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Multifunctional hopeite nanocoating on Ti64 substrates by pulsed laser deposition and radio frequency magnetron sputtering for orthopedic implant applications:A comparative study 被引量:3
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作者 Ashish DAS Mukul SHUKLA 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期2198-2209,共12页
Functionalized implants demonstrate an upgraded approach in orthopedic implants,aiming to achieve long term success through improved bio integration.Bioceramic coatings with multifunctionality have arisen as an effect... Functionalized implants demonstrate an upgraded approach in orthopedic implants,aiming to achieve long term success through improved bio integration.Bioceramic coatings with multifunctionality have arisen as an effective substitute for conventional coatings,owing to their combination of various properties that are essential for bio-implants,such as osteointegration and antibacterial character.In the present study,thin hopeite coatings were produced by Pulsed laser deposition(PLD)and radio frequency magnetron sputtering(RFMS)on Ti64 substrates.The obtained hopeite coatings were annealed at 500°C in ambient air and studied in terms of surface morphology,phase composition,surface roughness,adhesion strength,antibacterial efficacy,apatite forming ability,and surface wettability by scanning electron microscope(SEM),X-ray diffraction(XRD),atomic force microscope(AFM),tensometer,fluorescence-activated cell sorting(FACS),simulated body fluid(SBF)immersion test and contact angle goniometer,respectively.Furthermore,based on promising results obtained in the present work it can be summarized that the new generation multifunctional hopeite coating synthesized by two alternative new process routes of PLD and RFMS on Ti64 substrates,provides effective alternatives to conventional coatings,largely attributed to strong osteointegration and antibacterial character of deposited hopeite coating ensuring the overall stability of metallic orthopedic implants. 展开更多
关键词 hopeite Ti64 alloy pulsed laser deposition magnetron sputtering coating IMPLANT
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Low temperature Raman study of PrCoO_3 thin films on LaAlO_3(100) substrates grown by pulsed laser deposition
2
作者 PRAKASH R KUMAR S +1 位作者 LEE C G SONG JI 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2010年第6期1144-1147,共4页
Thin films of PrCoO3 were deposited on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition technique.X-ray diffraction result indicates that films are single phase and c-axis textured.To investigate the spin state transition... Thin films of PrCoO3 were deposited on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition technique.X-ray diffraction result indicates that films are single phase and c-axis textured.To investigate the spin state transition,Raman spectroscopy measurements were performed at different temperatures.The position of the Raman modes is found to increase while full width at half maximum(FWHM) of these modes is found to decrease with the decrease of temperature across spin state transition temperature(220 K) of PrCoO3. 展开更多
关键词 PrCoO3 thin films Raman spectroscopy pulsed laser deposition
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脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能 被引量:13
3
作者 边继明 杜国同 +2 位作者 胡礼中 李效民 赵俊亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期958-962,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀。室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O2分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 光致发光
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衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响 被引量:10
4
作者 孙柏 邹崇文 +2 位作者 刘忠良 徐彭寿 张国斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1005-1010,共6页
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为... 在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni). 展开更多
关键词 ZNO 脉冲激光淀积 光致发光 同步辐射
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PLD方法制备的纳米Fe/Al薄膜的结构及应力分析 被引量:4
5
