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Time-resolved Electroluminescence of Charge Carrier Dynamics in Multiple-emitting-layer White QLEDs with Polyethyleneimine Interlayers
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作者 YAN Shanshan WANG Shen +2 位作者 LIANG Wencheng LIU Weiwei KONG Youchao 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1851-1861,共11页
The charge carrier transport and recombination dynamics in the quantum dots-based light-emitting diodes(QLEDs)featuring multiple emitting layers(M-EMLs)has a great impact on the device performance.In this work,QLEDs b... The charge carrier transport and recombination dynamics in the quantum dots-based light-emitting diodes(QLEDs)featuring multiple emitting layers(M-EMLs)has a great impact on the device performance.In this work,QLEDs based on M-EMLs separated by polyethyleneimine ethoxylated(PEIE)layer with different stacking sequences of blue(B),green(G),and red(R)QDs layer were used to intuitively explore the injection,transportation and recombination processes of the charge carriers in QLEDs by using the time-resolved electroluminescence(TrEL)spectra.From the TrEL spectra mea-surements,green and red emissions were obtained first in the QLEDs with the EMLs sequences of G/PEIE/B/PEIE/R and B/PEIE/R/PEIE/G along the direction of light emission,respectively.While the QLEDs adopt EMLs sequences of B/PEIE/G/PEIE/R,the blue,green and red emissions were obtained nearly at the same time.The above phenomenon can be attributed to different charge carrier transmission and radiation recombination process in the EMLs due to different valence band offsets and conduction band offsets between R-,G-and B-QDs by using different sequences of EMLs.White emission with coordi-nates of(0.31,0.31)and correlated color temperature(CCT)of 5916 K was obtained in the QLEDs with the EMLs se-quences of B/PEIE/G/PEIE/R,which can be attributed to the relative uniform emission of B-,G-and R-QDs due to the effec-tive injection and radiation recombination of charge carriers in each of the EMLs.The above results have great significance for further understanding and improving the performance of QLEDs with M-EMLs. 展开更多
关键词 white qleds multiple emitting layers TrEL spectra charge carrier dynamics
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QLED用空穴传输层WO_3的形貌调控和光电性能研究 被引量:2
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作者 陈学诚 李耀刚 +1 位作者 王宏志 张青红 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1141-1145,共5页
