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基于表面势的HEMT模型分析
被引量：
1
1
作者
吕彬义
孙玲玲
+3 位作者
孔月婵
陈辰
刘军
陈磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期320-324,共5页
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件...
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
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关键词
高电子迁移率管晶体管
表面势
泊松方程
pao-sah模型
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职称材料
题名
基于表面势的HEMT模型分析
被引量：
1
1
作者
吕彬义
孙玲玲
孔月婵
陈辰
刘军
陈磊
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室
杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期320-324,共5页
基金
国家自然科学基金(60706002)
CETC55所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防重点实验室基金(9140C1402030803)
文摘
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
关键词
高电子迁移率管晶体管
表面势
泊松方程
pao-sah模型
Keywords
high electron mobility FET （HEMT）
surface potential
Poisson equation
pao-sah
model
分类号
TN604 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
操作
1
基于表面势的HEMT模型分析
吕彬义
孙玲玲
孔月婵
陈辰
刘军
陈磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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