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光阴极RF腔注入器束流发射度研究
1
作者
肖效光
胡克松
+1 位作者
李正红
黎明
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期297-300,共4页
分析了光阴极RF腔注入器中的RF场效应和空间电荷效应,给出了电子在加速腔中束流发射度的解析表达式,它说明在加速过程中束流发射度是振荡变化的。利用SUPERFISH和GPT程序模拟计算了光阴极1+1/2腔注入器输出束流发射度与加速场强、注...
分析了光阴极RF腔注入器中的RF场效应和空间电荷效应,给出了电子在加速腔中束流发射度的解析表达式,它说明在加速过程中束流发射度是振荡变化的。利用SUPERFISH和GPT程序模拟计算了光阴极1+1/2腔注入器输出束流发射度与加速场强、注入相位、束团大小和形状、束团电荷的关系。适当选择这些条件,可以获得横向发射度小于2πmm·mrad的输出束流。
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关键词
光阴极
rf
腔注入器
束流发射度
rf场效应
空间电荷
效应
加速器
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职称材料
电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性
2
作者
王晶晶
何泽召
+4 位作者
宋旭波
张平伟
郭辉
冯志红
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期685-690,共6页
采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,...
采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,电学性能稳定。研究了抛光转速和压力对金刚石膜抛光效率的影响,抛光处理后金刚石表面粗糙度(R ms)为0.569 nm。采用氢等离子体处理方法对该样品进行处理形成p型表面沟道,并采用自对准工艺制作出具有射频特性的金刚石场效应晶体管,其饱和电流密度为330.9 mA/mm,电流截止频率f T为9.3 GHz,最大振荡频率f max为18.5 GHz。
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关键词
直流电弧喷射法
多晶金刚石
射频
场效应
晶体管（
rf
MESFET）
射频特性
抛光速率
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职称材料
题名
光阴极RF腔注入器束流发射度研究
1
作者
肖效光
胡克松
李正红
黎明
机构
中国工程物理研究院应用电子学研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期297-300,共4页
基金
国家863计划项目资助课题
文摘
分析了光阴极RF腔注入器中的RF场效应和空间电荷效应,给出了电子在加速腔中束流发射度的解析表达式,它说明在加速过程中束流发射度是振荡变化的。利用SUPERFISH和GPT程序模拟计算了光阴极1+1/2腔注入器输出束流发射度与加速场强、注入相位、束团大小和形状、束团电荷的关系。适当选择这些条件,可以获得横向发射度小于2πmm·mrad的输出束流。
关键词
光阴极
rf
腔注入器
束流发射度
rf场效应
空间电荷
效应
加速器
Keywords
rf
-injector
Beams emittance
rf
field effect
Space charge effect
分类号
TL503.3 [核科学技术—核技术及应用]
TL501 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性
2
作者
王晶晶
何泽召
宋旭波
张平伟
郭辉
冯志红
蔡树军
机构
专用集成电路重点实验室
河北工业大学信息工程学院
河北省激光研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期685-690,共6页
文摘
采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,电学性能稳定。研究了抛光转速和压力对金刚石膜抛光效率的影响,抛光处理后金刚石表面粗糙度(R ms)为0.569 nm。采用氢等离子体处理方法对该样品进行处理形成p型表面沟道,并采用自对准工艺制作出具有射频特性的金刚石场效应晶体管,其饱和电流密度为330.9 mA/mm,电流截止频率f T为9.3 GHz,最大振荡频率f max为18.5 GHz。
关键词
直流电弧喷射法
多晶金刚石
射频
场效应
晶体管（
rf
MESFET）
射频特性
抛光速率
Keywords
direct current arc plasma jet
polycrystalline diamond
rf
MESFET
rf
characteristics
polishing rate
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光阴极RF腔注入器束流发射度研究
肖效光
胡克松
李正红
黎明
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
在线阅读
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职称材料
2
电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性
王晶晶
何泽召
宋旭波
张平伟
郭辉
冯志红
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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