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Pr^(3+)∶Y_2SiO_5晶体中电磁感应光透明及群速度减慢 被引量:1
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作者 梁卿昌 杨冬 +1 位作者 王海华 蒋占魁 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期89-93,共5页
利用光与物质相互作用的密度矩阵方程及其数值解研究Λ型Pr3+∶Y2SiO5晶体的电磁感应光透明(EIT)和光群速度减慢(SGV),分析非均匀加宽及相干驱动场强度对EIT和SGV的影响,理论与实验结果相符.
关键词 Pr^3+:y2sio5晶体 电磁感应光透明 群速度减慢
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Pr^(3+)∶Y_2SiO_5晶体中橙—蓝频率上转换过程
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作者 李建福 王晓丽 +2 位作者 孙成林 杨海贵 蒋占魁 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期976-979,共4页
测量了Pr3+∶Y2SiO5晶体的吸收谱,标定了室温下Pr3+在Y2SiO5晶体4f2组态内的能级.利用579 nm激光激发Pr3+∶Y2SiO5晶体,观察到480~515 nm上转换荧光带.运用时间分辨激光光谱技术测量了3P0能级的上转换荧光衰减曲线.通过研究上转换荧光... 测量了Pr3+∶Y2SiO5晶体的吸收谱,标定了室温下Pr3+在Y2SiO5晶体4f2组态内的能级.利用579 nm激光激发Pr3+∶Y2SiO5晶体,观察到480~515 nm上转换荧光带.运用时间分辨激光光谱技术测量了3P0能级的上转换荧光衰减曲线.通过研究上转换荧光的衰减曲线、吸收谱、激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系,确定了以1D2为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制. 展开更多
关键词 Pr^3+:y2sio5 晶体 橙-蓝频率上转换 能量转移上转换
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TiO_2包覆上转换发光材料Pr^(3+)∶Y_2SiO_5的制备及其可见光催化性能的研究 被引量:4
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作者 高鹏 黄浪欢 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1145-1149,共5页
为了提高TiO2对可见光的利用率,通过溶胶-凝胶法制备了TiO2包覆上转换发光材料Pr3+∶Y2SiO5的复合材料,并借助XRD、TEM、紫外-可见吸收光谱等对制备的样品进行了表征和研究。同时,研究了不同条件下制备的复合粉体对罗丹明B光降解效率。... 为了提高TiO2对可见光的利用率,通过溶胶-凝胶法制备了TiO2包覆上转换发光材料Pr3+∶Y2SiO5的复合材料,并借助XRD、TEM、紫外-可见吸收光谱等对制备的样品进行了表征和研究。同时,研究了不同条件下制备的复合粉体对罗丹明B光降解效率。结果表明,该方法制备出的Pr3+∶Y2SiO5/TiO2复合材料较纯TiO2和简单机械混合两种粉体在可见光下具有较强的光催化效果。验证了Pr3+∶Y2SiO5作为上转换发光材料,可吸收可见光发射紫外线,从而满足TiO2光催化降解的要求。文中最后对Pr3+∶Y2SiO5/TiO2复合材料的光催化机理进行了研究。 展开更多
关键词 上转换发光 Pr3+∶y2sio5 TiO2 光催化
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Pr^(3+):Y_2SiO_5中的反斯托克斯荧光谱及其对基态Stark分裂能级的确定
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作者 张衍亮 孙真荣 +2 位作者 李玉琼 丁良恩 王祖赓 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期385-387,共3页
掺杂在晶体Y2 SiO5(YSO)中的Pr3+ ,运用脉冲激光激发 3H4 → 1 D2 跃迁 ,粒子通过非辐射能量转移从能级 1 D2 转移到能级 3P0 ,测得了对应于 3P0 → 3H4 跃迁的反斯托克斯荧光光谱 ,由此可确定 3H4 的Stark分裂能级以及 3P0 能级的能量... 掺杂在晶体Y2 SiO5(YSO)中的Pr3+ ,运用脉冲激光激发 3H4 → 1 D2 跃迁 ,粒子通过非辐射能量转移从能级 1 D2 转移到能级 3P0 ,测得了对应于 3P0 → 3H4 跃迁的反斯托克斯荧光光谱 ,由此可确定 3H4 的Stark分裂能级以及 3P0 能级的能量高度。与运用激光激发 3H4 → 1 D2 跃迁 ,通过观察 1 D2 → 3H4 斯托克斯荧光光谱确定3H4 的Stark分裂能级方法相比 ,该过程避免了不同晶点位置中 (Crystallographicsite)Pr3+ 的 1 D2 能级间的能量转移影响 ,从而具有较高的确定性。同时 。 展开更多
关键词 反斯托克斯荧光谱 能量转移 Stark分裂 能级 脉冲激光技术 Pr^3+:y2sio5 激光材料
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新型(Yb^3+,La^3+)∶Gd2SiO5和(Yb^3+,Tb^3+)∶GdTaO4单晶生长及分凝研究
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作者 宁凯杰 张庆礼 +1 位作者 孙敦陆 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期817-821,827,共6页
采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2... 采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185(15),接近单位1,而La3+则为0.68(10),偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响;Yb3+和Tb3+在GdTaO4中的分凝系数为0.84(14)和0.84(5),接近单位1,对晶体的光学均匀性影响较小。 展开更多
关键词 (yb3+ La3+)∶Gd2sio5 (yb3+ Tb3+)∶GdTaO4 晶体生长 有效分凝系数