采用溶剂热法在FTO导电玻璃上制备WO3薄膜,通过改变溶剂和添加剂的种类,调控WO3的微观形貌、光学性质和电学性质,以期作为空穴传输材料应用在QLED器件中。利用XRD、FE-SEM、紫外可见分光透射光谱、霍尔测试等方法分析表征样品。实验结... 采用溶剂热法在FTO导电玻璃上制备WO3薄膜,通过改变溶剂和添加剂的种类,调控WO3的微观形貌、光学性质和电学性质,以期作为空穴传输材料应用在QLED器件中。利用XRD、FE-SEM、紫外可见分光透射光谱、霍尔测试等方法分析表征样品。实验结果表明,通过溶剂热法成功制备了不同形貌的WO3薄膜,其光学透过率高,载流子传输速率得到明显提高,有望应用在QLED器件中进而提高QLED的器件效率。其中,采用水作为溶剂,并添加2 mL乙腈和0.07 g尿素的溶剂热条件制备的WO3薄膜其载流子传输速率最高为2.678×102cm2·Vs-1,导电性能最高,电阻率为5.334×10-2Ω·cm。 展开更多
关键词 WO3薄膜 空穴传输层 溶剂热法 qled
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印刷OLED/QLED材料研究进展 被引量:3
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作者 文宏福 钟锦耀 +7 位作者 符晓 李牧云 杨跃鑫 李依麟 姚日晖 王慧河 宁洪龙 彭俊彪 《数字印刷》 CAS 北大核心 2021年第1期1-11,共11页
近年来,基于薄膜晶体管(TFT)技术的有机发光二极管(OLED)显示已经逐步取代液晶显示成为主流显示技术。量子点发光二极管(QLED)和OLED结构相似,且半峰宽窄,光谱可调,寿命长,极具发展潜力。使用印刷技术制备OLED/QLED具有节约材料、易于... 近年来,基于薄膜晶体管(TFT)技术的有机发光二极管(OLED)显示已经逐步取代液晶显示成为主流显示技术。量子点发光二极管(QLED)和OLED结构相似,且半峰宽窄,光谱可调,寿命长,极具发展潜力。使用印刷技术制备OLED/QLED具有节约材料、易于图形化和精度高等优点,是下一代显示技术的研究方向。虽然印刷OLED/QLED技术发展尚未完全成熟,还有许多量产问题需要解决,但吸引了许多企业与科研人员的关注,发展非常迅速。本文首先介绍了OLED/QLED显示技术,基于此,具体阐述了印刷OLED/QLED材料发展,并对其未来技术发展方向进行展望。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 有机发光二极管 量子点发光二极管 印刷显示 显示技术
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基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
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作者 黄兴云 谢潇婷 +1 位作者 杨开宇 李福山 《发光学报》 北大核心 2025年第6期1120-1128,共9页
目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸... 目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)薄膜,并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中,成功获得了分辨率为8467像素每英寸(Pixel per inch,PPI)的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性,电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触,所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低,使其外量子效率(External quantum efficiency,EQE)得到较大提升,最大EQE达到了15.31%,最大亮度为100274 cd/m2。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 纳米压印 高分辨率 电荷阻挡层
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Efficient Perovskite Quantum Dots Light-emitting Diodes:Challenges and Optimization 被引量:2
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作者 LI Mengjiao WANG Ye +1 位作者 WANG Yakun LIAO Liangsheng 《发光学报》 北大核心 2025年第3期452-461,共10页
Perovskite quantum dot light-emitting diodes(Pe-QLEDs)have shown immense application potential in display and lighting fields due to their narrow full-width at half maximum(FWHM)and high photoluminescence quantum yiel... Perovskite quantum dot light-emitting diodes(Pe-QLEDs)have shown immense application potential in display and lighting fields due to their narrow full-width at half maximum(FWHM)and high photoluminescence quantum yield(PLQY).Despite significant advancements in their performance,challenges such as defects and ion migration still