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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析 被引量:3
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作者 张鹤鸣 戴显英 +3 位作者 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期293-297,共5页
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
关键词 sige异质双极晶体管 时间常数 特征频率 构参数 电流密度 基区扩展效应
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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量:4
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作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA)。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5~20dB,增益平坦度为4-0.25dB;输入、输出匹配良好;线性度为-5- -2dBm;在整个频段内,无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) sige异质双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 被引量:4
3
作者 苏文勇 李蕊 邵彬 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期522-525,共4页
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 展开更多
关键词 sige异质双极晶体管 基区渡越时间 Ge分布
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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究 被引量:1
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作者 戴显英 胡辉勇 +1 位作者 张鹤鸣 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期509-512,共4页
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (Si... 介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。 展开更多
关键词 紫外光化学汽相淀积 超高真空化学汽相淀积 超低压化学汽相淀积 异质 硅锗材料 双极晶体管
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多发射极Si/SiGe异质结晶体管 被引量:1
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作者 邹德恕 袁颖 +7 位作者 史辰 徐晨 杜金玉 陈建新 董欣 王东风 高国 沈光地 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期179-181,共3页
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_... 在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。 展开更多
关键词 si/sige异质结双极晶体管 梳状 双台面工艺 功率晶体管
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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
6
作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 高渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期276-279,304,共5页
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧... 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 展开更多
关键词 sige/si异质双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面 关键工艺
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f_T为135GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 被引量:1
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作者 贾霖 倪学文 +6 位作者 莫邦燹 关旭东 张录 宁宝俊 韩汝琦 李永康 周均铭 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期353-358,共6页
利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击... 利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。 展开更多
关键词 多晶硅发射极技术 分子束外延sige基区 锗硅异质双极晶体管 研制
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SiGe/Si异质结双极晶体管 被引量:3
8
作者 杨亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期10-16,共7页
介绍了SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)的特点、自对准HBT、非自对准HBT的结构以及通过低温热循环、SPOTEL、重硼掺杂等工艺使fT从20GHz增至110GHz的方法。
关键词 HBT 设计 异质 双极晶体管
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究 被引量:12
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作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期43-47,共5页
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管(DHBT)异质结势垒效应(HBE),研究发现,集电结(BC)处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。在低温下HBE... 本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管(DHBT)异质结势垒效应(HBE),研究发现,集电结(BC)处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。在低温下HBE比常温下更严重地退化器件参数;基于以上研究结果,我们指出了减弱HBE的有效方法,本研究结果对设计开发Si/SiGe/SiHBT,尤其对设计开发低温工作的微波功率Si/SiGe/SiHBT是非常重要的。 展开更多
关键词 应变层 势垒 异质 双极晶体管 锗化硅
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SiGe异质结微波功率晶体管 被引量:2
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作者 王哲 亢宝位 +2 位作者 肖波 吴郁 程序 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第4期84-89,共6页
本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。
关键词 sige 异质双极晶体管 微波功率双极晶体管
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 被引量:4
11
作者 张万荣 李志国 +7 位作者 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1132-1134,共3页
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,... 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。 展开更多
关键词 异质双极晶体管 负阻特性 输出特性
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α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制
12
作者 刘光耀 谢孟贤 李宏德 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期664-667,共4页
报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。
关键词 平面工艺 双极晶体管 异质
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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 被引量:1
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作者 金智 程伟 +2 位作者 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-84,共4页
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有... 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 展开更多
关键词 INP 异质双极晶体管 高电流 高频
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InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量:2
14
作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页
InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多
关键词 InP双异质双极晶体管(DHBT) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)
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微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
15
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期132-133,136,共3页
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流... 利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz. 展开更多
关键词 ALGAAS/GAAS 异质 双极晶体管 微空气桥隔离
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
16
作者 黄流兴 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,... 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 电子参数
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
17
作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 展开更多
关键词 GaAsSb/InP 异质双极晶体管 异质双极晶体管 Ⅱ型双异质双极晶体管 微空气桥
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110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法(英文) 被引量:7
18
作者 张傲 张译心 +1 位作者 王博冉 高建军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期688-692,共5页
介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110GH... 介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110GHz频率范围内S参数吻合很好. 展开更多
关键词 等效电路模型 异质双极晶体管 器件建模
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异质结双极晶体管(HBT)热电耦合特性的准二维TLM法数值分析
19
作者 谢志坤 沈进进 陈抗生 《微波学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期207-213,共7页
通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管(HeterojuctionBipolarTransistorHBT)的热电耦合特性。在模型中,器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵(TransmissionLineMatrix.TLM)法求得。计算结果表明... 通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管(HeterojuctionBipolarTransistorHBT)的热电耦合特性。在模型中,器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵(TransmissionLineMatrix.TLM)法求得。计算结果表明该模型能有效、方便地分析器件的热电耦合特性,同时能减少对计算的时间占用和内存空间。 展开更多
关键词 数值分析 TLM法 热电耦合特性 异质双极晶体管
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量:6
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作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 锗硅异质双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
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