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LMW—400型MRI装置RF激励脉冲中尖刺噪声的消除
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作者 朴大庆 罗昌渠 《中国医疗器械杂志》 CAS 2000年第6期326-329,共4页
LMW - 4 0 0型MRI装置的射频激励信号中有尖刺噪声。此尖刺噪声在RF脉冲之后出现 ,具有约4 0 %的最大RF脉冲值。由于它存在于读出梯度期间 ,故必须消除此尖刺噪声以减少图像伪像。在调制板上进行的试验表明 ,由于两个控制信号的沿边突... LMW - 4 0 0型MRI装置的射频激励信号中有尖刺噪声。此尖刺噪声在RF脉冲之后出现 ,具有约4 0 %的最大RF脉冲值。由于它存在于读出梯度期间 ,故必须消除此尖刺噪声以减少图像伪像。在调制板上进行的试验表明 ,由于两个控制信号的沿边突然升起 ,这种噪声是固有的。对此两种信号采用简单的积分电路 。 展开更多
关键词 MRI rf脉冲 尖刺噪声 积分电路
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RFCO_2激光器过热保护电路研究 被引量:1
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作者 滕学顺 张志诚 《红外与激光技术》 CSCD 1995年第3期45-50,共6页
本文详细讨论了RFCO_2激光器过热保护电路的技术要求和设计方法,并根据热敏电阻、温敏二极管、热敏集成电路和温度传感器等不同热敏器件,给出五种过热保护电路的实用电路原理简图。
关键词 二氧化碳激光器 射频电源 保护电路 热敏电阻
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RF-SOI技术应对RF技术革新 被引量:4
3
作者 刘燚 《集成电路应用》 2017年第11期35-37,共3页
2017国际RF-SOI论坛在上海召开。这次举办的2017国际RF-SOI论坛,是由上海新敖科技和国际SOI产业联盟共同主办,延续了2016年"物联网与5G"的主题,邀请了来自国内外的多位专家介绍国际最先进的RF-SOI技术和市场动态及趋势,推动国... 2017国际RF-SOI论坛在上海召开。这次举办的2017国际RF-SOI论坛,是由上海新敖科技和国际SOI产业联盟共同主办,延续了2016年"物联网与5G"的主题,邀请了来自国内外的多位专家介绍国际最先进的RF-SOI技术和市场动态及趋势,推动国内RF-SOI产业链的健康发展。本次论坛的主题是讨论在产业链各个环节建立SOI生态系统。 展开更多
关键词 集成电路制造 rf-SOI 产业生态系统
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5G毫米波反向阵极简构架与CMOS芯片实现
4
作者 郭嘉诚 胡三明 +4 位作者 沈一竹 钱昀 胡楚悠 黄永明 尤肖虎 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1570-1581,共12页
该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μ... 该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μm CMOS工艺研制了5G毫米波反向阵芯片,包括发射前端、接收前端及跟踪锁相环等核心模块,其中发射及接收前端芯片采用次谐波混频及跨导增强等技术,分别实现了19.5 d B和18.7 d B的实测转换增益。所实现的跟踪锁相环芯片具备双模工作优势,可根据不同参考信号支持幅度调制及相位调制,实测输出信号相噪优于–125 dBc/Hz@100 kHz。该文给出的测试结果验证了所提5G毫米波反向阵通信架构及其CMOS芯片实现的可行性,从而为5G/6G毫米波通信探索了一种架构极简、成本极低、拓展性强的新方案。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 CMOS 反向阵 射频前端
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基于ATE的高速DAC射频参数SFDR测试技术优化
5
作者 沈锺杰 张一圣 +1 位作者 孔锐 王建超 《现代电子技术》 北大核心 2024年第2期16-20,共5页
利用集成电路自动测试设备(ATE)测试高速DAC射频参数时,由于ATE测试板PCB走线较长、损耗较大以及机台提供的信号抖动比实装大等原因,导致ATE上高速DAC射频参数测试指标低于实装测试值。为此,文中介绍DAC电路的工作原理和测试方法;其次... 利用集成电路自动测试设备(ATE)测试高速DAC射频参数时,由于ATE测试板PCB走线较长、损耗较大以及机台提供的信号抖动比实装大等原因,导致ATE上高速DAC射频参数测试指标低于实装测试值。为此,文中介绍DAC电路的工作原理和测试方法;其次为解决上述问题,对测试码的生成以及PCB的布局等进行一系列改进,并将改进前后的测试值与典型值进行对比。结果表明,改进措施成效显著,大大优化了高速DAC射频参数的测试指标,使得SFDR等高频DAC动态类参数指标接近或达到实装测试值。 展开更多
关键词 集成电路 自动测试设备(ATE) 高速数模转换器 射频参数 SFDR参数 测试码 PCB测试板
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基于磁耦合谐振腔的可重构宽带匹配电路
6
作者 李航标 《电讯技术》 北大核心 2024年第7期1147-1155,共9页
