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Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns 被引量:6
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作者 周勋 罗子江 +5 位作者 郭祥 张毕禅 尚林涛 周清 邓朝勇 丁召 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期428-431,共4页
Surface segregation is studied via the evolution of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns under different values of As4 BEP for InGaAs films. When the As4 BEP is set to be zero, the RHEED patt... Surface segregation is studied via the evolution of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns under different values of As4 BEP for InGaAs films. When the As4 BEP is set to be zero, the RHEED pattern keeps a 4x3/(nx3) structure with increasing temperature, and surface segregation takes place until 470 ℃ The RHEED pattern develops into a metal-rich (4x2) structure as temperature increases to 495℃. The reason for this is that surface segregation makes the In inside the InGaAs film climb to its surface. With the temperature increasing up to 515℃, the RHEED pattern turns into a GaAs(2x4) structure due to In desorption. While the As4 BEP comes up to a specific value (1.33 x 10-4 Pa-1.33 x 10-3 Pa), the surface temperature can delay the segregation and desorption. We find that As4 BEP has a big influence on surface desorption, while surface segregation is more strongly dependent on temperature than surface desorption. 展开更多
关键词 reflection high-energy electron diffraction InGaAs films surface segregation surface desorption
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Design of a novel correlative reflection electron microscope for in-situ real-time chemical analysis
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作者 Tian-Long Li Zheng Wei Wei-Shi Wan 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期334-338,共5页
A novel instrument that integrates reflection high energy electron diffraction(RHEED),electron energy loss spectroscopy(EELS),and imaging is designed and simulated.Since it can correlate the structural,elemental,and s... A novel instrument that integrates reflection high energy electron diffraction(RHEED),electron energy loss spectroscopy(EELS),and imaging is designed and simulated.Since it can correlate the structural,elemental,and spatial information of the same surface region via the simultaneously acquired patterns of RHEED,EELS,and energy-filtered electron microscopy,it is named correlative reflection electron microscopy(c-REM).Our simulation demonstrates that the spatial resolution of this c-REM is lower than 50 nm,which meets the requirements for in-situ monitoring the structural and chemical evolution of surface in advanced material. 展开更多
关键词 reflection high energy electron diffraction(rheed) electron energy loss spectroscopy(EELS) parallel detection energy-filtered electron microscopy
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分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析 被引量:3
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作者 李美成 王禄 +2 位作者 熊敏 刘景民 赵连城 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期470-475,479,共7页
介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力... 介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用。 展开更多
关键词 分子束外延 INAS量子点 反射式高能电子衍射 实时原位 微结构分析
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GaAs同质外延生长过程的RHEED分析
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作者 熊政伟 王学敏 +3 位作者 张伟斌 姜帆 吴卫东 孙卫国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期831-835,共5页
采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强... 采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga∶As化学计量比约为52∶48,出现Ga的聚集。 展开更多
关键词 激光分子束外延 反射式高能电子衍射 生长模式 表面驰豫 表面重构
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Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究
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作者 苑军军 仇庆林 朱燕艳 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第2期98-102,共5页
采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反... 采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。 展开更多
关键词 Er2O3 高K材料 界面演变 反射式高能电子衍射(rheed) 俄歇能谱(AES)
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Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性 被引量:1
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作者 曹林洪 吴卫东 +1 位作者 唐永建 王雪敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1841-1845,共5页
采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHE... 采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整,而且生长模式为2维层状生长;原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm,说明薄膜表面达到原子级平整度。外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明:薄膜样品的电阻在120 K(Verwey转变温度)出现一峰值,略微下降后继续增大,展现出半导体型的导电特性;在激光作用下,整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小,样品展示出瞬间光电导的特性;从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K;光致电阻变化率随着温度的降低而增大,这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化。 展开更多
关键词 Fe3O4薄膜 反射高能电子衍射 磁电阻 激光诱导电阻
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温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响
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作者 冯丽 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期785-789,共5页
研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式... 研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式。实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低。其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的。 展开更多
关键词 分子束外延 原位反射高能电子衍射 Mg掺杂p-InN 光电导灵敏度
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