期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
射频ICP离子源设计研究 被引量:11
1
作者 许沭华 任兆杏 +1 位作者 沈克明 翁坚 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期310-312,共3页
本文介绍了射频 (RF)感应耦合等离子体 (ICP)离子源的设计研究。对RFICP的结构、离子流的引出以及离子流的均匀性、中性化和射频匹配网络进行了研究。
关键词 射频icp 离子源 设计 射频匹配网络 感应耦合等离子体 离子流 均匀性 中性化
在线阅读 下载PDF
用于薄膜制备的射频宽束离子源的设计 被引量:7
2
作者 尤大伟 黄小刚 +1 位作者 任荆学 李安杰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期451-454,共4页
采用射频宽束离子源进行离子束辅助镀膜可以获得高性能的光学薄膜 ,已越来越得到人们的共识。本文对射频感应线圈的匹配、起弧及三栅离子光学的关键技术进行了重点考虑 ,并获得了稳定运行的高性能离子源。
关键词 宽束 离子源 薄膜制备 光学薄膜 离子束 感应线圈 匹配 射频 镀膜 高性能
在线阅读 下载PDF
射频电子源数值仿真及实验研究 被引量:4
3
作者 李兴达 张兴民 +2 位作者 李建鹏 张天平 孙新锋 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2394-2400,共7页
射频电子源以其结构简单、不易受污染、寿命长、瞬时启动等优点,可以作为离子和霍尔电推进的中和器,显著提升其寿命和性能。为了研究射频电子源的优化设计方法,基于放电室等离子体整体模型和非双极流动模型开展了射频电子源性能的仿真评... 射频电子源以其结构简单、不易受污染、寿命长、瞬时启动等优点,可以作为离子和霍尔电推进的中和器,显著提升其寿命和性能。为了研究射频电子源的优化设计方法,基于放电室等离子体整体模型和非双极流动模型开展了射频电子源性能的仿真评估,并对研制的1A级电子源样机开展了实验测试。研究结果显示:仿真与实验结果一致性较好,引出电子电流与收集电压、小孔直径、工质流率、射频功率相关,各参数相互耦合且存在最优组合,样机额定工作点下,电子源放电损耗为99W/A,工质利用率系数为11。 展开更多
关键词 电推进 电子源 感性耦合等离子体 整体模型 引出电流 射频
在线阅读 下载PDF
深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
4
作者 成立 王振宇 +3 位作者 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期35-40,共6页
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及... 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器
在线阅读 下载PDF
电感耦合式射频离子源放电与引出特性实验 被引量:1
5
作者 李建鹏 李兴达 张兴民 《科学技术与工程》 北大核心 2019年第22期20-24,共5页
为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究... 为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究了射频放电中离子束流、射频功率、工质流量、栅间电压之间的规律.结果表明:射频离子源试验系统设计合理,能够可靠稳定地工作,真空度低于1.0×10^-3 Pa的氩工质条件下离子束能量大范围独立可调,在100~1500 eV范围引出80~460 mA的离子束流,当工质流量一定时,离子源离子束流随射频功率的增大以1 mA/W比率增加,射频功率一定时,离子源束流强度随工质流量增大,在20 sccm时,离子源束流强度至稳定值或者略微增加,合理控制离子源工作参数可以提高离子源工作性能和效率. 展开更多
关键词 电感耦合式 射频离子源 设计 离子束流 实验
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部