重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究

1

作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页

锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(SOI)工艺 单粒子瞬态(set) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)

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NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽 被引量：4

2

作者 陈建军 陈书明 +3 位作者 梁斌 刘征 刘必慰 秦军瑞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期996-1001,共6页

本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130n... 本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130nm体硅工艺下,计算SET脉冲宽度的解析模型,并结合NBTI阈值电压退化的解析模型,建立了预测SET脉冲宽度在产生的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,TCAD器件模拟的结果与解析模型的预测一致;本文还进一步建立了预测SET脉冲宽度在传播的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,SPICE电路模拟的结果与解析模型所预测的结论一致. 展开更多

关键词 负偏置温度不稳定性(NBTI) 单粒子瞬态(set)脉冲 脉冲展宽 解析模型

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运算放大器SET效应的试验研究 被引量：1

3

作者 封国强 胡永贵 +4 位作者 王健安 黄建国 马英起 韩建伟 张振龙 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期170-175,共6页

模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感... 模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感节点分布、LET阈值和SET脉冲波形的特征参数,其中器件的敏感节点均分布在输入级与放大级,LET阈值不大于1.2 MeV·cm~·mg^(-1),电压比较器产生的最大SET脉冲的幅度达27V、脉冲宽度为51μs.试验表明SF3503对SET效应极其敏感,在不采取任何措施的情况下,在空间任务中直接使用,会严重影响系统的可靠性. 展开更多

关键词 运算放大器 单粒子瞬态脉冲 脉冲激光 敏感节点

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锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究 被引量：2

4

作者 秦军瑞 陈吉华 +2 位作者 赵振宇 梁斌 刘征 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2011年第2期75-79,共5页

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅C... 空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的。 展开更多

关键词 单粒子瞬变 压控振荡器 混合模拟

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基于工艺波动的单粒子串扰效应研究

5

作者 刘保军 雍霄驹 +1 位作者 张爽 陈名华 《空军工程大学学报》 北大核心 2025年第3期79-85,共7页

为了表征互连线结构参数工艺波动对单粒子串扰(SEC)的影响,基于互连线的RLC等效模型和单粒子瞬态(SET)的等效电路,设计正交试验,利用极差分析和方差分析法,确定了互连线结构参数工艺波动时SEC的极限工艺角,并分析了技术节点、粒子能量... 为了表征互连线结构参数工艺波动对单粒子串扰(SEC)的影响,基于互连线的RLC等效模型和单粒子瞬态(SET)的等效电路,设计正交试验,利用极差分析和方差分析法,确定了互连线结构参数工艺波动时SEC的极限工艺角,并分析了技术节点、粒子能量、互连线长度对SEC极限工艺角的影响机理。结果表明,在互连线耦合效应和脉冲传播特性的共同作用下,45 nm技术节点以上,互连线结构参数波动±10%时,SEC的波动范围大于20%,且相对变化量随着粒子能量的增加,呈增大趋势,但并没有随着互连线长度的增加而出现较大的差异。45 nm技术节点以下,尽管SEC的电压峰值、噪声面积显著增加,但互连线工艺波动对SEC的影响却呈减小趋势,且随着互连线长度增加,SEC的波动呈增大趋势。 展开更多

关键词 工艺波动 单粒子瞬态(set) 串扰效应 极限工艺角

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一种新型SEU/SET加固鉴频鉴相器设计

6

作者 陈吉华 秦军瑞 +1 位作者 赵振宇 刘衡竹 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1-5,11,共6页

分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环... 分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁相环的整体模拟结果表明,抗辐照的PFD与传统的PFD相比,锁相环的电学性能没有改变,锁定时间保持一致。对传统D触发器型PFD和设计加固的PFD进行了遍历轰击模拟,结果显示,提出的抗辐照PFD加固效果非常明显,敏感节点的数目可以降低80%左右。 展开更多

