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寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响 被引量:4
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作者 林涛 林楠 +2 位作者 马新尖 郑凯 马晓宇 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第3期295-300,共6页
通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提... 通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。 展开更多
关键词 半导体激光器 调制特性 寄生参数 3dB调制带宽
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LD参数连续测试系统研究 被引量:4
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作者 亢俊健 王大成 +4 位作者 姚升武 焦长利 刘鹏鹏 安海忠 苏美开 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期28-29,共2页
本文介绍了一种新型半导体激光二极管 (LD)参数连续测试系统 ,它采用了高精度的数据采集技术、超强的数据处理技术及精密机械定位技术 ,可对LD的P -I和V -I曲线及相关参数进行连续测试、显示、存储、管理和打印 ,测量速度快 ,测量精度高 。
关键词 半导体激光二极管 参数测试 连续测试 光纤通信
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单向瞬态电压抑制二极管的参数提取 被引量:2
3
作者 李勇 谢海燕 +3 位作者 杨志强 夏洪富 宣春 王建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期177-181,共5页
在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段... 在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。 展开更多
关键词 TVS二极管 半导体建模 数值模拟 参数提取
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In-Au复合焊料研究 被引量:2
4
作者 徐会武 牛江丽 +1 位作者 任永晓 王伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期780-782,共3页
大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接。In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低。提出了一种新型焊料——In-Au复合焊料,使用此焊料进行封装,很好地解决了上述问题。... 大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接。In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低。提出了一种新型焊料——In-Au复合焊料,使用此焊料进行封装,很好地解决了上述问题。通过理论分析及实验摸索,确定了In-Au复合焊料蒸发条件,分别利用纯In焊料和In-Au复合焊料封装了一批激光器样品,通过对比这两组样品的焊料浸润性、电光参数、剪切强度等,发现利用In-Au复合焊料封装的样品优于纯In焊料封装的样品。 展开更多
关键词 半导体激光器 攀爬 复合焊料 成品率 电光参数
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高速半导体激光器等效参数的提取 被引量:1
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作者 吴正德 张志军 +1 位作者 樊勇 唐小宏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期70-73,共4页
本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响,制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件,测试了组件的频响特性,由此提取了器件的等效参数,讨论了改善国产器件性能的技术途径。
关键词 半导体激光器 等效参数 参数提取
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大功率窄脉冲半导体激光光源等效电路参数研究 被引量:3
6
作者 辛德胜 张剑家 程勇杰 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1485-1492,共8页
针对大功率窄脉冲激光光源的激光器多管芯组合结构等效电路的参数提取困难的问题,提出了基于外特性测量法来提取激光器多管芯组合结构等效电路参数的简捷方法。其特点是:在不知道半导体激光器的材料及内部结构的情况下,通过对实物电路... 针对大功率窄脉冲激光光源的激光器多管芯组合结构等效电路的参数提取困难的问题,提出了基于外特性测量法来提取激光器多管芯组合结构等效电路参数的简捷方法。其特点是:在不知道半导体激光器的材料及内部结构的情况下,通过对实物电路系统电参数的测量并利用Pspice仿真软件经多次参数拟合来获得半导体激光器等效电路参数。实验结果表明,利用该方法提取的半导体激光器等效电路参数与国外产品给出的等效电路参数相吻合。它为大功率窄脉冲半导体激光器驱动源的设计提供了依据,对多个管芯的组合方式、组合结构设计及装配工艺具有指导意义。在此基础上,设计并制作了半导体激光器板载结构的驱动源电路实验系统,其输出功率为180 W,光脉冲的上升时间为3.2 ns,脉冲的宽度为8.3 ns. 展开更多
关键词 光电子学与激光技术 窄脉冲激光光源 等效电路 参数提取 多个管芯组合
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IGCT驱动关断电路及续流回路参数提取 被引量:1
7
作者 王佳蕊 孔力 +2 位作者 周亚星 李鲁阳 祁晓敏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第18期5420-5426,共7页
集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)关断暂态时,其电流迅速由阴极换向到门极,且IGCT反并联二极管因承受正向偏压而导通,故IGCT关断暂态特性受其门极驱动关断电路及其反并联二极管运行特性影响。基于IGCT关... 集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)关断暂态时,其电流迅速由阴极换向到门极,且IGCT反并联二极管因承受正向偏压而导通,故IGCT关断暂态特性受其门极驱动关断电路及其反并联二极管运行特性影响。基于IGCT关断暂态换流机制及反并联二极管的工作原理,提出IGCT关断暂态时门极换流晶闸管(gate commutated thyristor,GCT)、驱动电路与反并联二极管所构成续流回路的等效电路,详细分析反并联二极管不同工况时等效电路结构及其运行特性的变化。结合IGCT关断暂态其端电压及等效电路各支路电流的实验结果,给出IGCT驱动关断电路及续流回路参数的提取方法。通过不同箝位电压与关断电流时实验结果与理论分析的对比,并考虑参数提取结果的一致性,充分证明等效电路与理论分析的正确性及参数提取方法的有效性。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管 门极驱动关断电路 反并联二极管 等效电路 参数提取
