介绍一种新型静态存储器———QDR(Quad Data Rate)SRAM的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序。参考实际QDR存储器内部组成,利用FPGA实现存储器控制器的设计实现。旨在通过FPGA的快速、灵活、容易修改的特点,设计并实现在高...介绍一种新型静态存储器———QDR(Quad Data Rate)SRAM的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序。参考实际QDR存储器内部组成,利用FPGA实现存储器控制器的设计实现。旨在通过FPGA的快速、灵活、容易修改的特点,设计并实现在高速数据通信系统中,QDR静态存储器用于处理器和接口连接的外设之间的数据交换。着重分析QDR控制器的读/写操作状态机。展开更多
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验...为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 Me V·cm2·mg-1提升至大于45 Me V·cm2·mg-1,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 Me V·cm2·mg-1,抗单粒子锁定阈值大于99.8 Me V·cm2·mg-1,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。展开更多
文摘介绍一种新型静态存储器———QDR(Quad Data Rate)SRAM的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序。参考实际QDR存储器内部组成,利用FPGA实现存储器控制器的设计实现。旨在通过FPGA的快速、灵活、容易修改的特点,设计并实现在高速数据通信系统中,QDR静态存储器用于处理器和接口连接的外设之间的数据交换。着重分析QDR控制器的读/写操作状态机。
文摘为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 Me V·cm2·mg-1提升至大于45 Me V·cm2·mg-1,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 Me V·cm2·mg-1,抗单粒子锁定阈值大于99.8 Me V·cm2·mg-1,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。