hinder their long-term stability and operational efficiency.To address these issues,various optimization strategies,including ligand engineering,interface passivation,and self-assembly strategy,are being actively researched.This review focuses on the synthesis methods,challenges and optimization of perovskite quantum dots,which are critical for the commercialization and large-scale production of high-performance and stable Pe-QLEDs. 展开更多
关键词 perovskite quantum dot light-emitting diodes(Pe-qleds) PHOTOLUMINESCENCE DEFECTS ion migration
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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
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作者 廖明月 何敏 +2 位作者 陈平 张巧明 雷衍连 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1262-1270,共9页
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空... 量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。 展开更多
关键词 硫氰酸亚铜 量子点发光二极管 空穴注入层 束缚电荷 交流驱动
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喷墨打印技术在印刷显示制造中的应用 被引量:1
7
作者 王雨欣 刘江浩 +6 位作者 王卉 张婉 齐英群 侯兰兰 乔云 徐英杰 黄蓓青 《包装工程》 CAS 北大核心 2024年第19期299-309,共11页
目的为深入了解喷墨打印技术在显示器件制造中发挥的作用,开拓该印刷技术的应用领域和场景,加快推进喷墨打印大尺寸显示屏的商业化应用和工业化生产。方法分析显示器件制造中现有工艺的不足,阐述喷墨打印技术的原理及技术优势,结合大量... 目的为深入了解喷墨打印技术在显示器件制造中发挥的作用,开拓该印刷技术的应用领域和场景,加快推进喷墨打印大尺寸显示屏的商业化应用和工业化生产。方法分析显示器件制造中现有工艺的不足,阐述喷墨打印技术的原理及技术优势,结合大量研究实例和科研成果,进一步说明该技术在显示器件,尤其是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode,QLED)制造中的应用和作用,最后结合研究现状总结目前的发展瓶颈,指出解决方向。结论喷墨打印技术在印刷显示制造中发挥出独特优势,具有广泛的适用性和巨大的应用价值,面向产业化生产的道路虽有挑战但前景可期。 展开更多
关键词 喷墨印刷 印刷显示 有机发光二极管(OLED) 量子点发光二极管(qled)
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磷化铟量子点及其电致发光研究现状和挑战 被引量:1
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作者 相恒阳 王益飞 +3 位作者 于鹏 张坤 赵家龙 曾海波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期231-251,共21页
量子点作为一种理想的发光材料,一直以来引起了科学家和工业界的广泛关注,推动了生物成像、照明、显示等领域的发展。随着生态环境保护的意识逐渐增强,磷化铟量子点(InP QDs)作为镉基量子点的最好替代者之一,受到了广泛的关注:一方面,In... 量子点作为一种理想的发光材料,一直以来引起了科学家和工业界的广泛关注,推动了生物成像、照明、显示等领域的发展。随着生态环境保护的意识逐渐增强,磷化铟量子点(InP QDs)作为镉基量子点的最好替代者之一,受到了广泛的关注:一方面,InP QDs具有与镉基量子点相媲美的发光和光电性质;另一方面,其发光光谱范围可覆盖整个可见光区,且合成工艺与镉基量子点共通。然而,因为InP QDs与传统镉基量子点相比,在元素价态、核壳晶格匹配性、反应动力学过程等方面具有特殊性,其合成化学的发展还不成熟,限制了其光电应用的研究进程。本文结合量子点显示的发展现状和未来需求,针对InP QDs体系进行了综述,通过分析其研究现状,分析其发展问题和挑战,并对其进行了展望,期望为量子点及其电致发光器件的进一步探索研究提供一些启示和帮助,推动无镉、低毒、高色纯度量子点体系的发展。 展开更多
关键词 量子点 磷化铟 qleds 高色纯度 显示
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ZnSe基蓝光量子点的中间壳层结构调控及其发光性能研究
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作者 伍仕停 余春燕 +2 位作者 方佳庆 徐阳 翟光美 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1160-1169,共10页
ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将... ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将均质的单层ZnSeS合金层替换为具有组分渐变结构的ZnSeS合金层,合成了具有径向方向Se/S浓度渐变梯度的ZnSeS合金中间壳层的ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS量子点,并利用X射线衍射谱、稳态光致发光光谱、时间分辨发光光谱、透射电镜和电致发光测试等表征手段研究了不同合金中间壳层对量子点结构、形貌和光学性能的影响。结果表明,所合成的具有组分梯度ZnSeS壳层的量子点的发射波长均为深蓝色(444.5 nm),发射线宽窄(<18 nm),尺寸均一,具有闪锌矿结构,结晶度高;随着ZnSeS合金中间壳层沿量子点径向方向组分渐变平滑度的不断提高,量子点的荧光量子效率(PLQY)和色纯度等光学性质依次改善,其中通过S原子扩散形成的具有线性缓变ZnSeS壳层的量子点具有最窄的发射线宽(15.8 nm)和最高的PLQY(20.7%)。利用这种具有最优荧光性能的量子点作为发光材料制备的发光二极管器件的最大外量子效率为1.8%,最高亮度为750 cd/m^(2)。本研究提出的量子点合成方案和结构优化策略有助于促进高质量无毒蓝光ZnSe基核/壳量子点的发展。 展开更多
关键词 无毒蓝光量子点 核/壳结构 梯度合金壳 ZNSE 量子点发光二极管 发光性能
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平板显示技术比较及研究进展 被引量:50
10
作者 李继军 聂晓梦 +4 位作者 李根生 王安祥 张伟光 郎风超 杨连祥 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期695-710,共16页
平板显示因具有体积小、重量轻、功耗低、画质好等优点,已被广泛应用于电子仪表显示、车载显示、数码相机、智能手机、个人电脑、电视产品等领域之中。本文介绍了薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFTL... 平板显示因具有体积小、重量轻、功耗低、画质好等优点,已被广泛应用于电子仪表显示、车载显示、数码相机、智能手机、个人电脑、电视产品等领域之中。本文介绍了薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFTLCD)、有机发光二极管Organic Light Emitting Diode(OLED)显示、量子点发光二极管Quantum Dot Light Emitting Diode(QLED)显示及微发光二极管(Micro-LED)显示这几种平板显示技术的结构及原理。从结构、材料、性能、应用几方面对这几种平板显示技术进行了比较。最后给出了这几种平板显示技术的最新研究进展。LCD显示经过多年发展,技术成熟,成本低廉,仍然在显示市场占据主流地位。OLED显示技术摆脱了传统LCD的背光源,开创了自发光显示的未来发展方向。在相当一段时期内,LCD和OLED仍将会共存于市场中,相互竞争和补充。QLED显示和Micro-LED显示这两种显示技术,在理论上较OLED显示具有更好的颜色表现、更长的工作寿命等优势,具有非常广阔的发展前景,将为未来显示行业提供更多更好的选择。 展开更多
关键词 平板显示技术 LCD OLED显示 qled显示 Micro-LED显示
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Cu-In-S三元量子点的合成及其性能调控 被引量:1
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作者 王海成 张雪 +5 位作者 周洁 姚易 吴瑞伟 邓玲 闫智然 曹进 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期5106-5111,共6页
采用前驱体分解法制备了Cu-In-S量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S量子点的形貌以及光学性能的影响。实验结果表明,反应时间和反应温度可影响Cu-In-S纳米颗粒的尺寸和光学性能。随时间增加,Cu-In-S粒径变大,同时会伴随着棒状晶体的出现,... 采用前驱体分解法制备了Cu-In-S量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S量子点的形貌以及光学性能的影响。实验结果表明,反应时间和反应温度可影响Cu-In-S纳米颗粒的尺寸和光学性能。随时间增加,Cu-In-S粒径变大,同时会伴随着棒状晶体的出现,荧光发射谱的峰位发生红移。随反应温度升高,纳米晶的形核速率和长大速率增加,并且粒径也有增大,纳米晶的形状可以由单一的球形变为球形与棒状的混合,荧光谱峰位亦会发生红移。X射线光电子能谱分析表明,所制备颗粒为CuInS2纳米晶。为进一步制备无毒量子点发光器件(QLEDs)奠定了基础。 展开更多
关键词 CuInS 量子点 化学合成 PL光谱 qleds
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一步法合成硫量子点及其电致发光特性的研究
12
作者 冯香玉 姜娜 +3 位作者 王伟 李梦倩 赵谡玲 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1569-1574,共6页
