期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
在数字stroop范式中中文数字的物理信息和数字信息之间的ERP时程交互作用(英文)
1
作者 位东涛 余彩云 邱江 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期168-172,共5页
采用事件相关电位(ERP)技术探讨了在数字stroop范式中中文数字的物理信息和数字信息的交互作用电生理基础.结果发现,在任务出现后的250ms左右,在数字大小判断任务和物理大小判断任务中,不一致条件(数字大小与物理大小不一致)比一致条件... 采用事件相关电位(ERP)技术探讨了在数字stroop范式中中文数字的物理信息和数字信息的交互作用电生理基础.结果发现,在任务出现后的250ms左右,在数字大小判断任务和物理大小判断任务中,不一致条件(数字大小与物理大小不一致)比一致条件(数字大小与物理大小一致)诱发的ERP有一个更加负向的偏移(N250);随后,在300~450ms内,在数字大小判断任务和物理大小判断任务中,在大脑头皮顶部诱发明显的P300,且一致7条件比不一致条件诱发的P300更正.因此我们的研究表明中文数字的物理信息和数字信息的冲突主要发生在比较阶段. 展开更多
关键词 数字stroop范式 大小一致效应 事件相关电位
在线阅读 下载PDF
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响 被引量:1
2
作者 谭思昊 李昱东 +1 位作者 徐烨峰 闫江 《东北石油大学学报》 CAS 北大核心 2017年第1期117-122,共6页
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器... 随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制。在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。实验结果表明,25nm厚BOX的FDSOI器件比145nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%,DIBL减小近20%。 展开更多
关键词 FDSOI 超薄埋氧层 仿真研究 短沟道效应 背栅偏压
在线阅读 下载PDF
考虑应力集中效应下钢带缠绕增强复合管爆破性能分析 被引量:3
3
作者 陈伟 唐夏焘 +2 位作者 陈长 陈兴阳 白勇 《压力容器》 北大核心 2020年第9期61-67,共7页
针对带有扣压式接头的钢带缠绕增强复合管在内压爆破试验中出现的爆破点靠近接头的情形,基于薄壁壳理论,提出一种考虑应力集中效应的管道爆破压力计算模型。分析得到管壁的径向位移表达式,指出接头附近的管壁径向位移不连续导致的应力... 针对带有扣压式接头的钢带缠绕增强复合管在内压爆破试验中出现的爆破点靠近接头的情形,基于薄壁壳理论,提出一种考虑应力集中效应的管道爆破压力计算模型。分析得到管壁的径向位移表达式,指出接头附近的管壁径向位移不连续导致的应力集中效应是爆破点靠近接头的主要原因。将2英寸(5.08 cm)4层增强层管道爆破试验、2英寸(5.08 cm)6层增强层管道爆破试验作为算例,分别计算了考虑应力集中效应情形下两种管道的爆破压力,并将计算结果与试验值对比,结果显示二者符合程度良好。通过该模型得到的管道爆破压力可为复合管生产厂家和施工单位评估其爆破压力提供一定参考。 展开更多
关键词 钢带缠绕增强复合管 内压试验 扣压式接头 应力集中效应 薄壁壳理论
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部