一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA 被引量：1

1

作者 曾健平 戴志伟 +2 位作者 杨浩 张海英 郑新年 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期91-94,共4页

基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低... 基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本,测试结果表明，该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0．5dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性． 展开更多

关键词 低噪声放大器 阻容负反馈 单片集成 低频段 PHEMT

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低功耗高增益CMOS LNA的设计

2

作者 伊廷荣 成立 +2 位作者 王玲 范汉华 植万江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期726-729,共4页

设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表... 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。 展开更多

关键词 低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益

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一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量：5

3

作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页

高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多

关键词 rfCMOS 低噪声放大器(lna) 噪声消除 宽带 可变增益

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基于多重反馈环路技术的0.8～5.2GHz CMOS宽带LNA设计

4

作者 万求真 吴潇婷 +1 位作者 徐蒙 徐丹丹 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期124-130,共7页

在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入... 在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化.后版图仿真结果显示,在0.8~5.2GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5dB,输入反射系数S_(11)为-8.0^-17.6dB,输出反射系数S_(22)为-10.0^-32.4dB,反向传输系数S12小于-45.6dB,噪声系数NF为3.7~4.1dB.在3GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0dBm.芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率仅为9.0mW,芯片总面积为0.7mm×0.8mm. 展开更多

关键词 CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 宽带 多重反馈环路技术

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一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器

5

作者 马凯学 王德建 +1 位作者 傅海鹏 王科平 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期168-177,共10页

基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射... 基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点. 展开更多

关键词 无线局域网 低噪声放大器 射频开关 线性度

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噪声系数最小1.6 dB有高带外抑制的5~6 GHz射频接收前端芯片

6

作者 傅海鹏 程志强 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期2192-2198,共7页

为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求,基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5~6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器(LNA)、射频开关和带隙基准偏置电路等组成.... 为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求,基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5~6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器(LNA)、射频开关和带隙基准偏置电路等组成.基于共源共栅结构的LNA,在输入匹配中使用LC陷波实现带外抑制;在偏置电路中,使用带隙基准电流源对LNA的偏置进行温度补偿,屏蔽电源纹波影响.对该前端芯片进行流片加工并测试,结果表明,当工作频率为5~6 GHz时,芯片的接收增益为13.4~14.0 dB,输入与输出反射系数均小于-10 dB,频带内的最小噪声系数为1.6 dB,在工作频率内1 dB压缩点的输入功率大于-4 dBm,输入三阶交调点大于+7 dBm.低噪声放大器在整个工作频段内无条件稳定,在2 V供电电压下电路的直流功耗为30 mW,芯片面积为0.56 mm2. 展开更多

关键词 低噪声放大器(lna) 带外抑制 绝缘体上硅工艺 射频接收前端 有源偏置

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点式声学多普勒海流计研究设计 被引量：6

7

作者 范寒柏 李瑞琪 +1 位作者 赵文成 陈绍权 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第11期38-41,共4页

针对高精度测量海水流速问题,研究并设计了点式多普勒海流计,基于STM32F407和AVR微处理器进行硬件开发和软件设计,给出了硬件电路设计及软件流程图,对基于编码驱动的自相关算法进行了分析,对不同算法进行测试,测试结果表明基于编码驱动... 针对高精度测量海水流速问题,研究并设计了点式多普勒海流计,基于STM32F407和AVR微处理器进行硬件开发和软件设计,给出了硬件电路设计及软件流程图,对基于编码驱动的自相关算法进行了分析,对不同算法进行测试,测试结果表明基于编码驱动的自相关算法与传统的FFT相比分辨率更高。 展开更多

关键词 多普勒 频率响应 低噪声放大 频谱估计 自相关算法

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CMOS射频集成电路的现状与进展 被引量：10

8

作者 王志华 吴恩德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期233-238,共6页

随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指... 随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指出在设计中要考虑的一些问题 .其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元 ,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器 .对各单元模块在设计中的技术指标 ,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论 .此外 ,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法 .最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法 . 展开更多