硫量子点(SQDs)作为一类新的非金属元素量子点,不但具有绿色环保无毒的优点,而且制备简单、成本较低、溶解性好、光致发光(PL)特性稳定,引起了量子点领域研究人员极大的兴趣,在纳米电子学、光学、催化化学、生物医学以及传感器等领域都... 硫量子点(SQDs)作为一类新的非金属元素量子点,不但具有绿色环保无毒的优点,而且制备简单、成本较低、溶解性好、光致发光(PL)特性稳定,引起了量子点领域研究人员极大的兴趣,在纳米电子学、光学、催化化学、生物医学以及传感器等领域都有较好的应用前景。目前有关硫量子点的研究主要集中在硫量子点的合成及提高光致发光性能方面,同碳量子点类似,这类量子点在紫外灯的照射下也可以显示不同颜色的光,但绿色荧光性能还需进一步提高。该研究主要采用超声辅助处理液相反应等方法来制备硫量子点,采用正十二硫醇(1-Dodecanethiol)的长链硫醇分子来提供硫源,利用一步法高温(240℃)加热,在很短的时间内(2h)成功合成了蓝色单质硫量子点(SQDs),并对合成的量子点进行了荧光光谱(PL)、吸收光谱(Abs)、拉曼光谱、红外吸收光谱、元素分析和形貌分析的表征。由实验可以看出,硫量子点从550nm就开始逐渐出现吸收,主要是由于量子点表面缺陷多所致;在450nm处出现明显的吸收边,对应能带吸收;在372nm处的吸收,归结为量子点中存在S82-所导致的吸收。在330nm激发下,所合成的量子点呈现出明显的蓝光,主发射峰位于450nm处,主半峰宽大约50nm。而后分别改变反应温度和反应时间来合成不同量子点,实验发现随着反应温度的升高和反应时间的延长,所合成的硫量子点(SQDs)在330nm激发下均呈现出从蓝色到黄绿色的变化,荧光光谱(PL)发射峰主峰波长分别位于400、450和525nm,合成的硫量子点(SQDs)的发光量子产率(PLQY)可以达到1.48%。此外,我们利用合成的硫量子点(SQDs)首次制备电致发光器件,结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/SQDs/B4PyMPM/LiF/Al,并测试器件的电致发光特性,成功获得了硫量子点(SQDs)位于472nm的蓝光发射,通过改变电子传输层B4的厚度可以改变S-QLED器件的亮度,这为实现硫量子点(SQDs)的电致发光具有一定的指导作用。 展开更多
关键词 硫量子点(SQDs) 正十二硫醇(1-Dodecanethiol) 一步法 PL S-qled
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A brief review of innovative strategies towards structure design of practical electronic display device 被引量:3
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作者 MA Li SHAO Yun-fei 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第6期1624-1644,共21页
Display devices have significantly changed our daily life for decades,from the watches,television,to the laptop and smartphone.As the desire of advanced display device with high-resolution,long operation life and ligh... Display devices have significantly changed our daily life for decades,from the watches,television,to the laptop and smartphone.As the desire of advanced display device with high-resolution,long operation life and lightweight properties,several display techniques have been demonstrated.There are mainly four types of electronic display device:cathode ray tube(CRT),liquid-crystal display(LCD),organic light-emitting diode(OLED),and micro-LED.Due to the different working principles and device structures,each type of display device has its special characteristic properties.The performance of devices could be adjusted through the material selection or device design.With careful device structure regulation,not only the efficiency but also the stability would be improved.Herein,a brief review of innovative strategies towards the structure design is presented. 展开更多
关键词 innovative strategies OLED qled micro-LED display techniques
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应用于LED显示屏的CdSe荧光量子点的量子产率研究
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作者 李青龙 王利华 +2 位作者 钟跃汉 姚劲挺 黄涛宏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第S1期429-430,共2页