为了降低工艺波动、版图二阶效应、模型偏差等非理想因素对射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit,RFIC)性能造成的不良影响,提出了一种基于磁耦合谐振腔的可重构宽带匹配电路(Reconfigurable Wideband Matching Network Bas... 为了降低工艺波动、版图二阶效应、模型偏差等非理想因素对射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit,RFIC)性能造成的不良影响,提出了一种基于磁耦合谐振腔的可重构宽带匹配电路(Reconfigurable Wideband Matching Network Based on Magnetically Coupled Resonator Tank,MCR-RWM)。通过数字控制电路配置可调电阻阵列和可调电容阵列,改变匹配电路增益、带宽、增益平坦度、纹波等参数,实现宽带匹配电路重构。在65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺设计了一款基于MCR-RWM的驱动放大器并集成于接收芯片。测试结果显示,在18.2~20.2 GHz频率范围,通过数字控制电路重构驱动放大器的宽带匹配,接收通道的S_(22)改善了3.5 dB,S_(21)提升了0.5 dB,增益平坦度改善了0.1 dB,-3 dB带宽增大了113 MHz。 展开更多
关键词 射频集成电路 可重构宽带匹配 磁耦合谐振腔 驱动放大器 工艺波动
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硅基平面螺旋电感的等效电路模型和参数提取 被引量:10
7
作者 黄志忠 殷晓星 +1 位作者 崔铁军 洪伟 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第6期777-783,共7页
针对螺旋电感传统等效电路模型的不足,提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型。该等效电路模型能很好地反映出电感参数随频率变化的实际效应,可适用于从低频到自谐振频率的宽频带范围。同时,应用电磁场全波分析方法对CMOS工艺下平... 针对螺旋电感传统等效电路模型的不足,提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型。该等效电路模型能很好地反映出电感参数随频率变化的实际效应,可适用于从低频到自谐振频率的宽频带范围。同时,应用电磁场全波分析方法对CMOS工艺下平面螺旋电感进行仿真分析。从得到的散射参数中提取电感L、Q值及自谐振频率。基于参数优化和曲线拟合技术,给出了等效电路模型中各个元件值的多变量闭合表达式。这些表达式可方便地用于集成电路的设计和优化,从而提高电路设计的性能和效率。 展开更多
关键词 射频集成电路 螺旋电感 电路模型 参数提取 CMOS工艺
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低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 被引量:3
8
作者 吴建锋 秦会斌 +1 位作者 黄海云 郑梁 《电子器件》 CAS 2009年第1期56-59,共4页
介绍了一个针对无线通讯应用的2.1 GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,电源电压为2.5 V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果。模拟结果显示,该电路能提供21.63dB的正向增益(S21)... 介绍了一个针对无线通讯应用的2.1 GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,电源电压为2.5 V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果。模拟结果显示,该电路能提供21.63dB的正向增益(S21),功耗为12.5 mW,噪声系数为2.1 dB,1 dB压缩点为-19.054 1 dBm。芯片面积为0.8 mm×0.6 mm。测试结果达到了设计指标,一致性良好。 展开更多
关键词 射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 线性度
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MEMS射频与微波应用技术新进展 被引量:7
9
作者 吴群 傅佳辉 《电子器件》 CAS 2001年第4期318-325,共8页
微机电系统 (Microelectromechanical system)代表了一项与集成电路制造工艺相同的新兴技术 ,在射频与微波领域得到广泛应用。无线通信发展的趋势是缩小系统尺寸、降低成本和功耗。本文综述了当前国际上 MEMS技术的最新发展现状 ,对在... 微机电系统 (Microelectromechanical system)代表了一项与集成电路制造工艺相同的新兴技术 ,在射频与微波领域得到广泛应用。无线通信发展的趋势是缩小系统尺寸、降低成本和功耗。本文综述了当前国际上 MEMS技术的最新发展现状 ,对在射频与微波应用的各种 MEMS器件关键技术进行了探讨。 展开更多
关键词 微机电系统 微波 射频 集成电路
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一种高集成LTCC射频前端电路 被引量:4
10
作者 柳现发 王绍东 +1 位作者 吴洪江 洪求龙 《微纳电子技术》 CAS 2008年第9期547-550,556,共5页