关键词 CMOS射频集成电路 低噪声放大器 混频器 频率综合器 功率放大器 无线通信系统

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面向GPS、北斗和TD-LTE-A的多模可重构低噪声放大器设计 被引量：3

9

作者 刘章发 陈杰 《北京交通大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期18-23,共6页

基于SMIC 0.18μm工艺设计了一个面向GPS、北斗和TD_LTE_A的多模可重构低噪声放大器(LNA),该电路可工作在2.6 GHz、1.575 GHz和1.207 GHz 3个波段.仿真结果表明,在3个频段内增益S21最大,分别能达到19.1 dB、19.5 dB和20.7 dB,噪声系数N... 基于SMIC 0.18μm工艺设计了一个面向GPS、北斗和TD_LTE_A的多模可重构低噪声放大器(LNA),该电路可工作在2.6 GHz、1.575 GHz和1.207 GHz 3个波段.仿真结果表明,在3个频段内增益S21最大,分别能达到19.1 dB、19.5 dB和20.7 dB,噪声系数NF分别为4.5 dB、3.5 dB和3.1 dB,三阶输入交调失真分别为-8.2 dBm、-8.7 dBm和-9.6 dBm.在1.8 V的供电电压下,电路功耗不超过15 mW,在上述3个频段内稳定性均满足要求. 展开更多

关键词 射频前端 多模式 多频段 低噪声放大器

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一种用于多标准接收机的宽带低噪声放大器 被引量：1

10

作者 王科平 王志功 +1 位作者 雷雪梅 李伟 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1176-1180,共5页

设计了一种应用于软件无线电接收机的300kHz～1.6GHz宽带低噪声放大器,适用于数字广播、数字电视和定位导航等系统。该放大器采用噪声抵消结构以降低输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,能够同时实现输入阻抗匹配和噪声优化... 设计了一种应用于软件无线电接收机的300kHz～1.6GHz宽带低噪声放大器,适用于数字广播、数字电视和定位导航等系统。该放大器采用噪声抵消结构以降低输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,能够同时实现输入阻抗匹配和噪声优化。对采用中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺实现的芯片的测试结果表明,3dB带宽为300kHz～1.6GHz,最大增益S_(21)为16.7dB,输入反射系数S_(11)小于-7.4dB,最小噪声系数为2.3 dB,输入参考的1dB增益压缩点为-11.6dBm,功耗为14.4mW,芯片面积为0.49mm^2。 展开更多

关键词 低噪声放大器(lna) 噪声抵消 软件无线电 宽带

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基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计 被引量：1

11

作者 郭瑞 杨浩 张海英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期786-790,共5页

设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59～64 GHz的微波信号下变频至5～10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了... 设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59～64 GHz的微波信号下变频至5～10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径。后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5～17.5 dB,双边带噪声因子为6.4～7.8 dB,输入1 dB压缩点为-23 dBm。电路在1.2 V电源电压下功耗仅为38.4 mW。该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2。 展开更多

关键词 60GHz频段 射频接收前端 低噪声放大器 混频器 互补金属氧化物半导体

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利用Cadence设计COMS低噪声放大器 被引量：2

12

作者 肖奔 殷蔚 《现代电子技术》 2009年第10期8-10,共3页

结合一个2.4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路,介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5.1.41完成CMOS低噪声放大器设计。首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法,然后结合计算结果,利用Cadence软件进行电路的原理图仿真,并完成了... 结合一个2.4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路,介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5.1.41完成CMOS低噪声放大器设计。首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法,然后结合计算结果,利用Cadence软件进行电路的原理图仿真,并完成了电路版图设计以及后仿真。仿真结果表明,电路的输入/输出均得到较好的匹配。由于寄生参数,使得电路的噪声性能有约3 dB的降低。对利用Cadence软件完成CMOS射频集成电路设计,特别是低噪声放大器设计有较好的参考价值。 展开更多

