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新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究 被引量:2
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作者 何波 马忠权 +8 位作者 赵磊 张楠生 李凤 沈玲 沈成 周呈悦 于征汕 吕鹏 殷宴庭 《光电子技术》 CAS 北大核心 2009年第4期217-225,共9页
在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外... 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。 展开更多
关键词 氧化铟锡 sinp硅光电池 C—V/I—V特性 光谱响应 响应率
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