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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
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作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 pzt 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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电缆局部放电超声检测用高灵敏度柔性PZT压电超声传感器
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作者 颜育 姚露露 +3 位作者 吴明 刘泳斌 高景晖 钟力生 《高电压技术》 北大核心 2025年第7期3225-3233,共9页
传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基... 传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基于锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_(3),PZT)压电薄膜的柔性超声传感器;研究了不同极化方式对柔性传感器灵敏度的影响,测试了封装后柔性传感器的电磁屏蔽性能、灵敏度曲线以及方向敏感性;在此基础上,开展了基于柔性传感器的真型电缆气隙模型的局部放电超声信号检测实验。结果表明:该文设计制备的柔性传感器具有良好的电磁屏蔽性能,且不具有方向敏感性,在30~200 kHz范围内的灵敏度平均值与峰值分别为51.8 dB与53.8 dB;在真型电缆的气隙放电超声检测中,柔性传感器的检测灵敏度为传统压电陶瓷超声传感器的1.57倍。 展开更多
关键词 电力电缆 局部放电 超声检测 柔性pzt压电超声传感器 pzt薄膜
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一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器及其在睡眠监测中的应用 被引量:1
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作者 骆懿 王东祥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期345-352,共8页
针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进... 针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进行了测试。结果表明,该传感器不仅具有良好的微观外貌形态,且相比于纯P(VDF-TrFE)压电传感器0.73 V/N的灵敏度,制备的含30%PZT的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器灵敏度是纯P(VDF-TrFE)压电传感器的2.5倍,达到了1.78 V/N。此外在低频下能够保持稳定压电输出且具备2 ms较快的响应时间。最后采用自制的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器测量人体心冲击信号,并通过支持向量机(SVM)训练睡眠分期模型实现了对睡眠质量的监测,四分类模型平均准确率达到72.5%,为可穿戴睡眠监测传感器的选择提供了参考。 展开更多
关键词 压电传感器 P(VDF-TrFE) 高压静电纺丝 pzt 睡眠监测
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高于居里温度极化的硬性PZT压电陶瓷的制备及叠层驱动器性能研究
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作者 江强 施立志 +2 位作者 陈政燃 周志勇 梁瑞虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1091-1099,共9页
压电叠层驱动器具有低驱动电压、大位移的特点,被广泛应用于诸多领域。作为目前压电叠层驱动器中最常使用的材料,软性锆钛酸铅(PZT)陶瓷较大的介电常数和损耗往往会导致较高的功耗和发热量,进而影响驱动器的疲劳特性和稳定性。为了制备... 压电叠层驱动器具有低驱动电压、大位移的特点,被广泛应用于诸多领域。作为目前压电叠层驱动器中最常使用的材料,软性锆钛酸铅(PZT)陶瓷较大的介电常数和损耗往往会导致较高的功耗和发热量,进而影响驱动器的疲劳特性和稳定性。为了制备出低发热量、适用于压电叠层驱动器的压电陶瓷,本工作选取Mn掺杂(摩尔分数)的Pb(Sb_(1/2)Nb_(1/2))_(0.02)Zr_(0.51)Ti_(0.47)O_(3)-0.6%MnCO_(3)(PSN-PZT)硬性压电陶瓷作为基体材料,通过掺入一定含量的Li_(2)CO_(3)烧结助剂来降低陶瓷的烧结温度,并采用高于居里温度极化工艺进一步提升陶瓷的电学性能。最后采用该材料,利用流延工艺制备出压电叠层驱动器,并与相同工艺制备的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.25)(Ti_(0.48)Zr_(0.52))_(0.75)O_(3)(PMN-PZT)驱动器进行比较。结果显示,Li_(2)CO_(3)通过引入液相烧结的方式将PSN-PZT陶瓷烧结温度降低至1050℃。当Li_(2)CO_(3)含量为0.1%(质量分数)时,高于居里温度极化的PSN-PZT陶瓷电学性能最优,其压电系数(d33)和2 kV/mm电场下的单极应变分别为388 pC/N和0.13%。在200 Hz下,PSN-PZT驱动器温升比PMN-PZT驱动器低大约20℃,且经过5×10^(6)次循环后应变仅降低6%。这表明Li_(2)CO_(3)低温烧结的PSN-PZT陶瓷不仅具备不错的压电性能,而且在发热和疲劳特性方面有较大优势,在大功率、高频等苛刻工况中有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 硬性pzt 低温烧结 压电叠层驱动器 温升 疲劳特性
