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40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
被引量：
1
1
作者
李智群
薛兆丰
+3 位作者
王志功
冯军
章丽
李伟
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期591-594,共4页
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电...
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。
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关键词
并行光接收
前端放大器
rgc结构
衬底噪声耦合
放大器隔离
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职称材料
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
被引量：
9
2
作者
唐立田
张海英
+2 位作者
黄清华
李潇
尹军舰
《电子器件》
CAS
2009年第3期566-569,共4页
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标...
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。
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关键词
跨阻放大器
rgc结构
等效输入噪声电流谱密度
0.18μm
CMOS工艺
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职称材料
题名
40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
被引量：
1
1
作者
李智群
薛兆丰
王志功
冯军
章丽
李伟
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期591-594,共4页
基金
863计划（2003AA312040）资助项目.
文摘
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。
关键词
并行光接收
前端放大器
rgc结构
衬底噪声耦合
放大器隔离
Keywords
parallel optical receiver, front-end amplifier, regulated-cascede （
rgc
）, substrate noise coupling, isolation of amplifier
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
被引量：
9
2
作者
唐立田
张海英
黄清华
李潇
尹军舰
机构
中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室
出处
《电子器件》
CAS
2009年第3期566-569,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60276021)
国家重点基础研究发展规划项目资助(G2002CB311901)
文摘
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。
关键词
跨阻放大器
rgc结构
等效输入噪声电流谱密度
0.18μm
CMOS工艺
Keywords
trans-impedance amplifier
regulated cascode（
rgc
）
equivalent input current noise spectral density
0. 18μm CMOS technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
李智群
薛兆丰
王志功
冯军
章丽
李伟
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
唐立田
张海英
黄清华
李潇
尹军舰
《电子器件》
CAS
2009
9
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职称材料
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