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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
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作者 柏娜 李钢 +1 位作者 许耀华 王翊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第3期850-858,共9页
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个... 随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T,LWS14T,SAR14T,RSP14T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%,54.9%,58.9%,0.7%,59.1%和107.4%。相比于SARP12T,RH12T,SAR14T,RSP14T,S8N8P16T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%,31.4%,90.3%,8.9%,71.5%,90.4%和90.3%。相较于SAR14T,RSP14T和EDP12T,MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%,33.9%和25.7%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器
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静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 被引量:12
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作者 贺朝会 杨海亮 +4 位作者 耿斌 陈晓华 李国政 刘恩科 罗晋生 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期253-257,共5页
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准... 描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能 ,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为 1 0 - 1 4 cm2 / bit量级 ,随质子能量的增大略有增大。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 质子 单粒子效应 束流测量
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静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究 被引量:9
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作者 贺朝会 耿斌 +9 位作者 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期155-157,142,共4页
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随... 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究
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基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展 被引量:2
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作者 蔺智挺 徐田 +6 位作者 童忠瑱 吴秀龙 汪方铭 彭春雨 卢文娟 赵强 陈军宁 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第11期4041-4057,共17页
随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于... 随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 存内计算 人工智能 卷积神经网络 模数转换器
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静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制
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作者 陈瑞 杨忱 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1209-1211,1245,共4页
由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在... 由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在不同的辐射实验源上对SRAM进行辐射效应实验研究,获得了预期的实验数据。为星载计算机系统存储器的运行寿命评估及加固设计提供重要参考依据。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 辐射效应 单粒子翻转 单粒子锁定 测试系统
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最小静态随机存取存储器元件研制成功
6
《世界电子元器件》 2009年第1期10-10,共1页
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
关键词 静态随机存取存储器 元件 日本东芝公司 AMD公司 sram IBM 晶体管
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静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量:5
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作者 郭红霞 陈雨生 +2 位作者 周辉 贺朝会 李永宏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第6期508-512,共5页
采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LE... 采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。 展开更多
关键词 静态随机存储器 单粒子翻转 SEU sram 电荷漏斗模型 加速器
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宇航用静态随机存储器验证方法研究与应用 被引量:2
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作者 肖爱斌 王斐尧 +3 位作者 王文炎 隽扬 张雷浩 张皓源 《电子与封装》 2015年第5期14-20,共7页
在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC... 在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 静态随机存储器sram 错误检测与纠正EDAC 功能验证 MARCH算法
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静态随机存储器在轨自检算法 被引量:1
9
作者 吴洋 王羿 +3 位作者 于新宇 许智龙 任放 黄缙 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1233-1240,共8页
静态随机存储器(SRAM)在轨自检应用于星载电子设备上电初始化过程中,能够在电子设备开始工作前发现存储器的故障单元,为评估电子设备健康状态提供依据。分析了SRAM的结构和常见的故障原理,针对在轨应用这一特殊背景开展研究,提出了对典... 静态随机存储器(SRAM)在轨自检应用于星载电子设备上电初始化过程中,能够在电子设备开始工作前发现存储器的故障单元,为评估电子设备健康状态提供依据。分析了SRAM的结构和常见的故障原理,针对在轨应用这一特殊背景开展研究,提出了对典型测试算法的改进方案。在完成对改进方案的分析和评价后,以8 K×8 bit存储器为例开展算法的实现,并验证了改进方案的可行性。与典型测试算法相比,所提改进方案具有资源开销少、故障覆盖率高等优点。 展开更多
关键词 静态随机存储器(sram) 在轨自检 MARCH算法 集成电路测试 航天产品
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非易失性静态随机存储器研究进展
10
作者 冯平 尹家宇 +4 位作者 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期1-8,18,共9页
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在... 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。 展开更多
关键词 非易失性 静态随机存储器(sram) 恢复率 漏电流 功耗
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台积电成功试产32nm静态随机存储器并通过功能验证
11
《中国集成电路》 2008年第1期2-2,共1页
据报道,台积电1113在美国华盛顿特区举行的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文,宣布开发出同时支持模拟及数字集成电路的32nm制程技术,并成功试产出32nm 2Mb SRAM,且已通过功能试验。
关键词 静态随机存储器 台积电 功能验证 试产 数字集成电路 电子组件 制程技术 sram
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新型低电压SRAM读写辅助电路设计
