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衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究
被引量：
5
1
作者
杨李茗
虞淑环
+2 位作者
许乔
舒晓武
杨国光
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第2期147-151,共5页
本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本...
本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了反应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响。
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关键词
反应离子束蚀刻
衍射
光学元件
蚀刻工艺
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职称材料
SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
2
作者
黄腾超
沈亦兵
+2 位作者
侯西云
娄迪
白剑
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1310-1314,共5页
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光...
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.
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关键词
SiO1薄膜辅助
硅-玻璃热键合
反应离子束蚀刻
热诱导应力
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职称材料
啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究
3
作者
杨卫鹏
刘全
吴建宏
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期51-52,共2页
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩...
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对槽形控制提供了有意义的实验手段。
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关键词
离子束刻蚀
反应离子束刻蚀
槽形模拟
占宽比
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职称材料
题名
衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究
被引量：
5
1
作者
杨李茗
虞淑环
许乔
舒晓武
杨国光
机构
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第2期147-151,共5页
基金
国家高技术航天863资助
文摘
本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了反应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响。
关键词
反应离子束蚀刻
衍射
光学元件
蚀刻工艺
Keywords
reactive
ion
beam
etching
(
ribe
)
Diffractive optical elements (DOEs)
etching
processes
分类号
TH740.6 [机械工程—光学工程]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
2
作者
黄腾超
沈亦兵
侯西云
娄迪
白剑
机构
浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1310-1314,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60077009)国家教育部博士点基金资助项目.
文摘
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.
关键词
SiO1薄膜辅助
硅-玻璃热键合
反应离子束蚀刻
热诱导应力
Keywords
SiO2 film assist
silicon-glass thermal bonding （SGTB）
reactive
ion
beam
etching
（
ribe
）
thermally induced stress
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究
3
作者
杨卫鹏
刘全
吴建宏
机构
苏州大学信息光学工程研究所
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期51-52,共2页
文摘
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对槽形控制提供了有意义的实验手段。
关键词
离子束刻蚀
反应离子束刻蚀
槽形模拟
占宽比
Keywords
ion
beam
etching
reactive
ion
beam
etching
profile simulat
ion
duty cycle
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究
杨李茗
虞淑环
许乔
舒晓武
杨国光
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
黄腾超
沈亦兵
侯西云
娄迪
白剑
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究
杨卫鹏
刘全
吴建宏
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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