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一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法
被引量：
2
1
作者
刘志农
熊小义
+3 位作者
付玉霞
张伟
陈培毅
钱佩信
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期26-28,共3页
在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度...
在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。
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关键词
EFL
线性拟合
rie工艺刻蚀
四探针
外延层厚度
掺杂浓度
测量
SiGe-HBT加工
工艺
双极性晶体管
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职称材料
题名
一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法
被引量：
2
1
作者
刘志农
熊小义
付玉霞
张伟
陈培毅
钱佩信
机构
清华大学微电子所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期26-28,共3页
文摘
在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。
关键词
EFL
线性拟合
rie工艺刻蚀
四探针
外延层厚度
掺杂浓度
测量
SiGe-HBT加工
工艺
双极性晶体管
Keywords
EFL
Linearly forming
rie
four-probe
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法
刘志农
熊小义
付玉霞
张伟
陈培毅
钱佩信
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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