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低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟被引量：1: 1; 作者黄流兴魏同立 +1 位作者郑茳曹俊诚《电子科学学刊》 CSCD 1994年第2期207-211,共5页; 本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。; 关键词双极晶体管发射极电流增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型: 2; 作者黄流兴魏同立郑茳《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页; 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 展开更多; 关键词双极晶体管多晶硅发射极电流增益截止频率低温; 在线阅读下载PDF 职称材料

超低h_(FE)温度系数晶体管研制: 3; 作者郑云光郭维廉申云琴《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期117-122,共6页; 采用poly-Si(n^+)/UTSiO_2/n^+-Si/P-Si发射结结构,研制出参数与常规晶体管相近、能长期稳定工作、在-55～100℃温度范围内,h_(FE)温度系数小于20%的硅晶体管。; 关键词电流增益温度系数晶体管温度系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅发射极晶体管直流特性研究被引量：2: 4; 作者刘英坤张大立 +3 位作者周名辉张振宇周晓黎李锦标《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期28-31,共4页; 研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。; 关键词多晶硅发射极砷注入电流增益掺杂晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

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