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溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用
被引量：
2
1
作者
范玉
李晓东
+5 位作者
林舒平
张毅
刘芳芳
周志强
孙云
刘玮
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第6期996-1001,共6页
通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率...
通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构Zn S(α-Zn S);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-Zn S消失,带隙增加。器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加。
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关键词
射频磁控溅射
Zn(O
s
)
缓冲
层
CIG
s
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职称材料
题名
溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用
被引量：
2
1
作者
范玉
李晓东
林舒平
张毅
刘芳芳
周志强
孙云
刘玮
机构
南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
天津恒电空间电源有限公司
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第6期996-1001,共6页
基金
"扬帆计划"引进创新创业团队专项资助(2014YT02N037)
广东省科技计划产学研项目(2015B090901027)
文摘
通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构Zn S(α-Zn S);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-Zn S消失,带隙增加。器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加。
关键词
射频磁控溅射
Zn(O
s
)
缓冲
层
CIG
s
Keywords
radio frequency magnetron
s
puttering
Zn （ O,
s
） buffer layer
CIG
s
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用
范玉
李晓东
林舒平
张毅
刘芳芳
周志强
孙云
刘玮
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017
2
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