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新型点火药Mg_(2)Si/KClO_(4)的燃烧行为及应用性能
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作者 常英珂 赵婉君 +3 位作者 王萌 刘志刚 聂建新 任炜 《火炸药学报》 北大核心 2025年第10期927-935,I0002,共10页
围绕进一步提高钝感点火器安全电流的需求,探索了新型点火药Mg_(2)Si/KClO_(4)的燃烧行为和应用性能,采用超声分散混合法制备了点火药样品;通过扫描电子显微镜、能量色散光谱仪和激光粒度仪对Mg_(2)Si/KClO_(4)进行了表征;利用热重-差... 围绕进一步提高钝感点火器安全电流的需求,探索了新型点火药Mg_(2)Si/KClO_(4)的燃烧行为和应用性能,采用超声分散混合法制备了点火药样品;通过扫描电子显微镜、能量色散光谱仪和激光粒度仪对Mg_(2)Si/KClO_(4)进行了表征;利用热重-差示扫描量热仪和X射线衍射仪研究了其反应机理;以传统点火药Zr/KClO_(4)为对比样,利用密闭爆发器、氧弹量热仪、激光点火系统、高速摄像机、红外测温仪、T-jump系统对二者燃烧行为进行了研究,并将点火药引入制式点火器中,对比分析了两种点火器的安全电流和发火电流。结果表明,制备的新型点火药Mg_(2)Si/KClO_(4)各组分均匀分布,燃烧压力峰值约152.0kPa、增压速率约4.83×10^(4)kPa/ms、燃烧热约5590J/g;当点火延迟时间为1260μs时,Mg_(2)Si/KClO_(4)点火温度约为1727.0℃,燃烧火焰温度可达到1130℃,燃烧过程伴随少量的熔融粒子飞溅,并生成浓密白色烟雾;在置信度为0.95、可靠度为0.999条件下,Mg_(2)Si/KClO_(4)点火器不发火电流为1.50A、发火电流为3.15A。对比分析表明,新型点火药Mg_(2)Si/KClO_(4)的燃烧性能和热安全性能均优于传统点火药Zr/KClO_(4),并可以显著提升传统点火器的本质安全度水平。 展开更多
关键词 物理化学 点火药 Mg_(2)si/KClO_(4) 燃烧行为 钝感点火器
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高性能透波Si_3N_4-BN基陶瓷复合材料的研究 被引量:45
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作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 刘建 高芳 范景林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期3-6,共4页
采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16... 采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16 0MPa ,弹性模量 (E)为 99GPa ,介电常数 (ε)为 4 0左右。 展开更多
关键词 透波 si3N4-BN基陶瓷 复合材料 力学性能 介电性能
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凝胶注模Si_3N_4陶瓷的力学性能与显微结构 被引量:10
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作者 许兴利 马利国 +3 位作者 代建清 周龙捷 黄勇 谢志鹏 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期35-36,48,共3页
凝胶注模成型工艺是一种重要的原位凝固成型技术 ,它能有效地提高材料的可靠性以及降低复杂形状陶瓷部件的制造成本。本工作在 Si3N4陶瓷凝胶注模成型工艺的基础上 ,对 90 wt%α- Si3N4+ 7.5 wt% Y2 0 3+ 2 .5 wt% Al2 0 3体系进行了二... 凝胶注模成型工艺是一种重要的原位凝固成型技术 ,它能有效地提高材料的可靠性以及降低复杂形状陶瓷部件的制造成本。本工作在 Si3N4陶瓷凝胶注模成型工艺的基础上 ,对 90 wt%α- Si3N4+ 7.5 wt% Y2 0 3+ 2 .5 wt% Al2 0 3体系进行了二步气压烧结。得到的陶瓷其抗弯强度为 95 8± 41.8MPa,断裂韧性为 9.6 MPa·m1 / 2 ,韦伯模数为 2 3。得到的 展开更多
关键词 凝胶注模 气压烧结 显微结构 氮化硅陶瓷 力学性能
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纳米Si_3N_4填充聚双马来酰亚胺摩擦磨损性能研究 被引量:35
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作者 颜红侠 宁荣昌 +1 位作者 马晓燕 张秋禹 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期452-455,共4页