作者 王锋 李俊 +3 位作者 李国俊 吴卫东 唐永健 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1387-1390,共4页
采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明F... 采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明Fe/Al原子比为1∶1。X射线小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的物相是Al0.5Fe0.5,Al0.5Fe0.5晶体具有简单立方结构(SC),晶格常数为0.297 nm,平均晶粒尺寸为81.74 nm,平均微畸变为0.007 6。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) Fe/Al合金薄膜 原子力显微镜(AFM) X射线衍射(XRD)
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Zn_(0.9)Mg_(0.1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究 被引量:3
6
作者 陈志强 方国家 +2 位作者 李春 盛苏 赵兴中 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期707-712,共6页
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄... 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象. 展开更多
关键词 ZnMgO:Ga膜 脉冲激光沉积 沉积温度 真空退火
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基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究 被引量:6
7
作者 胡居广 刁雄辉 +5 位作者 李学金 林晓东 李佑国 刘毅 龙井华 李启文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期330-335,共6页
用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃~600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制... 用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃~600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。 展开更多
关键词 紫外探测器 MgZnO薄膜 温度 脉冲激光沉积
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PLD方法制备的超硬非晶碳薄膜研究 被引量:6
8
作者 王锋 吴卫东 +6 位作者 詹勇军 李俊 李盛印 曹林洪 葛芳芳 唐永建 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1649-1653,共5页
用脉冲激光沉积在不同条件下制备非晶碳超硬薄膜,研究了非晶碳超硬薄膜的表面形貌、结构、应力、硬度以及能谱等。原子力显微镜和扫描电镜图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度最大为0.877 nm。在高激光重复频率、高激光通... 用脉冲激光沉积在不同条件下制备非晶碳超硬薄膜,研究了非晶碳超硬薄膜的表面形貌、结构、应力、硬度以及能谱等。原子力显微镜和扫描电镜图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度最大为0.877 nm。在高激光重复频率、高激光通量条件下,薄膜有很大的应力,致使膜层褶皱甚至破裂,小角X射线衍射表明薄膜为非晶态且最大残余应力达30 GPa以上,但300℃温度的原位退火可以有效降低残余应力;纳米压痕测试表明薄膜硬度大于20 GPa,弹性模量大于200 GPa;X射线光电子能谱表明薄膜中sp3的含量在39%~53%之间变化,并且与激光通量成正比。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 非晶碳薄膜 硬度 弹性模量
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脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状与展望 被引量:8
9
作者 戢明 宋全胜 曾晓雁 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期22-26,共5页
综述了脉冲激光沉积 (PLD)薄膜技术的研究现状 ,并按照研究方向将整个研究领域分为三个部分 :PLD法沉积薄膜的机理 ,PLD的工艺研究以及PLD法沉积的主要薄膜材料 ,分别进行了阐述 ,对相关的研究工作提出了建议 。
关键词 脉冲激光沉积 薄膜 激光激发等离子体 制备
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激光频率对用PLD法生长氧化锌薄膜特性的影响 被引量:2
10
作者 吴木生 叶志清 +2 位作者 王根生 邓海东 欧阳桂仓 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第1期55-57,共3页
用脉冲激光沉积法(PLD)在硅(100)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜.分析了不同激光频率下薄膜的结晶状况,通过对薄膜的PL谱的测试,分析了不同激光频率下薄膜的发光特性状况,同时进行了薄膜结构的测试.结果显示:激光频率为3 Hz的样... 用脉冲激光沉积法(PLD)在硅(100)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜.分析了不同激光频率下薄膜的结晶状况,通过对薄膜的PL谱的测试,分析了不同激光频率下薄膜的发光特性状况,同时进行了薄膜结构的测试.结果显示:激光频率为3 Hz的样品结晶质量较高,具有很高的c轴择优取向,同时发光性能达到相对优化. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积法 氧化锌 X射线衍射 激光频率 光致发光
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PLD制备钛酸铅薄膜过程的RHEED分析 被引量:5
11
作者 葛芳芳 白黎 +2 位作者 吴卫东 曹林洪 沈军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期341-345,共5页
本文采用反射式高能电子衍射(RHEED)监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTiO3/MgO(001)薄膜、PbTiO3/Si(100)薄膜生长过程中RHEED强度的时间演变,分析基片对薄膜生长模式的影响。并且观测不同生长时刻的RHEED强度的空间分布,... 本文采用反射式高能电子衍射(RHEED)监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTiO3/MgO(001)薄膜、PbTiO3/Si(100)薄膜生长过程中RHEED强度的时间演变,分析基片对薄膜生长模式的影响。并且观测不同生长时刻的RHEED强度的空间分布,讨论生长过程中薄膜表面的台阶尺寸变化。另外,比较在不同氧分压下沉积的钛酸铅薄膜表面的RHEED图案,发现氧气将改变薄膜的微结构,提高薄膜的结晶性。 展开更多
关键词 钛酸铅薄膜 脉冲激光沉积 RHEED 生长模式
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PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究 被引量:2
12
作者 边继明 李效民 +1 位作者 赵俊亮 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期701-706,共6页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM 结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I—V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 光电导紫外探测器 光电响应机理
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PLD法制备TiO2薄膜及电阻转变特性研究 被引量:6
13
