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超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
1
作者
奚雪梅
徐立
+3 位作者
闫桂珍
孟宪馨
李映雪
王阳元
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期13-14,17,共3页
在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈...
在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。
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关键词
SOI
自对准硅化物
薄膜
厚度
最佳化
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职称材料
题名
超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
1
作者
奚雪梅
徐立
闫桂珍
孟宪馨
李映雪
王阳元
机构
北京大学微电子研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期13-14,17,共3页
文摘
在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。
关键词
SOI
自对准硅化物
薄膜
厚度
最佳化
Keywords
salicide technology
,
metal thickness optimization
,
sheet resistance
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
奚雪梅
徐立
闫桂珍
孟宪馨
李映雪
王阳元
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995
0
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