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基于比特重排的减少机顶盒芯片DDR接口SSN的方法
1
作者
梁骏
叶剑兵
+1 位作者
王洪海
张明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期583-586,共4页
封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)...
封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)接口的传输频率.本文利用视频数据的相关性,及DDR颗粒的数据比特可以任意交换的特点,提出对DDR接口数据进行数据比特重排的方法来降低SSN效应.视频解码器使用到的数据在二维空间上高度相关.在DDR接口版图设计时将高比特位的数据与低比特位的数据在空间上交错放置,可使得DDR接口的电流分布更加平衡,减少通过封装寄生电感的平均电流,最终减少SSN.本文提出的方法成功用于台积电55rm工艺高清机顶盒芯片的设计.QFP封装的样片的DDR接口传输速率达到1066Mbps.
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关键词
DDR
SDRAM(双速率静态随机访问存储器)
SSN(同步开关噪音)
qfp
(
四方
型
扁平
式
封装
)
比特重排
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职称材料
题名
基于比特重排的减少机顶盒芯片DDR接口SSN的方法
1
作者
梁骏
叶剑兵
王洪海
张明
机构
浙江大学信息与通信工程研究所
杭州国芯科技股份有限公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期583-586,共4页
基金
国家自然科学基金(No.61072081
No.61271338)
国家科技重大专项(No.2009ZX01033-001-007)
文摘
封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)接口的传输频率.本文利用视频数据的相关性,及DDR颗粒的数据比特可以任意交换的特点,提出对DDR接口数据进行数据比特重排的方法来降低SSN效应.视频解码器使用到的数据在二维空间上高度相关.在DDR接口版图设计时将高比特位的数据与低比特位的数据在空间上交错放置,可使得DDR接口的电流分布更加平衡,减少通过封装寄生电感的平均电流,最终减少SSN.本文提出的方法成功用于台积电55rm工艺高清机顶盒芯片的设计.QFP封装的样片的DDR接口传输速率达到1066Mbps.
关键词
DDR
SDRAM(双速率静态随机访问存储器)
SSN(同步开关噪音)
qfp
(
四方
型
扁平
式
封装
)
比特重排
Keywords
DDR SDRAM （Double Data Rate Static Random Access Memory）
SSN （Simultaneous Switching Noise）
qfp
（Quad Flat Package）
bit rearrangement
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于比特重排的减少机顶盒芯片DDR接口SSN的方法
梁骏
叶剑兵
王洪海
张明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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