设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路。讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板微波电路仿真分析。依托先进的LTCC制造工艺技... 设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路。讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板微波电路仿真分析。依托先进的LTCC制造工艺技术,该射频前端电路高密度集成了MMIC和CMOS芯片、贴片元件、多种形式的嵌入式滤波器以及控制线、微带线、带状线等元件,实现了微波信号放大、下变频和控制,具有体积小、重量轻、低噪声、低功耗、多通道的特点。该电路性能优良,增益62dB,噪声系数2.8dB,输入驻波比小于1.8,与采用混合集成电路技术的同类产品相比体积大幅度减小。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 射频前端 系统级封装 谐波平衡 微波单片集成电路
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微系统三维集成技术的新发展 被引量:24
11
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期1-10,共10页
进入新世纪,微电子的发展进入纳电子/集成微系统时代,人们在继续发展摩尔定律的同时,创新了超越摩尔定律的微系统三维集成技术。介绍了在成像传感、光集成微系统、惯性传感微系统、射频微系统、生物微系统和逻辑微系统的三维集成技术的... 进入新世纪,微电子的发展进入纳电子/集成微系统时代,人们在继续发展摩尔定律的同时,创新了超越摩尔定律的微系统三维集成技术。介绍了在成像传感、光集成微系统、惯性传感微系统、射频微系统、生物微系统和逻辑微系统的三维集成技术的新发展,包含MEMS和IC的3D异构集成、具有Si插入器的SiP3D集成和异质3D集成等技术和各自相应的特点,以及在各应用领域所产生的革命性成果。还介绍了微系统三维集成中有关TSV的可靠性研究的最新进展。 展开更多
关键词 微系统 3D集成 成像传感 光集成 惯性传感 射频(rf) 生物 多核逻辑电路 芯片上网络 可靠性 异构集成
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雷达射频集成电路的发展及应用 被引量:10
12
作者 李明 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2012年第9期8-15,共8页
文中主要探讨雷达射频/微波集成电路的发展及其应用。介绍了现代雷达的发展趋势、雷达射频系统的演变历程以及目前国内外相关的射频集成电路的最新成果,讨论了射频片上系统(SoC)的未来趋势。针对现代主流的有源相控阵雷达,介绍了几种可... 文中主要探讨雷达射频/微波集成电路的发展及其应用。介绍了现代雷达的发展趋势、雷达射频系统的演变历程以及目前国内外相关的射频集成电路的最新成果,讨论了射频片上系统(SoC)的未来趋势。针对现代主流的有源相控阵雷达,介绍了几种可行的系统级射频芯片的集成方向,最后强调了系统级射频集成电路测试在设计中的重要性,并给出一种基于模块化结构的自动测试设备(ATE)测试平台方案。 展开更多
关键词 雷达 射频集成电路 系统级射频集成电路 系统级封装 自动测试设备
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硅基三维集成射频无源器件及电路研究进展 被引量:4
13
作者 朱樟明 尹湘坤 +1 位作者 刘晓贤 杨银堂 《微电子学与计算机》 2023年第1期11-17,共7页
射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于... 射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于硅通孔的三维集成技术可以实现硅基电路的多层堆叠,在实现高密度、高性能、微型化的射频系统方面具有巨大发展潜力和广阔应用前景.本文介绍了基于硅基三维集成技术实现的射频无源器件及电路的研究进展,主要包括无源电容、电感、天线、滤波器、功分器、耦合器、巴伦.最后,对各类射频无源器件及功能电路模块的发展现状和趋势进行了总结和展望. 展开更多
关键词 三维集成电路 射频 无源器件 无源电路 硅通孔
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0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计 被引量:1
14
作者 张弘 梁元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第10期37-41,46,共6页
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz... 本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz频点的IIP3为-4dBm,输入、输出反射系数分别小于-10.2dB和-10.89dB,噪声指数单调下降到1.46dB,并且总功耗和带内最大增益摆幅较低. 展开更多
关键词 CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道
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6.7GHz~7.9GHz UWB室内定位接收机射频端设计
15
