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SeN^n(n=0,+1,+2,-1)基态及SeN低激发态a(~4Π_i)、A^2Π势能函数与稳定性研究 被引量:1
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作者 刘信平 张弛 田大厅 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2008年第1期81-85,共5页
采用6-311++G**基组、B3LYP方法对SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6-311++G**含时方法对SeN分子低激发态a(4Πi)、A2Π进行了计算,得到SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态a(4Πi)、A2... 采用6-311++G**基组、B3LYP方法对SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6-311++G**含时方法对SeN分子低激发态a(4Πi)、A2Π进行了计算,得到SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态a(4Πi)、A2Π的平衡几何结构、电子状态、谐振频率、偶极矩、离解能De等相关性质,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数(Be、eα、ωe、和ωeχe)和力学性质.理论计算值与相关文献值吻合较好,说明用B3LYP(TDB3LYP)/6-311++G**方法计算SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态微观结构性质是可行的.计算结果表明SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态是可稳定存在的,其稳定性次序为SeN->SeN>SeN+>SeN2+. 展开更多
关键词 Sen^n(n=0 %PlUS%1 %PlUS%2 1) 基态 激发态 势能函数 稳定性
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网格图的多重2-分离L(2,1)-标号
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作者 张璞 林文松 《科学技术与工程》 2011年第23期5620-5624,共5页
研究了两种网格图;正三角形,正六边形网格图。研究了它们的n重2-分离L(2,1)-标号以及n重2-分离L(2,1)-圆标号。用Kn表示n个点的完全图,图G的n重2-分离L(2,1)-标号就是复合图G[Kn]的L(2,1)-标号。通过对两种网格图的顶点循环地分配标号集... 研究了两种网格图;正三角形,正六边形网格图。研究了它们的n重2-分离L(2,1)-标号以及n重2-分离L(2,1)-圆标号。用Kn表示n个点的完全图,图G的n重2-分离L(2,1)-标号就是复合图G[Kn]的L(2,1)-标号。通过对两种网格图的顶点循环地分配标号集,得到了正三角形网格的n重2-分离L(2,1)-标号数取值范围,并且完全确定了正六边形网格的n重2-分离L(2,1)-标号数。 展开更多
关键词 网格图 复合图 n2-分离l(2 1)-标号
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基于导向插合的毛刷电接触对结构改进设计 被引量:1
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作者 梁云忠 金波 乔玉鹏 《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2016年第3期212-216,共5页
针对现有毛刷电接触对插合过程中随机插合现象导致的插拔力和接触电阻范围过大、可控性较差的现状,提出基于导向插合的毛刷电接触结构改进方案.改进结构包括单针簇导向结构、对接端面导向结构及插针螺旋校直结构.对改进前、后的毛刷电... 针对现有毛刷电接触对插合过程中随机插合现象导致的插拔力和接触电阻范围过大、可控性较差的现状,提出基于导向插合的毛刷电接触结构改进方案.改进结构包括单针簇导向结构、对接端面导向结构及插针螺旋校直结构.对改进前、后的毛刷电接触对进行2mm插拔深度的插拔力试验及接触电阻试验,结果表明:基于导向插合的毛刷电接触结构改进优化了毛刷电接触对插拔力、接触电阻范围,结构改进前、后的单对毛刷接触对多次插拔力方差值分别为0.39,0.003,结构改进前、后的单对毛刷接触对多次接触电阻方差值分别为0.41,0.008.基于导向插合的毛刷电接触对结构改进设计对改善毛刷电接触性能以及其参数设计提供了参考. 展开更多
关键词 毛刷电接触 导向插合 单针簇导向 插针螺旋校直 电连接器
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关于铜及其化合物的几个问题
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作者 晨旭 《化学教学》 CAS 北大核心 1992年第1期38-40,共3页
关键词 关于铜及其化合物的几个问题 一、铜为何显%PlUS%1和%PlUS%2 有时还显%PlUS%3价 铜的特征电子构型是3d104s1 3d轨道和4s轨道有近似能级 从下面计算可以证实: 轨道能级的计算公式是E=n%PlUS%0.4l n为电了层数 各亚层l值按s、p、d、f依次取0、1、2、3.
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