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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.S... 采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 展开更多
关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 PZT铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法
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铁电薄膜的制备及应用技术研究 被引量:2
2
作者 刘梅冬 曾亦可 +3 位作者 李楚容 饶韫华 王培英 邓传益 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期47-49,共3页
研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线... 研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。 展开更多
关键词 铁电薄膜 sol-gel技术 红外传感器 制备 应用
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超微粒子制备技术在功能包装材料制造中的应用研究 被引量:1
3
作者 向贤伟 陈新 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期164-166,共3页
研究了超微粒子制备技术在功能包装中的应用 ,特别是与超微粒子气相沉积技术 ,CVD合成技术 ,PVD技术以及SOL -GEL技术等结合在各种功能包装材料中的应用方法及前景。
关键词 超微粒子制备技术 功能包装材料 超微粒子气相沉积技术 CVD合成技术 PVD技术 sol-gel技术 sol-gel技术 反应特性
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氧化锌薄膜溶胶-凝胶分析 被引量:9
4
作者 吕敏峰 崔作林 张志焜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期433-435,共3页
 应用sol gel技术,在普通载玻片上制备出透明的ZnO薄膜。由于醋酸锌前驱体在醇中的溶解度小,因此制备过程中,选用了质子化能很强的物质(如乙醇胺)改变了其在醇中的溶解度。本文还通过热分析、红外光谱等手段分析了不同温度下ZnO的sol ...  应用sol gel技术,在普通载玻片上制备出透明的ZnO薄膜。由于醋酸锌前驱体在醇中的溶解度小,因此制备过程中,选用了质子化能很强的物质(如乙醇胺)改变了其在醇中的溶解度。本文还通过热分析、红外光谱等手段分析了不同温度下ZnO的sol gel热分解过程,并应用AFM、X射线衍射和UV Vis吸收光谱对sol gel路线制得的薄膜进行表征。实验结果表明:二水醋酸锌 单乙醇胺 异丙醇体系sol gel的热分解过程与纯二水醋酸锌过程的分解大相径庭。ZnO薄膜的sol gel的分解趋于一步完成。预处理温度对ZnO薄膜的性能有显著影响。只有通过控制试验条件,才能保证ZnO薄膜的透光率。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 sol-gel技术 热分析 红外光谱 热分解 AFM XRD
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Ce、V共掺杂BiFeO_3多铁薄膜及其电性能研究 被引量:4
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作者 袁娜 刘军 +2 位作者 刘文秋 李美亚 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期421-424,共4页
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜。结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小。介... 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜。结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小。介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小。铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV 0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能。 展开更多
关键词 BIFEO3 sol-gel技术 离子掺杂 铁电性能 漏电流
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