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在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法: 1; 作者宋张勇杨治虎 +8 位作者阮芳芳张宏强邵健雄崔莹谢江山高志民邵曹杰卢荣春蔡晓红《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1000-1004,共5页; 在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象。猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析。由于这对重离子-原子碰撞实验中测量... 展开更多; 关键词 si(au)面垒半导体探测器入射窗峰道址; 在线阅读下载PDF 职称材料

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿被引量：4: 2; 作者张志龙傅翠明郝庆国《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,279,共5页; 金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度。; 关键词金硅面垒半导体探测器温度特性补偿; 在线阅读下载PDF 职称材料

金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置被引量：1: 3; 作者张阳金华《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1462-1466,共5页; 讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅... 展开更多; 关键词金硅面垒型半导体探测器电荷灵敏放大器电磁屏蔽双探测器结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法: 4; 作者丁洪林《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期95-96,共2页; 金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带... 展开更多; 关键词表面势金硅面垒探测器半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

厚灵敏层金硅面垒探测器: 5; 作者王柱生李存璠 +1 位作者赵荣璞谭继廉《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期146-149,共4页; 本文介绍了最大耗尽厚度达5mm,最大有效面积为80—153mm^2的厚灵敏层金硅面垒探测器研制工艺,主要用途和测试结果。; 关键词面垒灵敏层探测器半导体单晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法: 1; 作者宋张勇杨治虎阮芳芳张宏强邵健雄崔莹谢江山高志民邵曹杰卢荣春蔡晓红; 机构中国科学院近代物理所兰州大学现代物理系; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1000-1004,共5页; 基金国家自然科学基金(10274088)资助; 文摘在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象。猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析。由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果。; 关键词 si(au)面垒半导体探测器入射窗峰道址; Keywords si（au） surface-barrier semiconductor detector incident window peak-channel.; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿被引量：4: 2; 作者张志龙傅翠明郝庆国; 机构中国辐射防护研究院; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,279,共5页; 文摘金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度。; 关键词金硅面垒半导体探测器温度特性补偿; Keywords gold-doped silicon detector compensation for temperature; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置被引量：1: 3; 作者张阳金华; 机构中国人民公安大学安全防范系; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1462-1466,共5页; 基金中国人民公安大学大学生创新训练计划资助(201010041052); 文摘讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅面探测器结构及专门的电磁屏蔽措施提高装置的灵敏度及抗电磁干扰能力。该专用电荷灵敏放大装置工作稳定可靠,并具有宽响应带宽、高灵敏度及强抗干扰能力。; 关键词金硅面垒型半导体探测器电荷灵敏放大器电磁屏蔽双探测器结构; Keywords gold silicon surface barrier semiconducting detector charge sensitive amplifier electro magneticshielding （EMS） double detector junction; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用] TL821 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法: 4; 作者丁洪林; 机构中国原子能科学研究院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期95-96,共2页; 文摘金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;; 关键词表面势金硅面垒探测器半导体; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名厚灵敏层金硅面垒探测器: 5; 作者王柱生李存璠赵荣璞谭继廉; 机构中国科学院近代物理研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期146-149,共4页; 文摘本文介绍了最大耗尽厚度达5mm,最大有效面积为80—153mm^2的厚灵敏层金硅面垒探测器研制工艺,主要用途和测试结果。; 关键词面垒灵敏层探测器半导体单晶硅; Keywords Surface barrier, Thick sensitive layer, Oxidize,Energy resolution; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法	宋张勇杨治虎阮芳芳张宏强邵健雄崔莹谢江山高志民邵曹杰卢荣春蔡晓红	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿	张志龙傅翠明郝庆国	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置	张阳金华	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法	丁洪林	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	厚灵敏层金硅面垒探测器	王柱生李存璠赵荣璞谭继廉	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料