采用浇铸成型法制备纳米 Si3 N4颗粒填充聚双马来酰亚胺复合材料 ,考察了纳米 Si3 N4质量分数分别为 0 .5 %、1.0 %、1.5 %及 2 .0 %的复合材料的摩擦学性能 ,并用扫描电子显微镜对磨损表面形貌和磨屑进行了分析 .结果表明 ,纳米 Si3 N... 采用浇铸成型法制备纳米 Si3 N4颗粒填充聚双马来酰亚胺复合材料 ,考察了纳米 Si3 N4质量分数分别为 0 .5 %、1.0 %、1.5 %及 2 .0 %的复合材料的摩擦学性能 ,并用扫描电子显微镜对磨损表面形貌和磨屑进行了分析 .结果表明 ,纳米 Si3 N4颗粒对聚双马来酰亚胺的摩擦磨损性能具有明显的改性作用 ,尤其是当纳米 Si3 N4的质量分数为 1.5 %时 ,复合材料的摩擦磨损性能最佳 ,摩擦系数降为 0 .2 5 ,磨损率降低 72 % 展开更多
关键词 双马来酰亚胺 复合材料 摩擦磨损性能 纳米氮化硅
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Si_3N_4陶瓷烧结中烧结助剂的研究进展 被引量:12
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作者 邹强 徐廷献 +1 位作者 郭文利 薛义丹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第1期81-84,共4页
研究了多种烧结助剂对氮化硅烧结性能和烧结过程的影响。研究表明 ,多组分助剂比单一组分助剂对氮化硅的助烧效果好 ,其中稀土氧化物和MgO -Al2 O3 -SiO2
关键词 si3N4陶瓷 烧结助剂 稀土氧化物 Mgo-Al2O3-siO2体系
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Si-C-N_(np)/Si_3N_4复合材料的室温和高温显微结构与力学性能 被引量:9
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作者 唐耿平 张长瑞 +1 位作者 冯坚 周新贵 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期30-32,共3页
以 Si- C- N纳米微粉为增强相 ,Si3N4 为基相 ,采用热压的方法制备了 Si Cp/ Si3N4 纳米复相陶瓷。应用扫描电镜 (SEM)、高分辨透射电镜 (HRTEM)对其结构进行了观察 ,并讨论了结构与性能之间的关系。结果表明 ,所得的 Si Cp/ Si3N4 复... 以 Si- C- N纳米微粉为增强相 ,Si3N4 为基相 ,采用热压的方法制备了 Si Cp/ Si3N4 纳米复相陶瓷。应用扫描电镜 (SEM)、高分辨透射电镜 (HRTEM)对其结构进行了观察 ,并讨论了结构与性能之间的关系。结果表明 ,所得的 Si Cp/ Si3N4 复相陶瓷的室温力学性能比氮化硅单相陶瓷有较大的提高 ,而 135 0℃断裂韧性达 14 .6 6 MPa· m1 / 2 。Si C微晶在晶粒内和在晶界玻璃相内的钉扎作用是材料高温性能提高的主要因素。 展开更多
关键词 si-C-Nnp/si3N4复合材料 力学性能 si-C-N纳米微粉 显微结构 氮化硅 碳化硅 纳米复相陶瓷
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残余热应力对Si_3N_4/金属钎焊接头性能的影响 被引量:8
7
作者 熊柏青 楚建新 +3 位作者 职任涛 肖纪美 陆建栋 王连伟 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期210-213,共4页
利用X射线衍射微区应力测定及剪切断裂实验方法研究了Si3N4/金属钎焊接头中的残余热应力分布,分析和讨论了残余热应力对接头断裂形式及强度的影响。结果表明,在Si3N4/金属钎焊接头中由于残余热应力的作用,使断裂常常发... 利用X射线衍射微区应力测定及剪切断裂实验方法研究了Si3N4/金属钎焊接头中的残余热应力分布,分析和讨论了残余热应力对接头断裂形式及强度的影响。结果表明,在Si3N4/金属钎焊接头中由于残余热应力的作用,使断裂常常发生在Si3N4一侧。本实验通过选用热膨胀系数与Si3N4相近的金属进行钎焊,结果可以有效地降低接头中的残余热应力,提高接头强度。另外,钎焊界面上Cu应力缓解层的加入也有利于使接头中残余热应力进一步降低。 展开更多
关键词 钎焊 热应力 接头强度 氮化硅
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Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si_3N_4陶瓷与接头质量控制 被引量:9
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作者 邹贵生 吴爱萍 +2 位作者 任家烈 李盛 任维佳 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2001年第1期18-22,共5页
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3 N4 陶瓷。结果表明 ,Ni Ti过渡液相存在时间短 ,在此期间形成的界面结合强度低 ;必须进一步固态扩散反应才能形成高强度接头 ,相应的接头显微结构为 :Si3 N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +Ni3 Si/NiTi/Ni3 T... 研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3 N4 陶瓷。结果表明 ,Ni Ti过渡液相存在时间短 ,在此期间形成的界面结合强度低 ;必须进一步固态扩散反应才能形成高强度接头 ,相应的接头显微结构为 :Si3 N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +Ni3 Si/NiTi/Ni3 Ti/Ni。连接时间、连接温度、连接压力及Ti和Ni的厚度影响接头组织和强度 ,其最佳值为 6 0min ,10 5 0℃、2 .5MPa、2 0 μm和 40 0 μm ,所得接头室温和 80 0℃剪切强度分别为 142MPa和 6 1MPa。 展开更多