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用于能量收集器的PMnN-PZT压电陶瓷 被引量:3
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作者 张浪 石棋 +3 位作者 张优 谢义磊 董皓天 洪顺球 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期37-41,共5页
试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺... 试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺杂不同质量分数的Li_(2)CO_(3)对PMnNPZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构的影响。结果显示:当掺杂量为0.1 wt%,烧成温度为1050℃时,材料结构致密,晶粒均匀,材料的压电和介电性能:d 33=340 pC/N,K_(p)=0.60,ε_(r)=725,tanδ=0.23%,Q_(m)=670,g_(33)=53.0×10^(-3)V·(m·N)^(-1),机电转化效率d_(33)·g_(33)为18016.8×10^(-15)m^(2)/N,满足能量收集器用压电陶瓷元件需要。 展开更多
关键词 能量收集器 Li_(2)CO_(3)掺杂 PMnN-pzt压电陶瓷材料 机电转化效率
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一种低旁瓣水声换能器的设计与分析
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作者 张彬 童晖 +2 位作者 周博文 杨道军 黄帆 《振动与冲击》 北大核心 2025年第1期298-304,共7页
低旁瓣宽带换能器可提高声呐系统的探测精度和抗干扰能力。综合采用1-3型压电复合材料压电相非均匀分布技术、匹配层多模耦合技术,设计了一款低旁瓣、宽带高频水声换能器。建立了其理论计算模型与仿真模型,结合数值计算、有限元仿真分... 低旁瓣宽带换能器可提高声呐系统的探测精度和抗干扰能力。综合采用1-3型压电复合材料压电相非均匀分布技术、匹配层多模耦合技术,设计了一款低旁瓣、宽带高频水声换能器。建立了其理论计算模型与仿真模型,结合数值计算、有限元仿真分析了频率与压电相体积百分比的变化规律、旁瓣级与圆环半径的变化规律。优选设计参数,完成制备并测量该款换能器,实测结果与仿真基本一致,试验验证了该设计思路可实现低旁瓣宽带换能器。换能器实测旁瓣级-23.9 dB,较常规活塞阵最大旁瓣级降低6.3 dB,中心频率300 kHz,发射电压响应带宽(-3 dB)达150 kHz。 展开更多
关键词 低旁瓣 宽带 非均匀分布 1-3型压电复合材料 换能器
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一种压电换能器的动态阻抗匹配方法与频率跟踪
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作者 纪跃波 杨宇恒 +1 位作者 蒙晨琛 彭云峰 《郑州大学学报(工学版)》 北大核心 2025年第3期111-117,共7页
动态阻抗匹配技术能够提高压电换能器的输出功率和能量转换效率。现有动态阻抗匹配方法多采用智能数值寻优算法,但智能算法建模复杂、迭代时间长、计算量大,针对这一问题,提出了一种基于数据拟合的动态阻抗匹配方法,并设计了相应的可无... 动态阻抗匹配技术能够提高压电换能器的输出功率和能量转换效率。现有动态阻抗匹配方法多采用智能数值寻优算法,但智能算法建模复杂、迭代时间长、计算量大,针对这一问题,提出了一种基于数据拟合的动态阻抗匹配方法,并设计了相应的可无级调节的T型阻抗匹配网络。所提方法通过工作频率微调,获取对应频率下换能器电阻、电抗分量的观测值,以最小残差平方和为判断依据,得到一组拟合程度最高的换能器等效电路参数,结合相关公式计算出匹配网络元件参数和换能器串联谐振频率,在实现换能器动态阻抗匹配的基础上,进一步实现了频率追踪功能。在Python中对动态阻抗匹配方法进行仿真,在MATLAB/Simulink中搭建仿真电路对阻抗匹配与频率追踪的效果进行仿真,结果表明:所提方法能够较为准确地得到换能器等效电路参数,匹配后的T型阻抗匹配网络两端的电压、电流信号基本同相,有功功率有了明显提升,匹配效果良好,并且相较于遗传算法匹配速度也有了显著提升。 展开更多
关键词 压电换能器 T型匹配网络 动态阻抗匹配 频率追踪 数据拟合 最小二乘法
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电缆局放检测用柔性压电超声传感器的灵敏度优化 被引量:1
8
作者 袁燕岭 高岭 +4 位作者 张占新 赵一明 颜育 吴明 钟力生 《高电压技术》 北大核心 2025年第2期652-659,共8页
传统压电陶瓷超声传感器与电缆表面之间存在声学界面不匹配问题,而柔性压电超声传感器能够克服这一缺点、实现电缆局部放电超声信号的检测。然而持续提高柔性压电超声传感器的灵敏度,进一步降低其对超声信号的检出极限,是其走向实际应... 传统压电陶瓷超声传感器与电缆表面之间存在声学界面不匹配问题,而柔性压电超声传感器能够克服这一缺点、实现电缆局部放电超声信号的检测。然而持续提高柔性压电超声传感器的灵敏度,进一步降低其对超声信号的检出极限,是其走向实际应用的关键。为实现这一目标,该文从柔性压电超声传感器的核心敏感材料(压电薄膜)的优化设计出发,研究了厚度对Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_(3)(PZT)压电薄膜材料综合性能及其所制备的传感器灵敏度的影响。研究发现,受界面死层的影响,厚度约为1.2μm的PZT压电薄膜相较于厚度约为0.8μm、1.0μm和1.6μm的薄膜具有更大比例的(100)晶粒择优取向和更高的剩余极化,表现出最高的压电系数,更具备应用潜力。利用该厚度的PZT压电薄膜制备了柔性压电超声传感器,并用其检测在110 k V真型电缆上传播的由自动笔铅芯断裂产生的超声信号,计算得到该超声信号在交联聚乙烯绝缘层中的衰减系数为3.74 dB/m。该研究提供了一种利用压电薄膜厚度优化柔性压电超声传感器灵敏度的方法,为进一步推进柔性压电超声传感器在电缆等电力设备领域的应用提供了实验和理论基础。 展开更多
