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多媒体信源的一种合成方法及其相关结构分析: 1; 作者赵尔敦姚毅《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2002年第23期98-99,共2页; 针对当前信源模型不能同时反映实际信源的长短相关特性,提出了一种能同时反映实际信源的长短相关特性的合成生成方法,并进行了相关结构分析。; 关键词多媒体信源合成方法短相关长相关信源模型通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

三阶锁相环的非线性规范电路模型与SPICE分析: 2; 作者燕庆明吴军凯《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期99-105,共7页; 论文首先提出了动态系统的规范电路模型的概念和综合方法。该模型非常适合于用SPICE通用程序对系统作分析和仿真。文中对一个三阶锁相环构造了它的非线性规范电路模型,经由该模型的分析结果表明,这种方法是非常方便的。; 关键词锁相环电路模型高阶受控源; 在线阅读下载PDF 职称材料

非线性装置的谐波分析模型: 3; 作者宁元中《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 2001年第1期103-106,共4页; 提出了一种采用多项式逼近非线性装置稳态特性的谐波分析新模型———时域稳态模型。阐明了建立时域稳态模型的一般数学方法 ,并在此基础上提出了一种工程适用的谐波分析模型———受控源综合模型 ,这类模型适用于电力网络的时域非线性... 展开更多; 关键词非线型装置受控源谐波分析模型时域稳态模型电力网络; 在线阅读下载PDF 职称材料

改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型: 4; 作者李勇杰陈伟伟周郁明《电源学报》 CSCD 2016年第4期28-31,共4页; 在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范... 展开更多; 关键词 SIC MOSFET SPICE模型温控模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多媒体信源的一种合成方法及其相关结构分析: 1; 作者赵尔敦姚毅; 机构华中科技大学电子与信息工程系中南财经政法大学信息学院; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2002年第23期98-99,共2页; 文摘针对当前信源模型不能同时反映实际信源的长短相关特性,提出了一种能同时反映实际信源的长短相关特性的合成生成方法,并进行了相关结构分析。; 关键词多媒体信源合成方法短相关长相关信源模型通信; Keywords short-range dependence,long-range dependence,source model; 分类号 TN91 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三阶锁相环的非线性规范电路模型与SPICE分析: 2; 作者燕庆明吴军凯; 机构西安电子科技大学检测与仪器系; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期99-105,共7页; 文摘论文首先提出了动态系统的规范电路模型的概念和综合方法。该模型非常适合于用SPICE通用程序对系统作分析和仿真。文中对一个三阶锁相环构造了它的非线性规范电路模型,经由该模型的分析结果表明,这种方法是非常方便的。; 关键词锁相环电路模型高阶受控源; Keywords phase-locked loop non-linear canonical circult model high-order dependent source; 分类号 TN911.8 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非线性装置的谐波分析模型: 3; 作者宁元中; 机构四川大学电气信息学院; 出处《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 2001年第1期103-106,共4页; 文摘提出了一种采用多项式逼近非线性装置稳态特性的谐波分析新模型———时域稳态模型。阐明了建立时域稳态模型的一般数学方法 ,并在此基础上提出了一种工程适用的谐波分析模型———受控源综合模型 ,这类模型适用于电力网络的时域非线性稳态分析。; 关键词非线型装置受控源谐波分析模型时域稳态模型电力网络; Keywords nonlinear device dependent source power harmonic model; 分类号 TM711 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型: 4; 作者李勇杰陈伟伟周郁明; 机构安徽工业大学电气与信息工程学院; 出处《电源学报》 CSCD 2016年第4期28-31,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(51177003) 安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805)~~; 文摘在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与现有的模型相比,仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。; 关键词 SIC MOSFET SPICE模型温控模型; Keywords SiC MOSFET Spice model temperture dependent source model; 分类号 TM432 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料