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Effect of doped Mn on piezoelectric properties of (Na_(0.5)Bi_(0.5))_ (0.92)Ba_(0.08)TiO_3 lead-free ceramics 被引量:1
1
作者 周小元 顾豪爽 李位勇 《Journal of Central South University of Technology》 2005年第3期266-268,共3页
Piezoelectric ceramics (Na0.5Bi0.5) (0.92)Ba0.08TiO3 +x%MnCO3(BNBT-Mn, x=0CD*21.6, mass fraction) were synthesized by conventional solid state reaction. The results show that when the addition of MnCO3 is 0CD*2 1.... Piezoelectric ceramics (Na0.5Bi0.5) (0.92)Ba0.08TiO3 +x%MnCO3(BNBT-Mn, x=0CD*21.6, mass fraction) were synthesized by conventional solid state reaction. The results show that when the addition of MnCO3 is 0CD*2 1.4%, BNBT-Mn ceramics exhibit a single-phase perovskite structure. With the increase of content of MnCO3, piezoelectric constant and electromechanical coupling factor increase rapidly when x is lower than 0.3. Then they both decrease when x is in the range of 0.3 and 1.6. When x=0.3, piezoelectric constant and electromechanical coupling factor reach the maximum value of 160pC/N and 58.5% respectively, which can improve the temperature stability of BNBT-Mn. 展开更多
关键词 lead-free ceramics MN piezoelectric properties
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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
2
作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 pzt 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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用于能量收集器的PMnN-PZT压电陶瓷 被引量:3
3
作者 张浪 石棋 +3 位作者 张优 谢义磊 董皓天 洪顺球 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期37-41,共5页
试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺... 试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺杂不同质量分数的Li_(2)CO_(3)对PMnNPZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构的影响。结果显示:当掺杂量为0.1 wt%,烧成温度为1050℃时,材料结构致密,晶粒均匀,材料的压电和介电性能:d 33=340 pC/N,K_(p)=0.60,ε_(r)=725,tanδ=0.23%,Q_(m)=670,g_(33)=53.0×10^(-3)V·(m·N)^(-1),机电转化效率d_(33)·g_(33)为18016.8×10^(-15)m^(2)/N,满足能量收集器用压电陶瓷元件需要。 展开更多
关键词 能量收集器 Li_(2)CO_(3)掺杂 PMnN-pzt压电陶瓷材料 机电转化效率
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纳米PZT粉体制备及PZT/水泥基复合材料压电性能 被引量:4
4
作者 魏雪 罗健林 +3 位作者 李秋义 张帅 王彬彬 李璐 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第4期707-712,共6页
采用溶胶-凝胶法,结合正交试验设计,研究了不同反应条件((CH3COO)2Pb浓度、pH值、反应时间和煅烧温度)对PZT粉体结晶程度和晶粒大小的影响。用压制成型法制备出PZT压电陶瓷和PZT/硫铝酸盐水泥基复合材料。用正交极差与方差法分析了反应... 采用溶胶-凝胶法,结合正交试验设计,研究了不同反应条件((CH3COO)2Pb浓度、pH值、反应时间和煅烧温度)对PZT粉体结晶程度和晶粒大小的影响。用压制成型法制备出PZT压电陶瓷和PZT/硫铝酸盐水泥基复合材料。用正交极差与方差法分析了反应条件对PZT粉体物相与粒度及陶瓷片和复合材料的压电与介电性能的影响,得出粉体最佳制备工艺。结果显示:最佳反应条件为(CH3COO)2Pb浓度为15%,pH=5.0,反应时间2h,煅烧温度600℃;煅烧温度对陶瓷片及复合材料的压电与介电性能影响最显著;相应陶瓷片压电常数d33、相对介电常数εr分别为38.5pC/N、1.3;而复合材料的d33、εr分别为4.4pC/N、29.4,数值偏低可能是水泥水化不充分,结构不致密所致。 展开更多
关键词 纳米级pzt粉体 溶胶-凝胶法 pzt压电陶瓷 水泥基压电复合材料 正交试验 压电性能
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不同PZT复合温石棉纤维/水泥基材料压电性能 被引量:1
5
作者 李璐 罗健林 +2 位作者 李秋义 孙胜伟 王旭 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期281-285,共5页
通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC... 通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC复合片的压电性能。800℃时PZT钙钛矿特征最明显,晶粒饱满;相应PZT陶瓷片、PZTCC复合片均具有较高压电性能,其压电常数d33分别达119.2pC/N、32.5pC/N。 展开更多
关键词 煅烧温度 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(pzt)微/纳米粉体 溶胶-凝胶法 温石棉纤维 pzt/水泥基复合材料 压电性能
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ZnO亚微球添加对放电等离子烧结PZT陶瓷结构和性能的影响 被引量:1