作者 杜海明 付川南 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第4期934-939,共6页
针对超宽带室内定位接收系统,为解决超宽带信号采样率高的难题,提出了一种新颖的、易实现的非相干检测数模混合结构的接收方案。与其他接收方案相比,该方案采用可控积分检测电路作为系统的A/D转换部分,不仅完成了信号检测,还实现了射频... 针对超宽带室内定位接收系统,为解决超宽带信号采样率高的难题,提出了一种新颖的、易实现的非相干检测数模混合结构的接收方案。与其他接收方案相比,该方案采用可控积分检测电路作为系统的A/D转换部分,不仅完成了信号检测,还实现了射频电路与数字基带电路的完美结合。在电路射频端的实现与性能分析的基础上利用ADS进行仿真,并实现了该积分检测电路的实物设计与性能测试,将测试结果与仿真结果进行比较,验证了该电路设计的可行性。 展开更多
关键词 超宽带 室内定位 射频前端 可控积分检测器
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L波段低噪声放大器的分析与设计
16
作者 李沛 吴晓光 《武汉科技学院学报》 2010年第1期44-47,共4页
利用Advanced Design System(ADS)完成了L波段低噪声放大器(LNA)的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终... 利用Advanced Design System(ADS)完成了L波段低噪声放大器(LNA)的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。 展开更多
关键词 射频微波集成电路 低噪声放大器 ADS 噪声系数 阻抗匹配
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0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器 被引量:1
17
作者 陈新华 陈志恒 +3 位作者 王志功 姚胡静 方芳 谢婷婷 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期10-13,共4页
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模... 分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 . 展开更多
关键词 射频集成电路 模拟CMOS集成电路 混频器 变频器
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基于HFSS和ADS的新型功率放大器联合仿真设计 被引量:2
18
作者 贲志红 李跃华 +2 位作者 杨敏 万晶 刘宇辙 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S2期143-145,共3页
针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合AD... 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益。此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度。 展开更多
关键词 射频集成电路 寄生效应 板级建模 阻抗匹配
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基于IFM的小型化线性射频放大器设计 被引量:2
19
作者 王青平 张晓发 +1 位作者 谭渊 袁乃昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期114-117,共4页
采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8~8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封... 采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8~8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封装技术与内匹配设计,电路设计简单,缩短了研发周期,降低了设计成本,提高了技术指标,有利于射频电路的小型化与集成化,放大器电路尺寸仅为92 mm×9 mm×1.2 mm。并对其进行了模块电磁兼容设计,以提高组件稳定性,最终满足用户要求,已成功用于某型号瞬时测频接收机中。 展开更多
关键词 瞬时测频接收机 射频放大器 增益均衡 小型化 单片微波集成电路
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一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计 被引量:1
20
作者 危长明 陈迪平 +1 位作者 王镇道 陈永洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期63-67,共5页
对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 d... 对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为150MHz, S11达到-38dB,消耗的电流为5mA。 展开更多
关键词 CMOS 低噪声放大器 噪声系数 射频集成电路
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