关键词 TLP扩散连接 高温强度 氧化硅陶瓷 接头 钎焊 钛镍复合层 质量控制
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连接压力在Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si_3N_4陶瓷中的作用机制 被引量:9
9
作者 邹贵生 吴爱萍 +2 位作者 任家烈 任维佳 李盛 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期76-80,共5页
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4 陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明 ,TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固 ,为形成高强度的结合界面 ,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够... 研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4 陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明 ,TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固 ,为形成高强度的结合界面 ,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力 ,才能保证TLP在其存在期间充分铺展陶瓷 ,并在TLP完全凝固后形成大量扩散通道 ,为固态扩散反应提供必要条件。 展开更多
关键词 压力 TLP扩散连接 si3N4陶瓷 Ti/Ni/Ti复合层
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长柱状β-Si_3N_4晶粒与SiC晶须在层状Si_3N_4/BN复合材料中的作用 被引量:7
10
作者 昝青峰 黄勇 +2 位作者 汪长安 李淑琴 李翠伟 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期22-26,共5页
用 Si C晶须和长柱状β- Si3N4对 Si3N4/ BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对 Si C晶须和原料中存在的少量 β- Si3N4晶粒有一定的定向作用 ,而基体层中定向分布的 Si C晶须和长柱状的 β- Si3N4晶粒对基体层的强韧化作... 用 Si C晶须和长柱状β- Si3N4对 Si3N4/ BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对 Si C晶须和原料中存在的少量 β- Si3N4晶粒有一定的定向作用 ,而基体层中定向分布的 Si C晶须和长柱状的 β- Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料 ,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于 5 0 % ;分隔层中β- Si3N4的定向度较差 ,但这有利于形成网状结构 ,在分隔层中起到骨架的作用 ,同时还可以增加裂纹的扩展长度 ,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为 Si3N4+2 0 wt% Si C晶须 (基体层 ) ,BN+15 vol% β- Si3N4(分隔层 ) ,其断裂功可达 482 0 J/ m2 ,抗弯强度仍可保持在 6 5 0 展开更多
关键词 层状材料 分隔层 复合材料 碳化硅晶须 长柱状β-氮化硅 陶瓷 力学性能
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ZA27-4%Si合金的阻尼性能及阻尼机理 被引量:10
11
作者 张忠明 王锦程 +2 位作者 郭学锋 刘宏昭 杨根仓 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1175-1179,共5页
利用低频内耗测试技术研究了ZA2 7 4 %Si合金的阻尼性能 ,分析了合金的阻尼机理。结果表明 :ZA2 7 4 %Si合金阻尼随频率增大而减小 ,随温度升高而增大 ,阻尼不随应变振幅的变化而变化 ;ZA2 7 4 %Si合金室温阻尼为 5 .83× 10 -3 ,与... 利用低频内耗测试技术研究了ZA2 7 4 %Si合金的阻尼性能 ,分析了合金的阻尼机理。结果表明 :ZA2 7 4 %Si合金阻尼随频率增大而减小 ,随温度升高而增大 ,阻尼不随应变振幅的变化而变化 ;ZA2 7 4 %Si合金室温阻尼为 5 .83× 10 -3 ,与ZA2 7合金阻尼相当 ;ZA2 7 4 %Si合金的阻尼是由合金内部的晶界和相界面滑动、位错振动以及各相的热膨胀系数和弹性模量间差造成的微塑性变形共同造成的。硅合金化的ZA2 7合金具有良好耐磨减摩性能和减振性能。 展开更多
