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硅的等离子阳极氧化研究
1
作者
李琼
徐静芳
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1991年第4期49-53,共5页
等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式...
等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备.利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区.
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关键词
硅
半导体
阳极氧化
等离子体
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职称材料
题名
硅的等离子阳极氧化研究
1
作者
李琼
徐静芳
机构
华东师范大学电子科学系
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1991年第4期49-53,共5页
文摘
等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备.利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区.
关键词
硅
半导体
阳极氧化
等离子体
Keywords
plasma anodization oxidaton of semiconductor material gate oxide
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
硅的等离子阳极氧化研究
李琼
徐静芳
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1991
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