关键词 电力电缆 局部放电 柔性压电传感器 超声检测 pzt薄膜
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锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响 被引量:23
9
作者 侯育冬 杨祖培 +2 位作者 高峰 屈绍波 田长生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期590-594,共5页
研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tan... 研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低. 展开更多
关键词 锰掺杂 PZN-pzt 压电性能
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提高PZT压电性能方法的研究现状 被引量:11
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作者 顾林松 李国禄 +2 位作者 王海斗 徐滨士 邢志国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期130-134,共5页
PZT(锆钛酸铅)是应用最广泛的压电陶瓷。介绍了提高PZT压电陶瓷压电性能的方法,重点总结了采用改变锆钛比、进行掺杂改性和调节烧结温度等方法来改变压电性能的研究现状,进而为改进工艺提高压电性能提供理论支持,并展望了将PZT压电材料... PZT(锆钛酸铅)是应用最广泛的压电陶瓷。介绍了提高PZT压电陶瓷压电性能的方法,重点总结了采用改变锆钛比、进行掺杂改性和调节烧结温度等方法来改变压电性能的研究现状,进而为改进工艺提高压电性能提供理论支持,并展望了将PZT压电材料应用于智能涂层在线监测的前景,分析了亟待解决的问题。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电性能 压电陶瓷
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关于PZT压电陶瓷低温活化烧结的研究进展 被引量:13
11
作者 陈丰 杨世源 +2 位作者 王军霞 汪关才 黄文秀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期26-29,共4页
从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成... 从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成本以及制备性能优良的PZT压电陶瓷都具有重要的意义。 展开更多
关键词 pzt 低温 活化烧结 压电陶瓷 缺陷
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PZT系多层片式压电陶瓷微驱动器位移性能研究 被引量:32
12
作者 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期418-424,共7页
采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产... 采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产生的静态和动态位移特性,从PZT压电陶瓷材料的晶体和电畴结构特点进行了分析和研究. 展开更多
关键词 压电陶瓷 微驱动器 位移 陶瓷 pzt 多层片式
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中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究 被引量:12
13
作者 江向平 廖军 +4 位作者 魏晓勇 张望重 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期281-286,共6页
在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保... 在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,d33从420×10-12C/N增加到 560×10-12C/N, T33从 2180增加到 2900。 展开更多
关键词 中温烧结 PZN-pzt 压电性能 介电性能 压电陶瓷
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水热法制备PZT压电陶瓷粉体 被引量:16
14
作者 古映莹 戴恩斌 黄可龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期665-668,共4页
本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶... 本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为06 ~21μm , 展开更多
关键词 水热合成 pzt粉体 压电陶瓷 锆钛酸铅
