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SAGCM-APD增益影响因子分析与优化: 1; 作者胡大鹏郭方敏 +1 位作者朱晟伟熊大元《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期213-217,235,共6页; 应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP蛳InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的... 展开更多; 关键词 sagcm-apd 雪崩光电探测器倍增增益电流响应仿真分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 2; 作者尹顺政齐利芳 +3 位作者赵永林张豫黔车向辉张宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期759-763,共5页; 针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通... 展开更多; 关键词 InP 吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM APD) 雪崩本地电场模型光通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 3; 作者尹顺政郝文嘉 +4 位作者张宇于浩李庆伟赵润车相辉《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页; 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益... 展开更多; 关键词 INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩频率响应光通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

10Gb/s APD-TIA组件的最佳光接收灵敏度被引量：4: 4; 作者丁国庆徐建锋《光通信技术》 CSCD 北大核心 2008年第11期40-43,共4页; 介绍了10Gb/s APD-TIA组件结构和基本特性,分析了APD的最佳光电倍增和APD-TIA组件的最佳接收光灵敏度,报告和讨论了10Gb/s APD-TIA组件光接收灵敏度测量结果,指出了APD光电倍增与器件结构和偏置电压紧密相关,通过仔细调测,在0.85～0.95V... 展开更多; 关键词 sagcm-apd 最佳光电倍增最佳光接收灵敏度; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Matlab的APD器件模拟: 5; 作者程涛周金运李文静《现代电子技术》 2006年第13期146-148,共3页; 为了迅速了解雪崩光电二极管(APD)的特性以确保量子保密通信系统的质量,在适当的假设前提下,依据经验公式并借助于Matlab的矩阵运算功能计算吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(SAGCM APD)的电场分布,然后以此得出电子、空穴倍增系数... 展开更多; 关键词 MATLAB 吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(SAGCM—APD) 传递函数量子保密通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能: 6; 作者吴超瑜刘超 +4 位作者冯彦斌高文浩高鹏付贤松宁振动《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期123-126,共4页; 利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As... 展开更多; 关键词金属有机化学气相沉积通信分层吸收渐变电荷倍增雪崩光电二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SAGCM-APD增益影响因子分析与优化: 1; 作者胡大鹏郭方敏朱晟伟熊大元; 机构华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期213-217,235,共6页; 基金科技部重大项目(2006CB932802) 国家自然科学基金资助项目(10374095); 文摘应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP蛳InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响。仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值。当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2 A;阈值电压降低到10 V以下,击穿电压为42.6 V时,器件倍增增益值大于100。; 关键词 sagcm-apd 雪崩光电探测器倍增增益电流响应仿真分析; Keywords sagcm-apd APD Multiplication gain Current response Simulation analysis; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 2; 作者尹顺政齐利芳赵永林张豫黔车向辉张宇; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期759-763,共5页; 文摘针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。; 关键词 InP 吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM APD) 雪崩本地电场模型光通信; Keywords In P absorption grading charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD） avalanche local field model optical communication; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学] TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 3; 作者尹顺政郝文嘉张宇于浩李庆伟赵润车相辉; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页; 文摘基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试。测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合。器件击穿电压为30V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10nA,-3dB带宽大于10GHz,其性能满足10Gbit/s光纤通信应用要求。; 关键词 INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩频率响应光通信; Keywords InGaAs/InP separate absorption grading charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD） avalanche frequency response optical communication; 分类号 TN312.7 [电子电信—物理电子学] TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名10Gb/s APD-TIA组件的最佳光接收灵敏度被引量：4: 4; 作者丁国庆徐建锋; 机构广州南沙慧视通信科技有限公司; 出处《光通信技术》 CSCD 北大核心 2008年第11期40-43,共4页; 文摘介绍了10Gb/s APD-TIA组件结构和基本特性,分析了APD的最佳光电倍增和APD-TIA组件的最佳接收光灵敏度,报告和讨论了10Gb/s APD-TIA组件光接收灵敏度测量结果,指出了APD光电倍增与器件结构和偏置电压紧密相关,通过仔细调测,在0.85～0.95Vb下可测得最佳光接收灵敏度。; 关键词 sagcm-apd 最佳光电倍增最佳光接收灵敏度; Keywords sagcm-apd optimum optical-electronical gain optimum optical receiver sensitivity; 分类号 TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Matlab的APD器件模拟: 5; 作者程涛周金运李文静; 机构广东工业大学物理与光电工程学院; 出处《现代电子技术》 2006年第13期146-148,共3页; 文摘为了迅速了解雪崩光电二极管(APD)的特性以确保量子保密通信系统的质量,在适当的假设前提下,依据经验公式并借助于Matlab的矩阵运算功能计算吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(SAGCM APD)的电场分布,然后以此得出电子、空穴倍增系数,最后再利用这些系数及传递函数计算出SAGCM APD的增益-电压特性及频率响应特性,模拟的结果较好地与实验结果一致。; 关键词 MATLAB 吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(SAGCM—APD) 传递函数量子保密通信; Keywords Matlab Separate Absorption Grading Charge and Multiplication Avalanche Photodiode （SAGCM- APD） transfer function quantum key distribution; 分类号 TP319 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能: 6; 作者吴超瑜刘超冯彦斌高文浩高鹏付贤松宁振动; 机构天津工业大学电子与信息工程学院天津三安光电有限公司厦门大学物理系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期123-126,共4页; 基金天津市科技支撑新材料重大专项项目(17YFZCGX00330 18ZXCLGX00080); 文摘利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InGaAsP梯度层。探测器件光敏面直径50μm,器件测试结果表明该器件光响应特性正常,击穿电压约43 V,在低于击穿电压3 V左右可以得到大约10 A/W的光响应度,在0 V到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右。光电二极管在8 GHz以下有平坦的增益,适用于5 Gbit/s光通信系统。; 关键词金属有机化学气相沉积通信分层吸收渐变电荷倍增雪崩光电二极管; Keywords metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) communication separate absorption grading charge and multiplication(SAGCM) avalanche photodiode(APD); 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SAGCM-APD增益影响因子分析与优化	胡大鹏郭方敏朱晟伟熊大元	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管	尹顺政齐利芳赵永林张豫黔车向辉张宇	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管	尹顺政郝文嘉张宇于浩李庆伟赵润车相辉	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	10Gb/s APD-TIA组件的最佳光接收灵敏度	丁国庆徐建锋	《光通信技术》 CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于Matlab的APD器件模拟	程涛周金运李文静	《现代电子技术》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能	吴超瑜刘超冯彦斌高文浩高鹏付贤松宁振动	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料