12
作者 刘勇 彭春雨 《中国集成电路》 2025年第1期54-58,64,共6页
随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写... 随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写入能力和加快位线放电速度。此电路通过在写入期间将字线电压先升至欠驱电压后升至过驱电压,以在确保稳定性的同时加强写能力;在读取时,轻微提高字线电压至高于VDD电压,从而加快位线放电速度,增大两条位线电压差值,从而提高SRAM的可靠性。仿真结果表明,提出的结构可以将最小工作电压降低至0.4V,相比未使用辅助电路的结构写能力提升一倍以上,字线打开相同的一段时间,两条位线电压差值可以增加40%以上。相比于传统结构在各自最小电压下功耗可降低20%以上,而相比于在标准电压下的传统结构,功耗可降低70%以上,且只增大3%的面积。 展开更多
关键词 低电压 低功耗 静态随机存取存储器(sram) 读写辅助电路
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基于V93000系统的高速QDR SRAM存储器测试方法 被引量:3
13
作者 王征宇 马锡春 《电子质量》 2019年第12期12-17,共6页
为满足当今的高速网络中高带宽、高密度存储器要求,四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR SRAM)广泛应用于路由器、交换机、集成器、网络卡等互联网设备中。QDR SRAM在双倍数据速率存储器(DDR)的基础上,具有独立的数据输入端口和数据输... 为满足当今的高速网络中高带宽、高密度存储器要求,四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR SRAM)广泛应用于路由器、交换机、集成器、网络卡等互联网设备中。QDR SRAM在双倍数据速率存储器(DDR)的基础上,具有独立的数据输入端口和数据输出端口,在脉冲信号的上升沿和下降沿都可以处理数据资料,读写控制、读写地址分离,与DDR相比操作起来更简便。但同时QDR因其数据传输速率高、存储容量较大,使得如何对其性能进行精确评价成为存储器类器件测试的一个亟待解决的难题。文中以GSI公司的GS81302D37GE-300I型芯片为例,介绍了一种基于爱德万公司V93000测试系统进行高速QDR SRAM电路测试的方法,依托V93000测试系统的可编程阻抗匹配特性及存储器专用测试软件包等对其性能进行高效、准确地评价,以满足高速QDR SRAM各项指标的评估要求。 展开更多
关键词 四倍数据速率静态随机存取存储器 附加存储器测试 测试向量
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Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器
14
《电子产品世界》 2005年第08B期32-32,共1页
Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步... Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器(Standard asynchronous SRAM)。同时,该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。 展开更多
关键词 铁电存储器 1兆位 sram 可替代 静态随机存储器 操作电压 远程信息处理 尺寸封装 数据系统
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代替Flash和SRAM的铁电存储器
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作者 盛水源 《中国集成电路》 2003年第47期75-76,共2页
到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池... 到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池仍正常工作,多年存储后也不会消失,并具有高运行速度和高存储容量的特点。与借助电容以电荷形式存储数据的一般存储器芯片相反,FRAM 展开更多
关键词 F1ASH sram 铁电存储器 闪存 FRAM 铁电随机存取存储器
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可替代SRAM的1兆位铁电存储器
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《国外电子元器件》 2005年第8期79-79,共1页
Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201.08该存储器的工作电压为3Y,采用32引脚TSOP封装,FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器,可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态... Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201.08该存储器的工作电压为3Y,采用32引脚TSOP封装,FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器,可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的(SRAM)。同时.这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统,如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。 展开更多
关键词 1兆位铁电存储器 sram 静态随机存储器 数据存储 Ramtron国际公司
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Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)
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《电子与电脑》 2005年第7期49-49,共1页
关键词 铁电存储器 sram 1兆位 可替代 静态随机存储器 发布 远程信息处理 small 非易失性 操作电压 读写操作 数据系统 工业应用 供应商 型号 机顶盒 异步 丢失
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nvSRAM:存储器
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《世界电子元器件》 2011年第5期33-33,共1页
赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),该存储器具有I^2C和SPI接口,可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(12C器件)。同时,用户还可以选择集成实时... 赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),该存储器具有I^2C和SPI接口,可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(12C器件)。同时,用户还可以选择集成实时时钟(RTC),用于给重要的数据打上时间标记,以便备份。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 NVsram 赛普拉斯半导体公司 SPI接口 非易失性 I^2C 汽车应用 工作频率
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SRAM型FPGA的静态与动态单粒子效应试验 被引量:6
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作者 王忠明 姚志斌 +1 位作者 郭红霞 吕敏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1506-1510,共5页
静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在空间电子设备中取得了广泛的应用。但它内部大量的SRAM型存储单元极易发生单粒子软错误,特别是配置存储器中的单粒子翻转,有可能改变整个电路的结构,给其空间应用带来严重的可靠性... 静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在空间电子设备中取得了广泛的应用。但它内部大量的SRAM型存储单元极易发生单粒子软错误,特别是配置存储器中的单粒子翻转,有可能改变整个电路的结构,给其空间应用带来严重的可靠性问题。因此,有必要开展地面加速器模拟试验以评价该器件对单粒子效应的敏感程度,且对系统在空间中的失效行为进行预估。本工作在重离子加速器上对Xilinx的Virtex系列FPGA进行了单粒子效应试验,取得了典型器件的静态单粒子翻转截面曲线。针对3个测试电路进行的动态测试表明,系统的失效率远低于内部存储器发生翻转的频率,也不能简单地用资源占用率来进行估计。 展开更多
关键词 单粒子效应 单粒子翻转 现场可编程门阵列 静态随机存取存储器
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阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响 被引量:1
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作者 李文宏 章倩苓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期300-304,共5页
采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,... 采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM 展开更多
关键词 阈值电压 sram SNM 超深亚微米 静态随机存储器 静态噪声容限
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