关键词 ZA27-4%si合金 阻尼性能 阻尼机理 锌合金 滑动轴承
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Si_3N_4结合SiC高速烧嘴套管的研制 被引量:7
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作者 李志强 肖俊明 +1 位作者 刘铭 魏军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期19-21,共3页
以工业用绿SiC、硅粉为主要原料,选择合适的成型方法及成型用添加剂,研制出了Si3N4结合SiC高速烧嘴套管。该产品经某应用单位使用,表明其质量和使用性能接近同类进口产品,可广泛应用于辊道窑和车式窑炉。
关键词 烧嘴 套管 氧化硅陶瓷 碳化碳陶瓷 耐火材料
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Si_3N_4/SiC纳米复合陶瓷的微观结构 被引量:4
13
作者 孙东立 周朝霞 +2 位作者 杨德庄 平德海 李斗星 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第3期97-100,共4页
利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布在基体相β-Si3N4晶内和晶界。晶内SiC颗粒与基体... 利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布在基体相β-Si3N4晶内和晶界。晶内SiC颗粒与基体相的界面结构有三种类型:1)直接结合的界面;2)完全非晶态的界面;3)混合型的界面。晶间SiC颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。 展开更多
关键词 si3N4 siC 纳米级 复合陶瓷 微观结构 透射电镜
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烧结工艺对Si_3N_4-SiC材料性能的影响 被引量:4
14
作者 史琳琳 曾令可 +2 位作者 王慧 张明 程小苏 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期416-419,共4页
本文采用氮化硅作为碳化硅材料的结合相的方法制备氮化硅结合碳化硅耐火材料 ,通过对氮化硅结合碳化硅的烧结工艺过程的探讨 ,推导了理论密度、气孔率与生坯密度的关系及影响材料氮化率的关系式 。
关键词 烧结工艺 si3N4 siC 理论密度 气孔率 氮化率 氮化硅 碳化硅
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用(CuZn)_(85)Ti_(15)钎料连接Si_3N_4陶瓷接头的微观结构 被引量:4
15
作者 张杰 奈贺正明 周玉 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期263-265,共3页
采用 (CuZn) 85Ti15钎料 ,研究了Si3N4 陶瓷活性钎焊的接头微观组织结构 .结果表明 :在合适的钎焊条件下可以获得致密的Si3N4 /Si3N4 接头 ;钎缝主要由含有Ti的硅化物和Ti的氮化物的Cu固溶体和Cu2 TiZn组成 ;随着焊接温度从 85 0℃升高 ... 采用 (CuZn) 85Ti15钎料 ,研究了Si3N4 陶瓷活性钎焊的接头微观组织结构 .结果表明 :在合适的钎焊条件下可以获得致密的Si3N4 /Si3N4 接头 ;钎缝主要由含有Ti的硅化物和Ti的氮化物的Cu固溶体和Cu2 TiZn组成 ;随着焊接温度从 85 0℃升高 ,界面反应层增厚 ,填充金属中反应物的数量增多 ,尺寸增大 ;Zn能降低钎焊合金的熔化温度并降低钎焊温度 ,这有利于钎料的流动和润湿钎缝 ;Zn的蒸发将随着钎焊温度的上升而加剧 。 展开更多
关键词 si3N4陶瓷 钎焊 界面 微观结构 氮化硅 焊接接头 (CuZn)85Ti15钎料
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Cu-Ni-Ti系合金钎料对Si_3N_4陶瓷自身及其与金属的连接研究 被引量:2
16
作者 熊华平 李晓红 +1 位作者 毛唯 程耀永 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1999年第S1期148-152,共5页
系统研究了Cu-Ni-Ti系合金钎料对Si3 N4陶瓷的润湿性 ,并使用不同形式的钎料进行了Si3 N4/Si3 N4的连接 .使用真空熔炼合金作为钎料 ,获得的Si3 N4/Si3 N4接头强度值并不理想 ,分析其原因 ,采用膏状钎料改善钎料成分的均匀性 ,并重新设... 系统研究了Cu-Ni-Ti系合金钎料对Si3 N4陶瓷的润湿性 ,并使用不同形式的钎料进行了Si3 N4/Si3 N4的连接 .使用真空熔炼合金作为钎料 ,获得的Si3 N4/Si3 N4接头强度值并不理想 ,分析其原因 ,采用膏状钎料改善钎料成分的均匀性 ,并重新设计了四种成分的钎料 ,其中钎料Cu -Ni5~ 2 5 -Ti1 6~ 2 8-Br(B) / %对应的Si3 N4/Si3 N4接头强度最高 ,在 1 3 5 3K ,1 0min的真空钎焊条件下三点弯曲强度达 3 3 8.8MPa.制备了上述合金的急冷态钎料 ,使连接强度进一步提高至 40 2MPa,接头呈现较稳定的高温性能 .使用这种急冷态钎料还获得了室温及高温强度均较理想的Si3 N4/ 1 .2 5Cr-0 .5Mo钢接头 . 展开更多
