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氮化硼薄膜的场致发射特性被引量：5: 1; 作者顾广瑞何志 +3 位作者李英爱王翠冯伟赵永年《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期44-48,共5页; 研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超... 展开更多; 关键词 bn薄膜场致发射氮化硼薄膜基板偏压薄膜厚度磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性被引量：2: 2; 作者顾广瑞李英爱 +4 位作者陶艳春何志殷红李卫青赵永年《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期10-13,共4页; 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发... 展开更多; 关键词纳米氮化硼薄膜场发射特性薄膜厚度功函数场发射平板显示器; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响被引量：1: 3; 作者顾广瑞李英爱 +8 位作者刘艳梅陶艳春何志殷红李卫青冯伟白玉白田野赵永年《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期352-355,共4页; 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度... 展开更多; 关键词氮化硼薄膜薄膜厚度场发射特性薄膜结构阈值电压表面粗糙度场发射显示器; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：1: 4; 作者顾广瑞吴宝嘉 +3 位作者李全军金哲盖同祥赵永年《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期120-123,共4页; 利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)... 展开更多; 关键词氮气分压氮化硼薄膜场发射射频磁控溅射法红外光谱分析开启电场隧道效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究: 5; 作者于丽娟邓宁 +1 位作者李俊峰朱长纯《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期301-303,共3页; 用Ｂ２Ｈ６和ＳｉＨ４作反应气体，通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法，在Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜，用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在... 展开更多; 关键词射频等离子体增强化学气相沉积氮化硼薄膜场发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：2: 6; 作者孙文斗顾广瑞 +4 位作者孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页; 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大... 展开更多; 关键词场发射基底温度表面粗糙度氮化硼薄膜射频磁控溅射隧道效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硼薄膜的场致发射特性被引量：5: 1; 作者顾广瑞何志李英爱王翠冯伟赵永年; 机构吉林大学超硬材料国家重点实验室青岛化工学院信控学院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期44-48,共5页; 基金国家自然科学基金资助 ( 5 9831 0 4 0 ); 文摘研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性。; 关键词 bn薄膜场致发射氮化硼薄膜基板偏压薄膜厚度磁控溅射; Keywords bn thin films field emission bias; 分类号 O484.4 [理学—固体物理] O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性被引量：2: 2; 作者顾广瑞李英爱陶艳春何志殷红李卫青赵永年; 机构吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林大学超分子结构和谱学开放实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期10-13,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(59831040); 文摘利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。; 关键词纳米氮化硼薄膜场发射特性薄膜厚度功函数场发射平板显示器; Keywords thin bn films field emission thickness work function; 分类号 O484.4 [理学—固体物理] TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响被引量：1: 3; 作者顾广瑞李英爱刘艳梅陶艳春何志殷红李卫青冯伟白玉白田野赵永年; 机构吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林大学化学学院吉林大学超分子结构和谱学开放实验室吉林省科学技术厅; 出处《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期352-355,共4页; 基金国家自然科学基金(批准号:59831040).; 文摘利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.; 关键词氮化硼薄膜薄膜厚度场发射特性薄膜结构阈值电压表面粗糙度场发射显示器; Keywords bn thin film field emission thickness; 分类号 TN873.95 [电子电信—信息与通信工程] O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：1: 4; 作者顾广瑞吴宝嘉李全军金哲盖同祥赵永年; 机构延边大学理工学院物理系吉林大学超硬材料国家重点实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期120-123,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 5 983 10 40 ); 文摘利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为 32 0 μA/cm2 。所有样品的场发射FN曲线均近似为直线。; 关键词氮气分压氮化硼薄膜场发射射频磁控溅射法红外光谱分析开启电场隧道效应; Keywords field emission bn thin films N_2 content; 分类号 TN873.95 [电子电信—信息与通信工程] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究: 5; 作者于丽娟邓宁李俊峰朱长纯; 机构西安交通大学电信学院电子工程系; 出处《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期301-303,共3页; 基金国家自然科学基金国家教委博士点基金; 文摘用Ｂ２Ｈ６和ＳｉＨ４作反应气体，通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法，在Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜，用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为８ × １０－４Ｐａ条件下，对ＢＮ薄膜的电流一电压特性进行测量，并得到了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ特性曲线，ＢＮ膜的场发射开启电场为９Ｖ／μｍ，在电场３７．５Ｖ／μｍ时，电流密度达到２４．８ｍＡ／ｃｍ２。; 关键词射频等离子体增强化学气相沉积氮化硼薄膜场发射; Keywords rf-pecvd, bn films, field emission; 分类号 TQ163 [化学工程—高温制品工业] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：2: 6; 作者孙文斗顾广瑞孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年; 机构延边大学理工学院物理系吉林大学超硬材料国家重点实验室; 出处《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页; 基金国家自然科学基金(批准号:59831040).; 文摘利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.; 关键词场发射基底温度表面粗糙度氮化硼薄膜射频磁控溅射隧道效应; Keywords bn films field emission substrate temperature surface roughness; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氮化硼薄膜的场致发射特性	顾广瑞何志李英爱王翠冯伟赵永年	《液晶与显示》 CAS CSCD	2002	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性	顾广瑞李英爱陶艳春何志殷红李卫青赵永年	《液晶与显示》 CAS CSCD	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响	顾广瑞李英爱刘艳梅陶艳春何志殷红李卫青冯伟白玉白田野赵永年	《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响	顾广瑞吴宝嘉李全军金哲盖同祥赵永年	《液晶与显示》 CAS CSCD	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究	于丽娟邓宁李俊峰朱长纯	《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响	孙文斗顾广瑞孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年	《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料