关键词 单粒子瞬态 单粒子翻转 设计加固 锁相环 鉴频鉴相器

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SET无衰减传播临界脉冲宽度的建模

7

作者 梁斌 陈书明 +1 位作者 赵振宇 刘征 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2009年第7期85-88,共4页

本文利用SPICE电路模拟手段研究了SET在不同扇出反相器链中的传播。结果发现能够在反相器链中无衰减传播的临界脉冲宽度与反相器的传播延迟之间具有良好的线性关系,并以此为基础提出了一种估计数字电路中无衰减传播临界脉冲宽度的模型... 本文利用SPICE电路模拟手段研究了SET在不同扇出反相器链中的传播。结果发现能够在反相器链中无衰减传播的临界脉冲宽度与反相器的传播延迟之间具有良好的线性关系,并以此为基础提出了一种估计数字电路中无衰减传播临界脉冲宽度的模型。在不同的晶体管尺寸设计、不同工作条件以及不同电路类型下的模拟结果表明,本文提出的模型能够在保证较高估计精度的条件下有效地减小实验代价。 展开更多

关键词 电路模拟 set 传播

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基准电路中重汇聚导致的SET脉冲展宽效应

8

作者 陈建军 陈跃跃 梁斌 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2009年第7期89-91,138,共4页

本文采用电路模拟手段对典型基准组合电路中的SET传播特性进行了研究,发现了一类新的导致脉冲展宽效应的机理——扇出重汇聚。根据重汇聚点逻辑门类型和输入脉冲特征的不同,重汇聚可以引发两种类型的脉冲。这两类脉冲具有截然不同的特征... 本文采用电路模拟手段对典型基准组合电路中的SET传播特性进行了研究,发现了一类新的导致脉冲展宽效应的机理——扇出重汇聚。根据重汇聚点逻辑门类型和输入脉冲特征的不同,重汇聚可以引发两种类型的脉冲。这两类脉冲具有截然不同的特征,一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度无关,而另一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度基本成线性关系,并在原始SET脉冲宽度的基础上存在净的展宽或者压缩。当空间重离子在电路的输入端附近轰击产生一个宽度为200ps的脉冲时,传播到输出端的脉冲宽度可达690ps,被后续时序单元俘获的概率从5%升高到29.5%,整整提高了近6倍。 展开更多

关键词 电路模拟 重汇聚 传播 set

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基于FPGA的微处理器SET敏感性评估方法 被引量：1

9

作者 孙骏 梁华国 +2 位作者 姚瑶 黄正峰 徐秀敏 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第11期1509-1514,1568,共7页

为了快速准确地的评估微处理器单粒子瞬态(single event transient,SET)软错误敏感性,文章提出了一种改进的基于现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)故障注入的软错误敏感性评估方法。该方法通过分析微处理器门级网... 为了快速准确地的评估微处理器单粒子瞬态(single event transient,SET)软错误敏感性,文章提出了一种改进的基于现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)故障注入的软错误敏感性评估方法。该方法通过分析微处理器门级网表和时序文件,提取SET故障注入位置和传输延时信息,使用扫描链实现SET故障脉冲的注入,同时考虑了时窗屏蔽效应、逻辑屏蔽效应和电气屏蔽效应对SET故障脉冲传播的影响;并使用该方法对PIC16F54微处理器进行了故障注入。实验结果表明,基于该方法进行故障注入及软错误敏感性评估所需的时间比Isim软件仿真方法提高了约4个数量级。 展开更多

关键词 单粒子瞬态(set) 现场可编程门阵列(FPGA) 微处理器 故障注入 敏感性评估

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0.18μm SOI器件技术抗SET设计加固方法

10

作者 林家庆 邓玉良 +1 位作者 裴国旭 邹黎 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第29期8760-8764,共5页

介绍0.18μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法;并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真。探讨SET在0.18μm SOI器件技术中的微观机理。提出0.18μm SOI工艺SET设计加固方法。重点在于器... 介绍0.18μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法;并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真。探讨SET在0.18μm SOI器件技术中的微观机理。提出0.18μm SOI工艺SET设计加固方法。重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计。 展开更多