作者 曹逊 李效民 +1 位作者 于伟东 张亦文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期49-52,共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致... 采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积法 单极性 电阻转变特性 TIO2薄膜
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衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响 被引量:5
14
作者 赵子文 胡礼中 +4 位作者 张贺秋 孙景昌 刘维峰 骆英民 霍炳至 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期129-133,共5页
利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的... 利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 衬底温度
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AZO薄膜双靶PLD沉积及其光学性能分析 被引量:5
15
作者 胡少六 江超 +1 位作者 龙华 王又青 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期119-121,共3页
介绍了利用锌靶和铝靶在氧气气氛中进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,并与利用ZnO陶瓷靶沉积AZO薄膜的方法进行了对比,分析了此方法的优势和特点。描述了利用该方法在玻璃和硅片上沉积AZO薄膜的实验过程。通... 介绍了利用锌靶和铝靶在氧气气氛中进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,并与利用ZnO陶瓷靶沉积AZO薄膜的方法进行了对比,分析了此方法的优势和特点。描述了利用该方法在玻璃和硅片上沉积AZO薄膜的实验过程。通过透射光谱分析了沉积的透明导电膜在可见光区的透射性能,用X-射线衍射谱(XRD)研究了薄膜的结构。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 AZO薄膜 双靶
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衬底温度对PLD制备的Mo薄膜结构及表面形貌的影响 被引量:5
16
作者 雷洁红 邢丕峰 +1 位作者 唐永建 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期377-380,共4页
运用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)基片上沉积了金属Mo薄膜。在激光重复频率2Hz,能量密度5.2J/cm2,本底真空10-6Pa的条件下,研究Mo薄膜的结构和表面形貌,讨论了衬底温度对薄膜形貌与结构的影响。原子力显微镜(AFM)图像和X射线小角衍射... 运用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)基片上沉积了金属Mo薄膜。在激光重复频率2Hz,能量密度5.2J/cm2,本底真空10-6Pa的条件下,研究Mo薄膜的结构和表面形貌,讨论了衬底温度对薄膜形貌与结构的影响。原子力显微镜(AFM)图像和X射线小角衍射(XRD)分析表明,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2nm。沉积温度对Mo薄膜结构和表面形貌影响较大,在373~573K范围内随着温度升高,薄膜粗糙度变小,结晶程度变好。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 MO薄膜 表面粗糙度 结晶度
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PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜 被引量:5
17
作者 张蕾 方龙 +3 位作者 刘攀克 刘越彦 黎明锴 何云斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期224-226,共3页
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在... 采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ZNS薄膜 缓冲层 外延生长 晶体结构
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PLD制备铁电薄膜工艺参数的研究现状 被引量:7
18
作者 赵亚凡 陈传忠 宋明大 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期175-178,264,共5页
铁电薄膜在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用(前景)。脉冲激光沉积(PLD)在铁电薄膜制备方面显示出独特的优越性。介绍了PLD的原理、特点;综述了PLD工艺参数,包括衬底温度、氧气压力、靶材结构与成分... 铁电薄膜在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用(前景)。脉冲激光沉积(PLD)在铁电薄膜制备方面显示出独特的优越性。介绍了PLD的原理、特点;综述了PLD工艺参数,包括衬底温度、氧气压力、靶材结构与成分、能量密度、靶基距离、缓冲膜以及退火工艺等的研究现状;展望了PLD制备铁电薄膜的应用前景。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 铁电薄膜 工艺参数
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快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响 被引量:5
19
作者 刘磊 马明杰 +3 位作者 刘丹丹 郭慧尔 史成武 梁齐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期811-820,共10页
利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、紫外-可见-近... 利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了快速退火温度对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学性质和电学性能的影响。所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,退火温度为400℃时的薄膜结晶质量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。随着退火温度的升高,薄膜厚度逐渐减小,而平均颗粒尺寸逐渐增大。不同退火温度下的SnS薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1量级,400℃时退火薄膜的直接带隙为1.92eV。随着退火温度从300℃升高到500℃,电阻率由1.85×104Ω·cm下降到14.97Ω·cm。 展开更多
关键词 SnS薄膜 脉冲激光沉积 快速退火 光学性质
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Si(100)衬底上PLD法制备高取向度AlN薄膜 被引量:8
20
作者 张霞 陈同来 李效民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期419-424,共6页
采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄... 采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜 的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO/Si衬底上的A1N薄膜呈三维岛状生 长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,A1N薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密 度大小对A1N薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积 物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100). 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ALN薄膜 缓冲层
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