6
作者 张志伟 刘志阳 +1 位作者 秦雷 梁立兴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期19-26,共8页
通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出... 通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出相对密度超过97%的PZT陶瓷。ZnO亚微球的添加有利于PZT陶瓷的烧结和晶粒生长,随着ZnO亚微球添加量的增加,PZT三方相(R)的含量逐渐增大。适量ZnO亚微球的添加能够改善PZT陶瓷的压电性能和介电性能,ZnO质量分数为0.10%时,材料的综合性能最优,在1 kHz频率下,压电常数d_(33)=432 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.56,机械品质因数Q_(m)=69.8,相对介电常数ε_(r)=1360,介电损耗tanδ=0.0227。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 放电等离子烧结 压电性能 介电性能
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Cr_(2)O_(3)掺杂BS-PMS-PZT大功率压电陶瓷的电学性能及温度稳定性
7
作者 王加康 王一平 +1 位作者 刘浩 杨颖 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期23-28,共6页
采用固相烧结法制备掺杂不同原子分数(0~0.8%)Cr_(2)O_(3)的0.05BiScO_(3)-0.05Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))O_(3)-0.9Pb(Zr_(0.45)Ti_(0.55))O_(3)陶瓷,研究了Cr_(2)O_(3)掺杂量对陶瓷微观结构、电学性能及温度稳定性的影响。结果表明:不同Cr_... 采用固相烧结法制备掺杂不同原子分数(0~0.8%)Cr_(2)O_(3)的0.05BiScO_(3)-0.05Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))O_(3)-0.9Pb(Zr_(0.45)Ti_(0.55))O_(3)陶瓷,研究了Cr_(2)O_(3)掺杂量对陶瓷微观结构、电学性能及温度稳定性的影响。结果表明:不同Cr_(2)O_(3)掺杂量陶瓷均为钙钛矿结构,未检测到杂相峰;随着Cr_(2)O_(3)掺杂量的增加,陶瓷的三方相逐渐出现且含量增加,四方相含量略有下降,平均晶粒尺寸不断增大,相对密度先增大后减小。随着Cr_(2)O_(3)掺杂量的增加,陶瓷的压电常数与机械品质因数均先升后降,介电损耗增大,机电耦合系数基本先增后减,居里温度降低;当Cr_(2)O_(3)原子分数为0.4%时,陶瓷的综合电学性能最佳,并且温度稳定性良好,从室温到260℃,压电常数下降率仅为32%,低于DM-8型商用PZT-8改性压电陶瓷(53%)。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 元素掺杂 电学性能 温度稳定性
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锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响 被引量:23
8
作者 侯育冬 杨祖培 +2 位作者 高峰 屈绍波 田长生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期590-594,共5页
研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tan... 研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低. 展开更多
关键词 锰掺杂 PZN-pzt 压电性能
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关于PZT压电陶瓷低温活化烧结的研究进展 被引量:13
9
作者 陈丰 杨世源 +2 位作者 王军霞 汪关才 黄文秀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期26-29,共4页
从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成... 从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成本以及制备性能优良的PZT压电陶瓷都具有重要的意义。 展开更多
关键词 pzt 低温 活化烧结 压电陶瓷 缺陷
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中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究 被引量:12
10
作者 江向平 廖军 +4 位作者 魏晓勇 张望重 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期281-286,共6页
在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保... 在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,d33从420×10-12C/N增加到 560×10-12C/N, T33从 2180增加到 2900。 展开更多
关键词 中温烧结 PZN-pzt 压电性能 介电性能 压电陶瓷
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水热法制备PZT压电陶瓷粉体 被引量:16
11
作者 古映莹 戴恩斌 黄可龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期665-668,共4页
本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶... 本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为06 ~21μm , 展开更多
关键词 水热合成 pzt粉体 压电陶瓷 锆钛酸铅
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锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响 被引量:38
12
作者 贺连星 李承恩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期293-298,共6页
研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.... 研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和 展开更多
关键词 掺杂 pzt 压电性能 压电陶瓷
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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