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温度对半导体激光器退化的影响 被引量:6
8
作者 杨鹏 胡业荣 王贵山 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期45-50,共6页
采取等效电路模型仿真和加速退化试验相结合的方法研究温度对半导体激光器不同退化模式的影响规律。针对半导体激光器有源区退化和腔面退化进行分析,发现有源区退化会使半导体激光器阈值电流增大,而腔面退化会使半导体激光器斜率效率减... 采取等效电路模型仿真和加速退化试验相结合的方法研究温度对半导体激光器不同退化模式的影响规律。针对半导体激光器有源区退化和腔面退化进行分析,发现有源区退化会使半导体激光器阈值电流增大,而腔面退化会使半导体激光器斜率效率减小;进行了半导体激光器热特性建模与仿真,发现温度升高会使半导体激光器阈值电流增大;利用半导体激光器加速退化试验平台进行了半导体激光器加速退化试验。仿真与试验结果证明:温度升高会加剧半导体激光器腔面退化,而对有源区退化无显著影响。上述结论对进一步完善半导体激光器温度-退化仿真模型,研究温度对半导体激光器退化的作用机理和防护措施有积极作用。 展开更多
关键词 半导体激光器 退化模式 特征参数 等效电路模型 加速退化试验
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增益非线性参数对半导体激光器调制特性的影响
9
作者 张华 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期108-112,共5页
本文用小信号分析法建立了半导体激光器调制的数学模拟。用这个模型研究了增益与载流子密度的非线性依赖关系对半导体激光器的功率调制。
关键词 半导体激光器 非线性参数 调制特性
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半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取 被引量:8
10
作者 任新根 徐国萍 董天临 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期27-34,共8页
本文提出了一种由半导体激光器(LD)的外特性,如端口电特性和小信号频率响应,确定其大信号等效电路模型参数的新方法。并对一个InGaAsP脊形波导LD和一个隐埋异质结LD进行了参数提取。这种方法,不需要了解LD的内部特... 本文提出了一种由半导体激光器(LD)的外特性,如端口电特性和小信号频率响应,确定其大信号等效电路模型参数的新方法。并对一个InGaAsP脊形波导LD和一个隐埋异质结LD进行了参数提取。这种方法,不需要了解LD的内部特性,分析的结果与已报道的理论、实验值一致。 展开更多
关键词 信号电路 半导体激光器 参数提取
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肖特基二极管毫米波等效电路模型参数提取方法 被引量:1
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作者 黄惠琳 黄静 施佺 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期732-737,共6页
提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流Ⅰ-Ⅴ特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压... 提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流Ⅰ-Ⅴ特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压的变化曲线。在频率高达40 GHz的范围内,截止和导通状态下S参数的模拟与测试数据吻合良好,验证了提取方法的有效性。 展开更多
关键词 肖特基二极管 等效电路模型 参数提取
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半导体激光器速率方程的参数提取(特邀) 被引量:2
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作者 王建坤 黄永光 刘祎慧 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期72-79,共8页
重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激... 重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激光器的光功率-电流(P-I)响应曲线,即可计算出半导体激光器速率方程的各个参数。对比之前的参数提取近似计算方法,本方法适用的激光器驱动电流范围更宽,大电流下谐振频率fr等参数的提取更精确,对宽工作电流工作的激光器如模拟激光器等的优化改进有借鉴意义。 展开更多
关键词 光纤通信 分布反馈激光器 半导体激光器 速率方程 参数提取 谐振频率
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大功率半导体激光调制系统及内部调制特性 被引量:1
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作者 王卫鹏 徐英添 +6 位作者 邹永刚 徐莉 张贺 金亮 李洋 赵鑫 马晓辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期20-26,共7页
从半导体激光直接调制理论出发,对直接调制过程中影响半导体激光器高频调制性能的因素进行了研究;运用PSpice建立半导体激光器等效电路模型,仿真研究了电学寄生参数对半导体激光器调制特性的影响且提出了相应的提高其调制性能的方法。... 从半导体激光直接调制理论出发,对直接调制过程中影响半导体激光器高频调制性能的因素进行了研究;运用PSpice建立半导体激光器等效电路模型,仿真研究了电学寄生参数对半导体激光器调制特性的影响且提出了相应的提高其调制性能的方法。在研究半导体激光器调制特性的基础上,设计了一种半导体激光直接调制系统。运用OrCAD/PSpice对直接调制驱动系统进行仿真。研制的半导体激光调制系统实现了频率为1 MHz、平均功率为1.1 W的调制激光输出。 展开更多
关键词 半导体激光器 调制 PSPICE 寄生参数 等效电路
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探测器扫描法测量激光二极管的远场三维分布
14
作者 刘明明 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期9-10,共2页
改进了探测器扫描法测试半导体激光二极管(1D)光束发散角,采用"逐角扫描组合"结合计算机模拟处理的方式,不仅可以得到LD长短轴方向的光强分布,也可以得到空间光强分布。克服了面阵CCD测量法存在测量成本高、测试速度慢等问题... 改进了探测器扫描法测试半导体激光二极管(1D)光束发散角,采用"逐角扫描组合"结合计算机模拟处理的方式,不仅可以得到LD长短轴方向的光强分布,也可以得到空间光强分布。克服了面阵CCD测量法存在测量成本高、测试速度慢等问题。定量讨论了扫描法与CCD测量法之间的偏差,结果表明对于发散角较大的垂直发散角θ┸上,扫描测试结果需要校正。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 光束质量 探测器扫描 逐角扫描
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