Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长 被引量：5

1

作者 李利民 唐军 +4 位作者 康朝阳 潘国强 闫文盛 韦世强 徐彭寿 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期472-476,共5页

利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的... 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层. 展开更多

关键词 固源分子束外延 si(111)衬底 石墨烯薄膜

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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量：3

2

作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页

Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多

关键词 GE量子点 siO2薄膜 si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)

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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 被引量：3

3

作者 胡加辉 朱军山 +4 位作者 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期517-520,i0002,共5页

利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致... 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。 展开更多

关键词 氮化镓 si(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射

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表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响 被引量：2

4

作者 邓冬梅 于新彪 +2 位作者 曹世勋 白丽华 张金仓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期775-779,共5页

利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicina... 利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicinal样品产生的弱SinPout信号表明表面台阶的存在对Si(111)-3×3-Ag表面的成核生长过程有显著影响。低能电子衍射图片显示,500℃以上的高温下两种基片表面所形成的Si(111)-3×1-Ag重构分别为类单畴和三畴结构。类单畴和三畴结构Si(111)-3×1-Ag的光学表面二次谐波SinSout信号的一致性可能揭示了Si(111)-3×1-Ag结构中孪畴结构的存在。 展开更多

关键词 表面台阶 表面重构 si(111)-3×3-Ag si(111)-3×1-Ag 表面二次谐波法

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Si(111)基片上Mg_2Si薄膜的脉冲激光沉积 被引量：2

5

作者 杨梅君 王传彬 沈强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1112-1117,共6页

采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了... 采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900 nm的Mg2Si多晶薄膜。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 Mg2si薄膜 si(111)基片 多晶薄膜

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隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀 被引量：3

6

作者 谢兆雄 蔡雄伟 +2 位作者 施财辉 毛秉伟 田昭武 《电化学》 CAS CSCD 1997年第2期132-135,共4页

隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①——控电位下的Ｓｉ（１１１）表面的ＳＴＭ诱导纳米刻蚀谢兆雄＊蔡雄伟施财辉毛秉伟田昭武（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所化学系厦门３６１００５）扫描隧道... 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①——控电位下的Ｓｉ（１１１）表面的ＳＴＭ诱导纳米刻蚀谢兆雄＊蔡雄伟施财辉毛秉伟田昭武（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所化学系厦门３６１００５）扫描隧道显微技术（ＳＴＭ）目前已成为纳米加... 展开更多

关键词 硅表面 局域场 STM 纳米加工 刻蚀 隧道电子

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直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变 被引量：1

7

作者 时方晓 《沈阳建筑大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第6期1014-1019,共6页

目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用... 目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段. 展开更多

关键词 直流电场 相变 Ag薄膜 Au/si(111)吸附表面 电迁移 结构敏感性

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Si(111)衬底上六方YMnO_3薄膜的制备与铁电性质

8

作者 刘越峰 郑海务 +3 位作者 马兴平 王超 张华荣 顾玉宗 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期18-20,34,共4页

采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜。XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长。以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质。

关键词 六方YMnO3 薄膜 si(111) 择优生长 电滞回线

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AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究

9

作者 吴军 王荣华 +6 位作者 韩平 梅琴 刘斌 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期262-265,共4页

利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC... 利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC薄膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高;衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴;C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,研究表明在Al N/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。 展开更多

关键词 AlN/si(111)衬底 4H-siC薄膜 异质外延 碳硅比

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Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

10

作者 朱军山 徐岳生 +2 位作者 刘彩池 赵丽伟 滕晓云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1167-1170,共4页

用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:... 用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。 展开更多

关键词 si(111) GAN MOCVD DCXRD

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H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

11

作者 臧侃 于迎辉 +1 位作者 秦志辉 曹更玉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期39-42,共4页

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变... 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化。利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式。 展开更多

关键词 H si(111)-7×7 局域电子态密度(LDOS) 单分子振动谱 扫描隧道显微镜(STM)

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Si(111)表面亚稳态重构的STM研究

12

作者 侯士敏 陶成钢 +4 位作者 申自勇 郭等柱 赵兴钰 刘惟敏 薛增泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期243-246,共4页

利用扫描隧道显微镜 (STM) ,研究了Si(111)表面的 2× 2、c2× 4、9× 9和 11× 11等各种亚稳态结构。与已经发表的研究结果相比 :2× 2和c2× 4重构区域规则且面积更大 ,原子分辨的图像清晰稳定 ;在不同亚稳... 利用扫描隧道显微镜 (STM) ,研究了Si(111)表面的 2× 2、c2× 4、9× 9和 11× 11等各种亚稳态结构。与已经发表的研究结果相比 :2× 2和c2× 4重构区域规则且面积更大 ,原子分辨的图像清晰稳定 ;在不同亚稳态之间的畴界处 ,发现存在2种不同的环形结构。从原子密度和能量两方面 。 展开更多

关键词 si(111)表面 亚稳态重构 扫描隧道显微镜 畴界 硅(111)表面 半导体材料

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脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO_3薄膜

13

作者 曹亮亮 叶志镇 +1 位作者 王新昌 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期211-213,221,共4页

