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SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
1
作者
奚雪梅
李映雪
+2 位作者
赵清太
王阳元
林成鲁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期52-55,84,共5页
本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ...
本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷的原因之一；形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。
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关键词
simox
制备
注入剂量
优化
埋氧化层微结构
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职称材料
题名
SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
1
作者
奚雪梅
李映雪
赵清太
王阳元
林成鲁
机构
北京大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期52-55,84,共5页
文摘
本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷的原因之一；形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。
关键词
simox
制备
注入剂量
优化
埋氧化层微结构
Keywords
simox fabrication
,
dose optimization
,
microstructure of simox layers
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
奚雪梅
李映雪
赵清太
王阳元
林成鲁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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职称材料
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参考文献
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