关键词 set(single event transient) SEU(single event upset) SOI(silicon on isolation) 辐照加固 原理模型

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22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域 被引量：1

11

作者 张博翰 梁斌 +1 位作者 刘小年 方亚豪 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期146-152,共7页

基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际... 基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 展开更多

关键词 单粒子瞬态 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅

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基于优化模型的纳米器件逻辑单元单粒子瞬态仿真研究

12

作者 王坦 丁李利 +3 位作者 罗尹虹 赵雯 张凤祁 徐静妍 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1119-1126,共8页

空间辐射诱发的单粒子瞬态(SET)是航天电子系统可靠性的主要威胁。本文分析了现有电荷注入仿真模型的不足,提出了一种改进的结合灵敏体和双极扩散机制的电荷收集模型,综合考虑了寄生双极放大效应和电荷共享效应,可针对不同角度、不同线... 空间辐射诱发的单粒子瞬态(SET)是航天电子系统可靠性的主要威胁。本文分析了现有电荷注入仿真模型的不足,提出了一种改进的结合灵敏体和双极扩散机制的电荷收集模型,综合考虑了寄生双极放大效应和电荷共享效应,可针对不同角度、不同线性能量传输值(LET)的重离子入射版图不同位置,计算获取SET平均脉宽及敏感截面分布。该方法已集成于项目组自研TREES软件,并针对商用65 nm工艺库中的多种逻辑单元开展了相关仿真计算。结果表明,该方法可在物理版图设计阶段评估单粒子瞬态截面及脉宽分布,为版图屏蔽SET设计加固提供基础参考数据。 展开更多

关键词 空间辐射 单粒子瞬态 电路级仿真 电荷共享 寄生双极放大

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40 nm CMOS工艺下的低功耗容软错误锁存器 被引量：5

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作者 黄正峰 王世超 +2 位作者 欧阳一鸣 易茂祥 梁华国 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期1464-1471,共8页

为了降低集成电路的软错误率,该文基于时间冗余的方法提出一种低功耗容忍软错误锁存器。该锁存器不但可以过滤上游组合逻辑传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全免疫。其输出节点不会因为高能粒子轰击而进入高阻态,所以该锁存器能够适用于... 为了降低集成电路的软错误率,该文基于时间冗余的方法提出一种低功耗容忍软错误锁存器。该锁存器不但可以过滤上游组合逻辑传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全免疫。其输出节点不会因为高能粒子轰击而进入高阻态,所以该锁存器能够适用于门控时钟电路。SPICE仿真结果表明,与同类的加固锁存器相比,该文结构仅仅增加13.4%的平均延时,使得可以过滤的SET脉冲宽度平均增加了44.3%,并且功耗平均降低了48.5%,功耗延时积(PDP)平均降低了46.0%,晶体管数目平均减少了9.1%。 展开更多

关键词 软错误 单粒子翻转 单粒子瞬态 加固锁存器

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FT51:一种容软错误高可靠微控制器 被引量：14

14

作者 龚锐 陈微 +2 位作者 刘芳 戴葵 王志英 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第10期1662-1673,共12页

文中给出一种容软错误高可靠微控制器FT51．首先它具有基于异步电路的时空三模冗余结构，采用此结构可以对时序逻辑单事件翻转（SEU）和组合逻辑单事件瞬态（SET）进行防护．所有的片内存储器采用Hamming编码进行防护．针对现有控制流... 文中给出一种容软错误高可靠微控制器FT51．首先它具有基于异步电路的时空三模冗余结构，采用此结构可以对时序逻辑单事件翻转（SEU）和组合逻辑单事件瞬态（SET）进行防护．所有的片内存储器采用Hamming编码进行防护．针对现有控制流检测的不足，该设计采用了软硬件结合的控制流检测与恢复机制．FT51在HJTC0．25μm工艺下进行了实现，与未经加固的版本相比，其额外的面积开销为80．6％，额外的性能开销为19％～133％．文中还提出了一种微处理器可靠性评估框架，在此框架下通过模拟和理论推导证明：典型情况下FT51的故障检出和屏蔽率为99．73％． 展开更多