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Y_3Al_5O_(12):Eu^(3+)荧光粉表面包覆SiO_2的研究
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作者 张霞 于方丽 王赛 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2013年第1期17-21,共5页
采用化学均相沉淀法在YAG:Eu3+荧光粉表面包覆了SiO2。利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行了测试和表征。结果表明:SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面,而不改变YAG:Eu3+荧光粉的晶体结... 采用化学均相沉淀法在YAG:Eu3+荧光粉表面包覆了SiO2。利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行了测试和表征。结果表明:SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面,而不改变YAG:Eu3+荧光粉的晶体结构和发光中心;并通过改善荧光粉的表面状态,在一定程度上提高了荧光粉的发光强度。 展开更多
关键词 y3Al5O12:Eu3+ 荧光粉 表面包覆 sio2 发光性能
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Co^(2+),Er^(3+):Y_3Al_5O_(12)晶体的生长及其吸收特性
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作者 朱月芹 杭寅 +1 位作者 张连翰 宋词 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期217-220,共4页
应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体。研究了室温下晶体的吸收光谱性能。结合Er3+:Y3A l5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体调Q特性进行了简单的分析。结果表明Co2+,Er3+:YAG晶体是一种很... 应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体。研究了室温下晶体的吸收光谱性能。结合Er3+:Y3A l5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体调Q特性进行了简单的分析。结果表明Co2+,Er3+:YAG晶体是一种很有潜力的自调Q激光晶体。 展开更多
关键词 Co^2+ Er^3+:y3Al5O12晶体 激光晶体 晶体生长 吸收光谱 自调Q
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Ba^(2+)取代及助熔剂对Sr_3SiO_5:Eu^(2+)结构和发光性能的影响 被引量:1
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作者 冯珊 向明 +2 位作者 雷婷 孟小康 谭劲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期438-443,共6页
采用还原气氛下的高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2+橙色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了Ba2+与Sr2+替换和助熔剂对Sr3SiO5:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:Ba2+取代Sr2+会使配位多面体膨胀,导致附近E... 采用还原气氛下的高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2+橙色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了Ba2+与Sr2+替换和助熔剂对Sr3SiO5:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:Ba2+取代Sr2+会使配位多面体膨胀,导致附近Eu2+占据的配位多面体压缩,晶体场强度增大。随着Ba2+取代量的增加,Eu2+逐渐占据Ba2+取代后的多面体中心,晶体场强度减弱,发射光谱峰值整体先由575 nm红移至592 nm后又蓝移回583 nm。Sr2+与Ba2+的量比n(Sr):n(Ba)=4时,发射光谱红移效果最佳。助熔剂H3BO3的掺入会使Sr3SiO5:Eu2+的发光强度急剧下降。而NH4F和NH4Cl掺入都能使Sr3SiO5:Eu2+的发射光谱强度增大,NH4F和NH4Cl单掺质量分数分别为2%和0.3%时增强效果最好,且NH4Cl的增强效果比NH4F要好很多。 展开更多
关键词 Sr3sio5 Eu2+ 晶体结构 发光强度 助熔剂
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Nd:YVO_4晶体a向生长研究
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作者 徐子颉 张国春 赵宗源 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1015-1017,共3页
采用固 液两相混合 ,使Nd2 O3 、Y2 O3 和V2 O5在近常温条件下初步合成Nd :YVO4多晶原料 ,降低固相合成反应温度 ,减少V2 O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了a方向Nd :YVO4单晶生长条件 ,采用提拉法 ,以 ( 10 0 )方向进行单晶生长 ,... 采用固 液两相混合 ,使Nd2 O3 、Y2 O3 和V2 O5在近常温条件下初步合成Nd :YVO4多晶原料 ,降低固相合成反应温度 ,减少V2 O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了a方向Nd :YVO4单晶生长条件 ,采用提拉法 ,以 ( 10 0 )方向进行单晶生长 ,得到一系列掺杂浓度的Nd 展开更多
关键词 ND:yVO4晶体 单晶生长 掺杂浓度 提拉法 y2O3 挥发 降低 多晶 V2O5 ND2O3
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