使用岛津荧光分光光度计RF-6000和紫外-可见分光光度计UV-2600测试CdSe荧光量子点的量子产率。采用罗丹明6G为荧光标准物质,先分别测试一系列荧光标准物质在荧光激发波长处的吸光度和一定荧光发射波长范围内的积分面积,然后分别以吸收... 使用岛津荧光分光光度计RF-6000和紫外-可见分光光度计UV-2600测试CdSe荧光量子点的量子产率。采用罗丹明6G为荧光标准物质,先分别测试一系列荧光标准物质在荧光激发波长处的吸光度和一定荧光发射波长范围内的积分面积,然后分别以吸收率、荧光发射峰积分强度为横、纵坐标绘制标准曲线。同法测试CdSe量子点样品代入相应公式即可获得荧光量子产率。结果表明,绘制的罗丹明6G标准曲线线性良好,制备的CdSe量子点量子产率高,能满足制造QLED显示屏的要求。 展开更多
关键词 量子点 CDSE 荧光量子产率 qled
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量子点背光液晶显示技术的亥姆霍兹-科尔劳施效应 被引量:7
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作者 季洪雷 程尚君 +3 位作者 李鹏飞 张彦 葛子义 钟海政 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期132-143,共12页
亥姆霍兹-科尔劳施效应(简称H-K效应)指的是人眼对色光的感知亮度随着色纯度的增加而提升的现象。量子点背光技术可显著提升液晶显示的色域和视觉感知亮度,已经在众多显示产品中开始应用。本论文通过观看者亮度感知实验,对比了YAG荧光... 亥姆霍兹-科尔劳施效应(简称H-K效应)指的是人眼对色光的感知亮度随着色纯度的增加而提升的现象。量子点背光技术可显著提升液晶显示的色域和视觉感知亮度,已经在众多显示产品中开始应用。本论文通过观看者亮度感知实验,对比了YAG荧光粉白光LED背光电视(YAG电视)和量子点背光电视(量子点电视)的H-K效应差异,根据Kaiser模型与Nayatani模型分析纯色实验的测试结果,并通过彩色实验探究了显示器的色域对感知亮度与主观偏好的影响。实验结果表明:量子点电视具有更为显著的H-K效应,视觉感知亮度明显高于传统YAG电视;在同样的感知亮度下,量子点电视的纯色R、G的物理亮度仅为YAG电视的75%、86%;鲜艳彩色画面的物理亮度为YAG电视的74%~88%;在相同感知亮度下,高色域的量子点电视更受欢迎,并且喜好趋势将随着亮度的增加而增加。上述结果对于健康显示的发展具有重要指导意义。 展开更多
关键词 量子点电视 H-K效应 感知亮度 显示 色彩
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CuInS_2/ZnS/ZnS量子点的制备与光电性能研究 被引量:2
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作者 赵志伟 杨尊先 +2 位作者 刘佳慧 叶冰清 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期155-162,共8页
首先以高温一锅煮法合成了CuInS_2核量子点,再通过连续和长时间的包覆ZnS外壳,制备出了量子产率高达76%的厚壳结构CuInS_2/ZnS/ZnS,将CuInS_2/ZnS/ZnS量子点作为发光层,利用简单的溶液处理法工艺成功制备出CuInS_2基量子点发光二极管(QL... 首先以高温一锅煮法合成了CuInS_2核量子点,再通过连续和长时间的包覆ZnS外壳,制备出了量子产率高达76%的厚壳结构CuInS_2/ZnS/ZnS,将CuInS_2/ZnS/ZnS量子点作为发光层,利用简单的溶液处理法工艺成功制备出CuInS_2基量子点发光二极管(QLEDs)。同时对量子点的结构、形貌和光学性能及CuInS_2基QLEDs的光电性能进行表征和分析,研究结果表明,通过延长高温反应时间在CuInS_2核上包覆ZnS外壳,能够合成具有良好的光致发光性能的CuInS_2/ZnS/ZnS量子点,利用溶液法制备的CuInS_2基QLEDs开启电压值仅为2.5 V,并且其发光亮度能够达到5473 cd/m^2。CuInS_2/ZnS/ZnS的光致发光和电致发光性能都有了很大的提升。 展开更多
关键词 量子点 量子产率 量子点发光二极管 发光亮度
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水汽处理对量子点发光二极管的性能影响研究
17
作者 郑旭刚 宋丹丹 +3 位作者 赵谡玲 乔泊 申崇渝 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1034-1039,共6页
在量子点电致发光二极管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中,外界空气尤其是水氧一直是影响器件性能的主要因素。而有研究表明水是导致QLED器件固定电流下亮度提升的原因之一,因此通过水汽处理的方式对这一效果进行提... 在量子点电致发光二极管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中,外界空气尤其是水氧一直是影响器件性能的主要因素。而有研究表明水是导致QLED器件固定电流下亮度提升的原因之一,因此通过水汽处理的方式对这一效果进行提升有利于进一步优化器件性能。主要基于水对量子点表面缺陷态的钝化作用来研究水汽处理量子点发光层对电致发光器件整体性能的影响,并探索最佳处理时间。首先利用全溶液法制备了一系列QLED器件,并在制备过程中对量子点膜层进行水汽处理,通过保持湿度不变改变处理时长的方式改变水汽处理程度。然后对各个器件进行电致发光光谱的表征,结果表明经过水汽处理的QLED器件的电致发光光谱相对未处理器件有一定程度的蓝移,并且随着处理时间的延长蓝移程度增大,分析发现这是水分子氧化量子点引起表面钝化从而减少带边缺陷态发光的结果。此外,通过测量各个器件的电流密度-电压-亮度(J-V-L)曲线对比不同水汽处理时长下器件的电流密度和发光强度大小,并通过计算得到各器件的电流效率曲线。结果表明随着处理时间的延长, QLED器件的亮度和电流效率都取得较大幅度的提升,处理时长为3 min时亮度提升10%,电流效率提升50%。最后,利用寿命测试设备对器件进行老化,得到不同处理时长器件在相同固定电流密度下亮度随时间变化的曲线。结果表明各个器件亮度均表现出先提升后下降的过程,亮度初始提升幅度约为50%~70%,并且提升到最大值所用时长随处理时间的增大而减小,说明水汽处理对器件亮度提升更有效。通过寿命公式计算器件的寿命并进行对比,发现经水汽处理器件寿命相对未处理器件最高提升了70%。总之,水汽处理对QLED器件的性能在一定程度上起优化作用,这对于QLED器件效率和寿命的提升以及封装工艺的简化是十分有益的。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 水汽处理 钝化作用 电致发光 寿命