关键词 微控制器 软错误 单事件翻转 单事件瞬态 时空三模冗余 控制流检测

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现代竞技健美操比赛男子单人项目难度编排特点研究 被引量：16

15

作者 李嘉 同英 蒋仕延 《中国体育科技》 北大核心 2002年第5期40-41,共2页

采用文献资料调研、观察记录、数理统计等科研方法 ,对 1997～ 1998年世界健美操锦标赛男子单人项目前 8名运动员成套动作的难度编排进行了数理统计和量化分析 ,揭示并探讨了不同价值难度动作的排序规律以及具有静力性特征的动作和具有... 采用文献资料调研、观察记录、数理统计等科研方法 ,对 1997～ 1998年世界健美操锦标赛男子单人项目前 8名运动员成套动作的难度编排进行了数理统计和量化分析 ,揭示并探讨了不同价值难度动作的排序规律以及具有静力性特征的动作和具有动力性特征的动作 (文中称为S.F类动作和 D.F类动作 )的选择与搭配特点 ,对现代竞技健美操的难度编排特点进行了分析 。 展开更多

关键词 健美操 男子 单人项目 成套动作 编排

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光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究 被引量：6

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作者 封国强 马英起 +1 位作者 张振龙 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第B09期36-40,共5页

利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉... 利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉冲激光测试了光电耦合器的SET宽度与等效LET的关系,并尝试测试了两种光电耦合器的SET效应的截面,其中,HCPL-5231的实验结果与其他文献利用重离子加速器得到的数据符合较好,验证了脉冲激光测试器件单粒子效应的有效性。 展开更多

关键词 脉冲激光 单粒子瞬态脉冲 光电耦合器 等效LET

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SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究 被引量：2

17

作者 安恒 张晨光 +3 位作者 杨生胜 薛玉雄 王光毅 王俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期149-155,共7页

验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫... 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。 展开更多

关键词 SIGE BICMOS 线性器件 单粒子效应 单粒子瞬态 脉冲激光

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65nm工艺下单粒子加固锁存器设计 被引量：2

18

作者 黄正峰 钱栋良 +3 位作者 梁华国 易茂祥 欧阳一鸣 闫爱斌 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期1393-1400,共8页

随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.首先针对单粒子翻转,使用具有状态保持功能的C单元,并且级联成两级;然后针对单粒子瞬态,将延迟单元嵌入在... 随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.首先针对单粒子翻转,使用具有状态保持功能的C单元,并且级联成两级;然后针对单粒子瞬态,将延迟单元嵌入在锁存器内部并与级联C单元构成时间冗余;最后选择基于施密特触发器的电路作为延迟单元.实验结果表明,相比已有的加固设计,该锁存器不存在共模故障敏感节点,还能容忍时钟电路中的单粒子瞬态;版图面积、功耗和时钟电路功耗分别平均下降30.58%,44.53%和26.51%;且该锁存器的功耗对工艺、供电电压和温度的波动不敏感. 展开更多

关键词 软错误 单粒子翻转 单粒子瞬态 加固锁存器 时间冗余

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一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器 被引量：3

19

作者 赵振宇 郭斌 +1 位作者 张民选 刘衡竹 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期12-17,共6页

基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源... 基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性。虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决。此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法。 展开更多

关键词 单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 RHBD

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Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制 被引量：2

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作者 王忠明 闫逸华 +5 位作者 陈荣梅 王园明 赵雯 张凤祁 郭晓强 郭红霞 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2266-2271,共6页

研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。

关键词 单粒子效应 Flash型FPGA 单粒子瞬态

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