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半导体制冷器的进展
被引量:
24
1
作者
宣向春
王维扬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期14-18,共5页
半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前300K室温下优值系数Z最高的半导体制冷材料是p型Ag0.58Cu0.29Ti0.94Te四元合金,200~300K普冷范围内三元Bi2Te3-Sb2...
半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前300K室温下优值系数Z最高的半导体制冷材料是p型Ag0.58Cu0.29Ti0.94Te四元合金,200~300K普冷范围内三元Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3固溶体合金仍然应用最广且性能优良,而20~200K低温下则是Bi-Sb合金热电性能最好。电臂材料是决定半导体制冷器性能的主要因素,但通过改进电臂结构,设计特殊的电臂联接方式,同样能显著提高半导体制冷器的性能,同轴环臂温差电对和“无限级联”温差电对,已被试验证明可明显提高最大制冷温差。利用高温超导(HTSC)材料代替p型半导体材料制成被动式p型臂,将为低温半导体制冷器开辟一条新的道路。
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关键词
半导体制冷器
优值系数
温差电对
半导体材料
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职称材料
微型热电器件研究进展
被引量:
4
2
作者
刘向阳
任山
闻立时
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期5-9,共5页
历经了30年的低谷期后,伴随着新型热电材料的出现及增大材料优值系数ZT新思路的提出,热电材料和器件这一研究领域开始了复兴。由于自身的诸多优点,微型热电器件已成为该领域的研究热点。作为新型的热电器件,微型热电器件在发电、制冷和...
历经了30年的低谷期后,伴随着新型热电材料的出现及增大材料优值系数ZT新思路的提出,热电材料和器件这一研究领域开始了复兴。由于自身的诸多优点,微型热电器件已成为该领域的研究热点。作为新型的热电器件,微型热电器件在发电、制冷和传感器等领域获得了重要应用。综述了微型热电器件在应用、结构和制备技术方面的研究进展。
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关键词
热电制冷器件
热电发电器件
优值系数
微型热电器件
薄膜热电器件
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职称材料
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
3
作者
刘振茂
赵秀平
+2 位作者
李志伟
张国威
权五云
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期73-76,共4页
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度,其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高,超过原始棒状材料的拉伸强度,它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统.
关键词
金属化层
粘接强度
半导体
致冷材料
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职称材料
题名
半导体制冷器的进展
被引量:
24
1
作者
宣向春
王维扬
机构
中国科学院上海技术物理所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期14-18,共5页
文摘
半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前300K室温下优值系数Z最高的半导体制冷材料是p型Ag0.58Cu0.29Ti0.94Te四元合金,200~300K普冷范围内三元Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3固溶体合金仍然应用最广且性能优良,而20~200K低温下则是Bi-Sb合金热电性能最好。电臂材料是决定半导体制冷器性能的主要因素,但通过改进电臂结构,设计特殊的电臂联接方式,同样能显著提高半导体制冷器的性能,同轴环臂温差电对和“无限级联”温差电对,已被试验证明可明显提高最大制冷温差。利用高温超导(HTSC)材料代替p型半导体材料制成被动式p型臂,将为低温半导体制冷器开辟一条新的道路。
关键词
半导体制冷器
优值系数
温差电对
半导体材料
Keywords
semiconductor cooling figure of merit thermoelectric couple
分类号
TB651 [一般工业技术—制冷工程]
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微型热电器件研究进展
被引量:
4
2
作者
刘向阳
任山
闻立时
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室纳米技术研究中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期5-9,共5页
基金
教育部回国留学人员基金
广东省科技项目(30100-4202359)
广州市纳米技术专项基金(01-Z-12401)
文摘
历经了30年的低谷期后,伴随着新型热电材料的出现及增大材料优值系数ZT新思路的提出,热电材料和器件这一研究领域开始了复兴。由于自身的诸多优点,微型热电器件已成为该领域的研究热点。作为新型的热电器件,微型热电器件在发电、制冷和传感器等领域获得了重要应用。综述了微型热电器件在应用、结构和制备技术方面的研究进展。
关键词
热电制冷器件
热电发电器件
优值系数
微型热电器件
薄膜热电器件
Keywords
thermoelectric
cooling
device,
thermoelectric
generator,
figure
of
merit
, micro
thermoelectric
device, thin film
thermoelectric
device
分类号
TN303.30 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
3
作者
刘振茂
赵秀平
李志伟
张国威
权五云
机构
哈尔滨工业大学微电子技术教研室
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期73-76,共4页
文摘
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度,其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高,超过原始棒状材料的拉伸强度,它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统.
关键词
金属化层
粘接强度
半导体
致冷材料
Keywords
thermoelectric
cooling
couple
metallization
metallized layer adhesive strengthLiu Zhemao, born in 1935,graduatued from the Department
of
semiconductor
Physies
of
JiLin University in 1961.Hie resesch interest include
semiconductor
devices and their reliab
分类号
TB64 [一般工业技术—制冷工程]
TG49 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体制冷器的进展
宣向春
王维扬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
24
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职称材料
2
微型热电器件研究进展
刘向阳
任山
闻立时
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
在线阅读
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职称材料
3
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
刘振茂
赵秀平
李志伟
张国威
权五云
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
已选择
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