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NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能
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作者 郭起玲 李景灵 +1 位作者 何新华 徐雪青 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期556-563,共8页
采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/Zn O/Ag的量子点发光二极管(QLED)中。XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺... 采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/Zn O/Ag的量子点发光二极管(QLED)中。XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺,获得Ni3+离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜。研究结果显示:随着旋涂NiO次数的增加,器件性能呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184cd/m2提高到4775 cd/m2,最大电流效率为0.54 cd/A,最大外量子效率为0.22%,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍。 展开更多
关键词 氧化镍 溶液法 空穴传输层 量子点发光二极管
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溶液法制备图案化量子点薄膜的研究进展 被引量:1
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作者 张敏 刘欢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期401-410,共10页
量子点发光二极管(QLED)由于具有显色性好,色纯度高和性能稳定等特点而受到广泛关注,可用于制备具有超薄结构和柔性结构的显示器件.量子点(QDs)层是QLED器件的核心发光层,制备高质量的图案化QD薄膜对于提高QLED器件性能至关重要.本文综... 量子点发光二极管(QLED)由于具有显色性好,色纯度高和性能稳定等特点而受到广泛关注,可用于制备具有超薄结构和柔性结构的显示器件.量子点(QDs)层是QLED器件的核心发光层,制备高质量的图案化QD薄膜对于提高QLED器件性能至关重要.本文综述了近年来溶液法制备QD薄膜的研究进展,探讨了目前主要使用的各种溶液法的优势和前景,并对最近新发展的纤维辅助的溶液可控转移制备QD薄膜方法的优势和发展前景进行了评述. 展开更多
关键词 溶液法 薄膜 量子点发光二极管器件
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基于In_(1−x)Ga_(x)P梯度合金核无镉量子点的制备及LED应用 被引量:1
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作者 叶海桥 曹璠 +1 位作者 窦永江 杨绪勇 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期846-855,共10页
低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP... 低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP QD仍然具有挑战性.因此,提出了以乙酰丙酮镓作为镓源,在高温下通过乙酰丙酮基对表面配体的活化作用,生成具有梯度合金核的In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点,有效解决了原有的InP与ZnSe之间晶格失配的问题;同时减少核壳界面缺陷,使量子点的荧光量子产率高达82%,所制备量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED)的外量子效率(external quantum efficiency,EQE)达到3.1%.相比传统的InP/ZnSe/ZnS结构量子点,In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点荧光量子产率提高了25%,器件的外量子效率提高了近一倍.该方案为解决InP量子点荧光量子产率低、发光器件性能差等问题提供了新的思路. 展开更多
关键词 磷化铟量子点 梯度合金核 配体活化 量子点发光二极管
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