-
题名分布式老炼试验电源监视系统的研制
被引量：1
- 1
-
-
作者
彭浩
李伟
周晓黎
桂明洋
宋瑛
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
国家半导体器件质量监督检验中心
空军装备部驻石家庄地区军事代表室
河北工业职业技术学院环境与化学工程系
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第12期986-991,共6页
-
文摘
针对国内半导体检测机构老炼试验大规模依赖于人工的现状,研制了一种基于TCP/IP网络的分布式半导体器件老炼试验电源监视系统,介绍了系统结构和功能的设计方案,详细说明了具体实现方式和关键技术,包括多类型电源通信兼容性、接口转换与电磁隔离、通信速率优化和属性化任务管理等相关实现方案。该电源监视系统提高了半导体器件老炼试验的信息化水平,在降低成本的同时显著提升了试验质量,通过该系统可以监测器件正常老化、电源功能异常和夹具状态异常等试验过程数据,为设备维护和夹具设计提供了依据。该分布式老炼试验电源监视系统已应用于某半导体检测机构的可靠性试验系统中。
-
关键词
半导体器件
可靠性试验
老炼试验
分布式系统
网络技术
信息化系统
-
Keywords
semiconductor device
reliability test
burn-in test
distributed system
network technique
information system
-
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名提高半导体激光器可靠性的研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
李明亮
王祖朝
王广祥
朱月红
-
机构
中国地质大学(北京)信息工程学院
石家庄经济学院
石家庄经济学院
-
出处
《科学技术与工程》
2006年第16期2545-2547,共3页
-
基金
河北省科技厅项目(03213534)资助
-
文摘
半导体激光器广泛应用于高新技术领域,其可靠性是应用系统可靠性的关键。通过研究半导体激光器的可靠性及其规律,采用电导测试技术评价半导体激光器质量和可靠性,并在器件制造、器件筛选和器件使用三个环节提出新的提高半导体激光器可靠性的措施。
-
关键词
半导体激光器
可靠性
器件筛选
电导测试技术
-
Keywords
semiconductor LD reliability device screening conductivity test
-
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名金属化布线晶片级测试系统
- 3
-
-
作者
孙英华
郭伟玲
程尧海
孙喆
李志国
张万荣
-
机构
北京工业大学电子工程系半导体器件可靠性物理研究室
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期58-60,共3页
-
文摘
晶片级测试方法是半导体器件（ＶＬＳＩ）金属化可靠性试验中的一种新方法，本研究在现有设备的基础上进行了一系列的设计和改进，建立了一套由微机控制的晶片级金属化电徙动测试系统，为金属化可靠性测试和在线监测的研究奠定了良好的基础。
-
关键词
半导体器件
可靠性
晶片级测试
-
Keywords
semiconductor devices reliability wafer level test
-
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名圆片级封装的板级跌落可靠性研究
被引量：1
- 4
-
-
作者
叶晓通
陈栋
张黎
李越生
肖斐
-
机构
复旦大学材料科学系
江阴长电先进封装有限公司
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期804-809,共6页
-
基金
国家科技重大专项资助(2009ZX02038
2011ZX02602)
-
文摘
圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距、焊球尺寸、PCB焊盘工艺等因素对样品可靠性的影响。对失效样品进行了切片制样,通过金相显微镜、能量色散X射线光谱(EDX)和扫描电子显微镜进行了分析,研究了WLP器件失效机理及其与器件焊球尺寸、节距之间的关系,讨论了底部填充料对WLP封装可靠性的改进作用。
-
关键词
圆片级封装
板级可靠性
跌落实验
失效分析
金属间化合物
-
Keywords
wafer level package（WLP）
board level reliability
drop test
failure analysis
intermetallic compound（IMC）
-
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名功率器件可靠性试验样本数量确定理论及影响
被引量：3
- 5
-
-
作者
王作艺
王延浩
邓二平
牛皓
杨少华
黄永章
-
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
合肥工业大学电气与自动化工程学院
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期722-728,共7页
-
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(52007061)。
-
文摘
在功率器件的可靠性试验、评估和验证中,样本数量的大小决定着试验结果的准确性。然而,在不同的标准中,对于相同试验,样本数量的选择却不尽相同,给实际应用带来了困难。通过研究各类标准中的试验内容,将样本数量的选择分为探究型试验和验收型试验两类,分析、解释了选择不同样本数量的理由。对样本数量计算公式进行了分析,并将公式中的变量与标准规定指标联系起来。结果表明,批允许不合格率(LTPD)和置信度会影响样本数量。因此,在满足标准规定指标的前提下,可以根据实际需求适当调整试验样本数量,为器件可靠性试验评估提供有效的手段。
-
关键词
可靠性试验
样本数量
功率器件
批允许不合格率(LTPD)
置信度
-
Keywords
reliability test
sample size
power device
lot tolerance percent defective(LTPD)
confidence level
-
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名MEMS电场传感器测试技术研究及进展
被引量：5
- 6
-
-
作者
雷煜卿
焦飞
张树华
彭国政
-
机构
中国电力科学研究院有限公司
-
出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期57-63,共7页
-
基金
中国电力科学研究院有限公司长线项目(AI83-20-006)。
-
文摘
传感器测试技术对于MEMS电场传感器的研制、试产与测量应用非常重要。文中在MEMS电场传感器研发基础上分析了晶圆级测试、器件级测试、测量标定等技术及发展现状,首先介绍MEMS电场传感器原理、结构设计和传感器件的制备工艺等特点。然后重点阐述现阶段研制MEMS电场传感器的晶圆级测试内容与测试方法、器件级测试内容和测量标定系统。最后分析了国内外MEMS电场传感器测试技术的局限性和发展趋势。在此基础上指出随着国内MEMS电场传感器深入应用,MEMS传感器件测试技术将会迎来快速发展期。
-
关键词
MEMS传感器
电场传感器
晶圆级测试
器件级测试
电场标定
-
Keywords
MEMS sensor
electric field sensor
wafer level test
device level test
electric field calibration
-
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
-
题名硅片级可靠性测试
被引量：1
- 7
-
-
作者
赵毅
徐向明
-
机构
上海华虹NEC电子有限公司
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期5-7,28,共4页
-
文摘
介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时,对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后,对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。
-
关键词
硅片
半导体工艺
可靠性测试
测试
研发
项目
-
Keywords
wafer level
reliability
test
-
分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TP311
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
-
-
题名晶圆级导通电阻测试精度的改进方法
- 8
-
-
作者
方绍明
李照华
-
机构
深圳市明微电子股份有限公司
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第1期75-80,共6页
-
文摘
针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测试精度的改进方法。基于开尔文法电阻测试理论,具体分析了晶圆级导通电阻测试原理,且得出其测试精度不高的根本原因是减薄背金后粗糙不平的硅片背面与测试机的承片台的非充分接触而引入了毫欧级接触电阻。提出3种相应改进测试精度的方法,单相邻芯片辅助的测试方法、双相邻芯片辅助的测试方法和正面漏极测试窗的测试方法。经过验证,3种方法均能将毫欧级导通电阻测试误差控制到小于10%,实现低压MOSFET晶圆级导通电阻参数的有效监测。
-
关键词
晶圆级
测试精度
导通电阻
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
接触电阻
-
Keywords
wafer level
test accuracy
on-resistance
metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET)
contact resistance
-
分类号
TN307
[电子电信—物理电子学]
-