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锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响 被引量:38
15
作者 贺连星 李承恩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期293-298,共6页
研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.... 研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和 展开更多
关键词 掺杂 pzt 压电性能 压电陶瓷
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PZT掺杂改性研究进展及其机理探究 被引量:12
16
作者 刘喆 邢志国 +2 位作者 王海斗 徐滨士 金国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期4009-4015,共7页
PZT作为典型的钙钛矿结构,该结构为掺杂改性提供了较大的自由度。介绍了PZT压电材料掺杂改性的研究现状,简明扼要的分析了等价掺杂、高价掺杂、低价掺杂以及复合掺杂对压电材料各项性能的影响。并从掺杂离子对晶体结构和电畴结构影响两... PZT作为典型的钙钛矿结构,该结构为掺杂改性提供了较大的自由度。介绍了PZT压电材料掺杂改性的研究现状,简明扼要的分析了等价掺杂、高价掺杂、低价掺杂以及复合掺杂对压电材料各项性能的影响。并从掺杂离子对晶体结构和电畴结构影响两方面探讨了PZT掺杂改性的机理,进而为复合掺杂改性提供理论基础。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 掺杂改性机理 研究进展 压电性能 铁电性能
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路面用PZT/沥青压电复合材料的制备及性能 被引量:15
17
作者 谭忆秋 钟勇 +2 位作者 吕建福 欧阳剑 周水文 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期975-980,共6页
以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明... 以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明:优化的制备工艺为成型压应力10MPa,成型时间3min;最佳的极化条件是极化电场强度为3kV/mm,极化时间为10min,极化温度为50℃;PZT的最佳体积分数为75%;沥青基压电复合材料的相对介电常数εr及压电应变常数d33分别为32.95和53.7pC/N,荷载响应稳态输出电压为7.2V,其储存的能量为259.2μJ. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 沥青压电复合材料 制备工艺 极化条件 压电性能 沥青路面
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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
18
作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 pzt 相结构 低损耗 体电阻率
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溶胶-水热法合成PZT纳米粉体及性能研究 被引量:5
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作者 林海波 刘海涛 +1 位作者 王富耻 曹茂盛 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期856-859,共4页
结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨论了烧结温度、保温时间等工艺参数对烧结陶瓷密度、微观结构和压电性能的影响.270℃保温热处理2 h可合... 结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨论了烧结温度、保温时间等工艺参数对烧结陶瓷密度、微观结构和压电性能的影响.270℃保温热处理2 h可合成出粒径约为20~30 nm,具有良好分散性的钙钛矿型PZT纳米粉体,且具有良好的烧结活性.在1150℃烧结保温2 h,压电性能达到最优(机电耦合系数:0.50,机械品质因数:410,压电常数:220 pC/N,介电常数:1 060).结果表明,溶胶水热复合法具有合成温度低、组分易于控制、粉体烧结活性高的优点. 展开更多
关键词 溶胶 水热 锆钛酸铅(pzt) 纳米粉体 压电陶瓷
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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
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作者 冯小东 蹇胜勇 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期100-102,共3页
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT... 以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。 展开更多
关键词 Pb(Zn1 3Nb2 3)O3-Pb(Ni1 3 Nb2 3) O3-Pb (ZrTi) O3(PZN-PNN-pzt)压电陶瓷 高介电常数 高压电常数
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