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Si(100) 表面 STM 电子束光刻技术的研究
1
作者
范细秋
徐龙
张鸿海
《制造技术与机床》
CSCD
北大核心
1999年第8期32-34,共3页
论述了 Ｓ Ｔ Ｍ 电子束光刻技术的 机理与特点。利用 Ｈ Ｚ Ｎ Ａ Ｎ Ｏ—Ⅳ型 Ｓ Ｔ Ｍ 进 行了 Ｓｉ（ １００ ） 表 面光刻试验，详细探索了试验原理、方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度＜ １００...
论述了 Ｓ Ｔ Ｍ 电子束光刻技术的 机理与特点。利用 Ｈ Ｚ Ｎ Ａ Ｎ Ｏ—Ⅳ型 Ｓ Ｔ Ｍ 进 行了 Ｓｉ（ １００ ） 表 面光刻试验，详细探索了试验原理、方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度＜ １００ｎ ｍ 、宽度＜ ２５ ｎ ｍ
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关键词
扫描隧道显微镜
宽范围
硅
电子束光刻
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职称材料
一种高效率的原子操纵方法
2
作者
刘宁
杨海强
+3 位作者
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第6期784-786,共3页
我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化学相互作用成为针尖和样品之间的...
我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用；而当偏压大于０．８Ｖ时，场蒸发的影响则成为一个关键因素。
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关键词
扫描隧道显微镜
原子操纵
硅
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职称材料
题名
Si(100) 表面 STM 电子束光刻技术的研究
1
作者
范细秋
徐龙
张鸿海
机构
南阳理工学院
华中理工大学
出处
《制造技术与机床》
CSCD
北大核心
1999年第8期32-34,共3页
基金
国家自然科学基金资助
文摘
论述了 Ｓ Ｔ Ｍ 电子束光刻技术的 机理与特点。利用 Ｈ Ｚ Ｎ Ａ Ｎ Ｏ—Ⅳ型 Ｓ Ｔ Ｍ 进 行了 Ｓｉ（ １００ ） 表 面光刻试验，详细探索了试验原理、方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度＜ １００ｎ ｍ 、宽度＜ ２５ ｎ ｍ
关键词
扫描隧道显微镜
宽范围
硅
电子束光刻
Keywords
scanning
tunneling
microscope
(
stm
),
wide range
,
lithography technology
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种高效率的原子操纵方法
2
作者
刘宁
杨海强
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
机构
中国科学院北京真空物理实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第6期784-786,共3页
文摘
我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用；而当偏压大于０．８Ｖ时，场蒸发的影响则成为一个关键因素。
关键词
扫描隧道显微镜
原子操纵
硅
Keywords
scanning
tunneling
microscope
,,atomic manipulation,,Si(111)7×7 reconstructionNano
lithography
by Field Evaporation of Au Tip in The Configuration of
stm
in Atmosphere$$$$Li Zhiyang,Liu Wu,Huang Guangming,Zhang Aidong,Li Xingjiao*(Department of Physics,Huazhong Normal University,Wuhan 430070) (WT5”BZ〗(*Department of Solid Electronics,Huazhong University of Science and
technology
,Wuhan 430074)) Abstract Atom mounds were formed by appling 4V,300ns voltage pulses on Au tip in
scanning
tunneling
microscope
(
stm
) in atomsphere.Each mound measures about 30 nm in diameter and 1 2 nm in height.With the aid of this,we succeed in writing nanometer scale characters.There exists a narrow threshold field and we refer it a field evaporation process.Both positive and negative ions could be field evaporated.The re examination of charge exchange model for the field evaporation in
stm
and experiments on other metals will be published elsewhere. Keywords
stm
,,field evaporation,,nano
lithography
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
TH－39 [机械工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si(100) 表面 STM 电子束光刻技术的研究
范细秋
徐龙
张鸿海
《制造技术与机床》
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
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职称材料
2
一种高效率的原子操纵方法
刘宁
杨海强
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997
0
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