关键词 si3N4/si3N4 陶瓷/金属 活性钎焊 接头强度
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Al对ZrO_2增韧Si_3N_4烧结体的相变及性能的影响 被引量:6
17
作者 臧建兵 王明智 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期340-343,共4页
在高温 (140 0℃ )、超高压 (4.2GPa)条件下制备了Al ZrO2 (Y2 O3 ) Si3 N4 烧结体。采用XRD分析及力学强度测试等方法 ,研究了Al对ZrO2 相变能力及ZrO2 增韧烧结体作用的影响。结果表明 :在烧结体中加入 2 %Al,利用Al与N反应生成AlN... 在高温 (140 0℃ )、超高压 (4.2GPa)条件下制备了Al ZrO2 (Y2 O3 ) Si3 N4 烧结体。采用XRD分析及力学强度测试等方法 ,研究了Al对ZrO2 相变能力及ZrO2 增韧烧结体作用的影响。结果表明 :在烧结体中加入 2 %Al,利用Al与N反应生成AlN可阻止Zr O N化合物生成 ,避免ZrO2 在Si3 N4 基体中被N稳定生成不可相变t′ ZrO2 ,提高ZrO2 的t→m相变能力 ,使ZrO2 起到增韧氮化硅烧结体的作用 ;当Y2 O3 含量为 2 %~ 2 .5 % (摩尔分数 )时 ,烧结体抗压强度及断裂韧性均较高 ,ZrO2 相变增韧作用最大。 展开更多
关键词 相变 性能 氧化锆增韧 氮化硅烧结体
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SiC晶须有序添加角度对Si_3N_4基体陶瓷的增韧效应 被引量:4
18
作者 朱其芳 姚伟 +3 位作者 孙丽虹 王瑞坤 董利民 张宝清 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期872-876,共5页
对晶须添加的方向角效应进行了研究 ,对裂纹尖端后方晶须桥连角度引起的应力重新分配进行了有限元分析 ,得到晶须添加角度不同时Si3N4 陶瓷材料的裂纹尖端和晶须附近区域的应力应变场。分析表明 ,试件在Ⅰ型加载受力状态下 ,当添加晶须... 对晶须添加的方向角效应进行了研究 ,对裂纹尖端后方晶须桥连角度引起的应力重新分配进行了有限元分析 ,得到晶须添加角度不同时Si3N4 陶瓷材料的裂纹尖端和晶须附近区域的应力应变场。分析表明 ,试件在Ⅰ型加载受力状态下 ,当添加晶须的轴向垂直于裂纹面时 ,晶须在裂纹尖端后方的桥接所引起的能量耗散作用最大 ,添加效果最优 ,使材料达到较好的增韧效果。当添加晶须与裂纹面法向形成角度θ时 ,随角度θ的增加 ,裂纹尖端拉应力增加。当添加角度较大时 ,晶须根部基体承受了较大的应力 ,易遭到破坏性崩裂。同时 ,晶须内部主应力与晶须轴向之间的角度也随角度θ的增加而增加 ,造成晶须折断 ,致使造成晶须拨出的体积分数 φap减小 。 展开更多
关键词 碳化硅晶须 氮化硅陶瓷 有序添加角度 增韧机制
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TiN(Ni) 对 GPS Si_3N_4 复合材料导电性能的影响 被引量:2
19
作者 林广涌 饶平根 +2 位作者 王黎 严松浩 杨以文 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期5-7,10,共4页
本文研究了TiN(Ni)对GPSSi3N4复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si3N4复合材料的电阻率;Ni的加入对降低Si3N4复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于1Ω·cm... 本文研究了TiN(Ni)对GPSSi3N4复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si3N4复合材料的电阻率;Ni的加入对降低Si3N4复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于1Ω·cm的试样进行电火花加工,加工性能良好。 展开更多
关键词 氮化钛 氮化硅 导电性 复合陶瓷 GPS
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长颗粒(柱状晶)Si_3N_4陶瓷的研究及进展 被引量:4
20
作者 尤显卿 斯庭智 +1 位作者 刘宁 许育东 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期359-363,共5页
Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。... Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。在此文中 ,着重介绍了影响Si3 N4陶瓷长颗粒 (柱状晶 )晶粒生成的因素 ,并介绍了国内外对长颗粒Si3 展开更多
关键词 si3N4陶瓷 研究进展 自韧 力学性能 纳米复合 微观设计
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