在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子... 在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对LiNbO3薄膜的结晶品质,择优取向性以及表面形貌进行了系统的分析。结果表明生长出了具有优异晶体质量的c轴取向LiNbO3薄膜,表面光滑平整且无裂纹产生,表面粗糙度约4.8nm,有利于硅基光电子器件的制备和利用。 展开更多

关键词 LINBO3 si(111) C轴取向 脉冲激光沉积

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低覆盖度下Co/Si(111)界面的光电子谱及功函数的研究

14

作者 赵立华 周越 《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1991年第3期58-63,共6页

本文利用x射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对Co/Si(111)界面进行了研究.实验发现,室温下逐步蒸镀到P型Si(111)晶面上的钴原子不与硅原子化合,原子间没有电荷转移.当表面覆盖度小于0.036 ML时,至少有一部分钴原子以物理吸附的形式... 本文利用x射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对Co/Si(111)界面进行了研究.实验发现,室温下逐步蒸镀到P型Si(111)晶面上的钴原子不与硅原子化合,原子间没有电荷转移.当表面覆盖度小于0.036 ML时,至少有一部分钴原子以物理吸附的形式停留在Si(111)表面上,经过900℃的高温退火后仍然存在.这种物理吸附使系统的功函数降低0.2eV.当增加到0.036ML时,吸附达到饱和,所增加的钴原子占据表面层中的空位.钴原子的这种占据空位的行为不引起系统功函数的变化.当达到3ML时,表面层中钴原子的含量达到饱和,形成“钴饱和界面”.当超过3ML时,进一步增加的钴原子无序地堆积在界面上,系统的功函数逐渐变化到钴的功函数.适当的退火条件使界面上各元素的芯态能级和系统的功函数发生变化,形成硅钴化合物.但900℃的高温退火使得已形成的Co—Si健被打破. 展开更多

关键词 Co/si(111) 界面 光电子谱 功函数

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STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

15

作者 刘宁 杨海强 +4 位作者 古乾军 马自力 高鸿钧 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期757-759,共3页

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａ... 根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。 展开更多

关键词 扫描隧道显微镜 原子操纵 硅 表面畴界结构

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用STM在Si(111)7×7表面进行“有序移植”

16

作者 刘宁 杨海强 +3 位作者 马自力 高鸿钧 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期782-783,共2页

我们用ＳＴＭ在低压大电流条件下对Ｓｉ（１１１）７×７表面进行了原子操纵研究，这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构，又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起，在样品表面形成有序排列，从而成功地实现了对原子群... 我们用ＳＴＭ在低压大电流条件下对Ｓｉ（１１１）７×７表面进行了原子操纵研究，这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构，又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起，在样品表面形成有序排列，从而成功地实现了对原子群体的“有序移植” 展开更多

关键词 扫描隧道显微镜 原子操纵

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(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 被引量：4

17

作者 胡桂青 孔翔 +4 位作者 王乙潜 万里 段晓峰 陆沅 刘祥林 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期699-700,共2页

关键词 (111)si 外延生长 六方GaN TEM 氮化镓 硅衬底 透射电子显微镜 薄膜生长

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锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长 被引量：2

18

作者 王丹 邹志强 +1 位作者 孙静静 赵明海 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1291-1295,共5页

利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由... 利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序变为无序;当退火温度达到400℃左右时,锰纳米团簇与硅衬底发生反应生成富锰的三维岛状物和由MnSi构成的平板状岛;500℃退火后生成物全部转变为MnSi平板状岛;650℃退火后生成物则由MnSi平板状岛全部转变为富硅的不规则的大三维岛,同时被破坏的衬底表面重新结晶形成7×7结构. 展开更多

关键词 扫描隧道显微镜 si(111)-7×7重构表面 固相反应 锰的硅化物 退火

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利用STM研究Ag粒子在Si(111)7×7重构表面的生长 被引量：1

19

作者 柏亚军 申自勇 +2 位作者 侯士敏 赵兴钰 薛增泉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期411-414,共4页

利用超高真空扫描隧道显微镜 (UHVSTM)研究了室温条件下沉积在Si(111) 7× 7重构表面不同覆盖度的Ag粒子。实验结果表明 ,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型 ,其中A型Ag粒子呈环状结构 ,最小的A型Ag粒子由 3个Ag原子组成 ;而B... 利用超高真空扫描隧道显微镜 (UHVSTM)研究了室温条件下沉积在Si(111) 7× 7重构表面不同覆盖度的Ag粒子。实验结果表明 ,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型 ,其中A型Ag粒子呈环状结构 ,最小的A型Ag粒子由 3个Ag原子组成 ;而B型Ag粒子则是由两层Ag原子构成。高覆盖度时Ag粒子的生长过程为层岛混合生长 (Stranski Krastanov)模式。本文还研究了不同蒸发速率对Ag原子成核的影响 ,发现在高蒸发速率条件下Ag原子在Si(111) 7× 7重构表面更容易成核。 展开更多

关键词 粒子 原子 表面 成核 STM 室温条件 环状结构 si(111) 超高真空 扫描隧道显微镜

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锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究 被引量：3

20

作者 王丹 邹志强 孙静静 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期99-102,共4页

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高... 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛。除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论。 展开更多

关键词 扫描隧道显微镜 si(111)-7×7重构表面 纳米团簇 锰硅化物 传统成核理论

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