能
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作者 梁艳峰 刘逍恂 +1 位作者 夏峰 郭巧琴 《热加工工艺》 北大核心 2025年第9期92-97,共6页
根据TiB_(2)与TiC原位粒子的形成温区,设计粒子的原位反应路径,在铸造Al-xSi-4.5Cu(x=7,2,18,wt%)合金熔体内成功制备TiB_(2)与TiC双相粒子。借助OM、SEM、EDS等方法观察所制备的复合材料微观组织,并测试其维氏硬度,探究基体合金中Si含... 根据TiB_(2)与TiC原位粒子的形成温区,设计粒子的原位反应路径,在铸造Al-xSi-4.5Cu(x=7,2,18,wt%)合金熔体内成功制备TiB_(2)与TiC双相粒子。借助OM、SEM、EDS等方法观察所制备的复合材料微观组织,并测试其维氏硬度,探究基体合金中Si含量对原位TiB_(2)与TiC粒子分布及复合材料硬度的影响。结果表明:3种Si含量的复合材料均可以通过原位自生法获得微纳米尺度的TiB_(2)与TiC双相粒子,但随着Si含量增加,原位粒子在Si相附近团聚加剧;当Si含量为12wt%时,复合材料硬度达到极值,为173.56 HV;当Si含量增加到18wt%时,TiC粒子发生失稳分解,导致了复合材料硬度下降。 展开更多
关键词 AL-SI-CU合金 AL基复合材料 TIC TiB_(2) 原位自生法
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搅拌摩擦加工及T6处理对Al-Si-Fe合金组织和力学性能的影响
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作者 陈胜迁 郑志斌 +2 位作者 宋新华 唐辉 杨壹 《塑性工程学报》 北大核心 2025年第8期168-176,共9页
通过光学显微镜、扫描电子显微镜和拉伸测试等研究了搅拌摩擦加工及T6处理对Al-Si-Fe合金组织和力学性能的影响。结果表明,经过搅拌摩擦加工后,合金中的富铁相和共晶硅由粗大的板条状转变成细小的颗粒状和短棒状。其中,富铁相的平均长... 通过光学显微镜、扫描电子显微镜和拉伸测试等研究了搅拌摩擦加工及T6处理对Al-Si-Fe合金组织和力学性能的影响。结果表明,经过搅拌摩擦加工后,合金中的富铁相和共晶硅由粗大的板条状转变成细小的颗粒状和短棒状。其中,富铁相的平均长度和长径比分别降低了96.5%和81.5%,细化效果优于共晶硅。T6处理后,富铁相和共晶硅发生了明显的圆整化和球化,基本消除了尖角、平直等轮廓,形状系数进一步提高。同时,富铁相中的Fe/Si比例降低,促进了富铁相类型的转变。随着固溶时间的延长,富铁相和共晶硅的长径比均略有降低,而富铁相的面积分数和长度略有降低,这是Fe、Si在基体中的溶解造成的。T6处理后,合金的强度显著提高,但塑性降低。当固溶时间为3 h时,合金的综合性能达到最佳,其抗拉强度、屈服强度和伸长率分别达到300 MPa、230 MPa和13.2%。 展开更多
关键词 搅拌摩擦加工 AL-SI-FE合金 富铁相 微观组织演变 力学性能
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能量输入对电子束选区熔化成形Fe-3.5%Si组织和磁性能的影响
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作者 刘世锋 董日宇 +5 位作者 张朝晖 魏瑛康 王建勇 张亮亮 贾文鹏 王岩 《材料导报》 北大核心 2025年第17期103-109,共7页
Fe-Si合金具有优异的磁性能和低材料成本,被广泛应用于电机铁芯制造。电子束选区熔化(Selective electron beam melting,SEBM)是一种具有高预热温度、高能量利用率、高功率密度、和低残余应力等优点的增材制造技术,特别适合难熔、脆性... Fe-Si合金具有优异的磁性能和低材料成本,被广泛应用于电机铁芯制造。电子束选区熔化(Selective electron beam melting,SEBM)是一种具有高预热温度、高能量利用率、高功率密度、和低残余应力等优点的增材制造技术,特别适合难熔、脆性金属材料的直接成形。本工作采用SEBM成形Fe-3.5%Si合金(质量分数),探究了能量密度(E)对试样组织和磁性能的影响规律。研究结果表明,随着E的增加粉末逐渐完全熔化,打印过程的缺陷如孔隙、未熔粉末等减少,在E大于180 J/m时孔隙率降低到1%以下。晶粒尺寸与能量输入高度相关,随着E增加试样的平均晶粒尺寸先增大后减小,晶粒尺寸减小的原因是能量输入过高导致Marangoni效应加剧增加了形核位点,平均晶粒尺寸在E等于180 J/m时达到最大,为161μm。平行于打印方向(BD)柱状晶明显长大。在E等于140 J/m时,垂直于BD方向形成立方织构({100}〈001〉)强度为4.71。随着E的增加,试样λ纤维织构强度减弱,择优取向由{100}面逐渐转移至{110}面。试样矫顽力(Hc)与晶粒尺寸呈明显负相关,Hc随E增加呈先减小后变大趋势,在E等于180 J/m时,即平均晶粒尺寸最大时Hc达到最小值1.07 Oe。 展开更多
关键词 增材制造 FE-SI合金 组织 织构 磁性能
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