关键词 低噪声放大器 CMOS 射频IC CADENCE

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无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器

13

作者 赵彦晓 张万荣 +4 位作者 谢红云 金冬月 丁春宝 郭振杰 高栋 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期690-695,共6页

设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出... 设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21】16 dB,NF【3.5 dB,S11【-10 dB,S22【-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义. 展开更多

关键词 SIGE HBT 有源电感峰化技术 噪声抵消支路 宽带低噪声放大器 射频前端

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一种基于自级联结构的低功耗植入式神经元放大器（英文）

14

作者 刘新 安广雷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期651-655,共5页

提出了一种基于自级联运算跨导放大器的低功耗低噪声的神经元放大器,其可用于植入式有源射频识别传感器。植入式传感器主要的难点是通过无线的方式为生物组织内功率器件或其他替代源供电的能力,介绍了一种能够由射频供电的超低功率的神... 提出了一种基于自级联运算跨导放大器的低功耗低噪声的神经元放大器,其可用于植入式有源射频识别传感器。植入式传感器主要的难点是通过无线的方式为生物组织内功率器件或其他替代源供电的能力,介绍了一种能够由射频供电的超低功率的神经元放大器,为了减少功耗,放大器供电电压设置为0.6 V,是目前有记录的相对较低供电电压。通过测试,带通放大器的增益为25.7 dB,3 dB带宽为625 Hz^9.25 kHz,测量输入参考噪声为13.7μVrms,总功耗为1.68μW。此放大器由0.18μm CMOS工艺实现,通过低电压设计,得到一个功耗与射频功耗相匹配的植入式传感器。 展开更多

关键词 神经元信号 低功耗低噪声设计 亚阈值操作 带通放大器 智能射频识别传感器(rfID)

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宽带高增益输出平衡CMOS低噪声放大器的设计

15

作者 邹雪城 余杨 +1 位作者 邹维 任达明 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期721-725,共5页

设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡... 设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡的问题,采用了缩放技术、噪声消除技术以及两级的全差分放大器作为输出缓冲级,来有效降低电路的噪声系数,提高增益和输出平衡度。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工艺设计仿真和流片,测试结果表明:在0.05~2.5 GHz频带范围内,该LNA的最高功率增益达24.5 d B,全频段内噪声系数为2.6~4 d B,输入反射系数小于-10 d B,输出差分信号幅度和相位差分别低于0.6 d B和1.8°。 展开更多

关键词 宽带低噪声放大器 射频 噪声消除 输出平衡 无线接收机

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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究 被引量：4

16

作者 陈勇波 周建军 +2 位作者 徐跃杭 国云川 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第6期84-88,共5页

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低... 基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。 展开更多

关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声 低噪声放大器

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射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨 被引量：2

17

作者 赵巾翔 汪峰 +4 位作者 于汉超 王魁松 张胜利 梁晓新 阎跃鹏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期134-149,共16页

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器... 随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。 展开更多

关键词 无线通信 射频低噪声放大器 高线性 3阶交截点

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2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计 被引量：2

18

作者 傅海鹏 史昕宇 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期77-83,共7页

为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出... 为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出间并联反馈电容,实现输入端噪声与增益的同时匹配.设计了一种改进的动态偏置有源电流镜以提升输入1 dB压缩点及输入三阶交调点的线性度指标.为满足应用需求,LNA与射频开关及电源模块集成组成低噪声射频前端接收芯片进行流片加工测试.测试结果表明:在工作频率2.4~2.5GHz内,整个接收芯片增益为14.6~15.2 dB,S_(11)、S_(11)<-9.8 dB,NF<2.1 dB,2.45 GHz输入1 dB压缩点为-2.7 dBm,输入三阶交调点为+12 dBm.芯片面积为1.23 mm×0.91 mm.该测试结果与仿真结果表现出较好的一致性,所设计的LNA展现出了较好的线性度表现. 展开更多

关键词 低噪声放大器 线性度 射频前端芯片 BICMOS工艺

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