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SILAR法制备无机化合物薄膜 被引量:8
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作者 靳正国 刘晓新 +1 位作者 步绍静 程志捷 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第3期66-68,共3页
介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺—SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。
关键词 制备 无机化合物薄膜 生长机理 silar 连续离子层吸附反应法 工艺参数
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SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜 被引量:8
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作者 石勇 靳正国 +2 位作者 李春艳 安贺松 邱继军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1286-1290,共5页
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1 ̄1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SE... 在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1 ̄1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2+/cIn3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。 展开更多
关键词 铜铟硫薄膜 连续离子层吸附反应法 化学计量
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热处理对SILAR法制备CuInSe_2薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 杨建立 靳正国 +2 位作者 石勇 李春艳 安贺松 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1701-1704,共4页
铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等... 铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等。这些方法都有各自的不足之处。例如,对于气相硒化技术必须要用到硒化氢。而硒化氢对人体和环境都有很大的危害。如何精确控制薄膜组分和微结构并改善其电学和光学性能仍是当前研究的重点。 展开更多
关键词 CuInSe2薄膜 silar 煅烧温度 化学性能
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有序分子膜技术在无机超薄膜制备中的应用 被引量:5
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作者 康诗钊 穆劲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第6期971-977,共7页
本文以LB技术、自组装技术、SILAR方法为例简要介绍了近年来有序分子膜技术在无机超薄膜构筑方面的应用。并对其今后的发展进行了展望。
关键词 LB技术 自组装技术 silar方法 无机超薄膜
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CuS-PAA-APS有机无机复合膜的制备及其摩擦学行为研究 被引量:1
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作者 张翼东 杨光红 +1 位作者 孔令豪 张平余 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期85-87,共3页
采用SILAR(Successive Ionic Layer Absorption and Reaction)法,在硅基底上制备了CuS和CuS-PAA-APS有机无机复合膜。利用AFM、XRD、SEM和UMT-2摩擦实验仪对薄膜的表面形态、晶型和摩擦学特性进行了系统分析。结果表明,在PAA-APS模板的... 采用SILAR(Successive Ionic Layer Absorption and Reaction)法,在硅基底上制备了CuS和CuS-PAA-APS有机无机复合膜。利用AFM、XRD、SEM和UMT-2摩擦实验仪对薄膜的表面形态、晶型和摩擦学特性进行了系统分析。结果表明,在PAA-APS模板的作用下,基底上被修饰了一层均匀致密的CuS纳米膜,经过热处理后,无定型CuS转化为六方晶型。宏观摩擦学研究发现,由于具有软相的PAA-APS层和作为硬相的CuS层,CuS-PAA-APS有机无机复合膜具有良好的减摩抗磨能力。 展开更多
关键词 silar 纳米膜 宏观摩擦学性能
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三维In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的制备及光电性能 被引量:3
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作者 李玥 邵浦华 +2 位作者 尹萍萍 张恒飞 陈娇 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2018年第8期1-5,共5页
采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO_2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In_2S_3沉积到TiO_2纳米管表面,制备In_2S_3/TiO_2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材... 采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO_2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In_2S_3沉积到TiO_2纳米管表面,制备In_2S_3/TiO_2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材料的形貌和结构进行表征,并通过荧光光谱仪以及光电信号对不同沉积圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的光电性能进行测试。结果表明,制备的In_2S_3纳米颗粒均匀沉积在TiO_2纳米管上,并且不会堵塞纳米管的管孔。沉积不同圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料表现出不同的光电化学性质。 展开更多
关键词 TIO2纳米管 In2S3 silar 钛网 光电性能
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