13
作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 pzt 相结构 低损耗 体电阻率
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PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究 被引量:7
14
作者 裴志斌 杜红亮 +2 位作者 车俊 魏晓勇 屈绍波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期988-992,共5页
采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/T... 采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能. 展开更多
关键词 PNW—PMS—pzt压电陶瓷 准同型相界 三方相 四方相
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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
15
作者 冯小东 蹇胜勇 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期100-102,共3页
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT... 以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。 展开更多
关键词 Pb(Zn1 3Nb2 3)O3-Pb(Ni1 3 Nb2 3) O3-Pb (ZrTi) O3(PZN-PNN-pzt)压电陶瓷 高介电常数 高压电常数
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共沉淀法制备PZT粉体及性能研究 被引量:12
16
作者 李建华 孙清池 杨会平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期704-706,共3页
采用共沉淀法,利用Pb(Ac)2·3H2O、ZrOCl2·8H2O、TiCl4为原料,以浓氨水为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,正丁醇为助溶剂。经实验确定的最佳工艺条件是:反应物浓度为1mol/L,反应物配比为r[Pb(Ac)2]:r[ZrOCl2]... 采用共沉淀法,利用Pb(Ac)2·3H2O、ZrOCl2·8H2O、TiCl4为原料,以浓氨水为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,正丁醇为助溶剂。经实验确定的最佳工艺条件是:反应物浓度为1mol/L,反应物配比为r[Pb(Ac)2]:r[ZrOCl2]:r[TiCl4]:r[NH3·H2O]=2:1.04;1:12,盐酸浓度为0.04~0.08mol/L,PEG浓度为0.004~0.006mol/L,反应温度为常温,反应时间为1~2h。能够制备出粒度均匀、分散性好的纳米PZT超细粉体,粒径为φ10~30nm。650℃煅烧保温2h,已完全合成为单一晶型钙钛矿PZT固溶体。1150℃烧结保温2h,然后对此压电陶瓷的相对介电常数ε^T33/ε0、介电损耗tanδ、压电应变常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、体积密度ρ、居里温度Tc等主要性能进行了测试;对显微结构及相组成进行了分析,实验数据表明可得到一种综合性能优良的压电材料。 展开更多
关键词 共沉淀 pzt压电陶瓷粉体 超微粉体 压电性能
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铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 被引量:6
17
作者 孙清池 王立锋 聂强 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期107-110,共4页
用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大... 用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好. 展开更多
关键词 压电陶瓷 PSN-PZN-pzt CR掺杂 压电 介电性能
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溶胶-水热法合成PZT纳米粉体及性能研究 被引量:5
18
作者 林海波 刘海涛 +1 位作者 王富耻 曹茂盛 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期856-859,共4页
结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨论了烧结温度、保温时间等工艺参数对烧结陶瓷密度、微观结构和压电性能的影响.270℃保温热处理2 h可合... 结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨论了烧结温度、保温时间等工艺参数对烧结陶瓷密度、微观结构和压电性能的影响.270℃保温热处理2 h可合成出粒径约为20~30 nm,具有良好分散性的钙钛矿型PZT纳米粉体,且具有良好的烧结活性.在1150℃烧结保温2 h,压电性能达到最优(机电耦合系数:0.50,机械品质因数:410,压电常数:220 pC/N,介电常数:1 060).结果表明,溶胶水热复合法具有合成温度低、组分易于控制、粉体烧结活性高的优点. 展开更多
关键词 溶胶 水热 锆钛酸铅(pzt) 纳米粉体 压电陶瓷
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凝胶注模在PMN-PZT压电陶瓷中的应用 被引量:5
19
作者 杜景红 史庆南 +1 位作者 严继康 孙加林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1229-1231,共3页
将凝胶注模成型技术应用于三元系压电陶瓷PMN-PZT的制备工艺中,重点讨论了分散剂、浆料pH值和固相含量对注模浆料粘度的影响,制备出固相含量高达55%(体积分数)、粘度<1Pa.s的压电陶瓷悬浮体,使用该浆料可获得达理论密度95%以上的致密... 将凝胶注模成型技术应用于三元系压电陶瓷PMN-PZT的制备工艺中,重点讨论了分散剂、浆料pH值和固相含量对注模浆料粘度的影响,制备出固相含量高达55%(体积分数)、粘度<1Pa.s的压电陶瓷悬浮体,使用该浆料可获得达理论密度95%以上的致密PMN-PZT压电陶瓷。 展开更多
关键词 凝胶注模 压电陶瓷 PMN-pzt 粘度 浆料
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PZT/PVDF体系压电复合材料的介电和压电性能研究 被引量:11
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作者 刘晓芳 熊传溪 +3 位作者 李月明 孙华君 董丽杰 杨小旭 《陶瓷学报》 CAS 2004年第3期153-156,共4页
采用复合材料热压工艺,制备了0-3型PZT/PVDF(钛锆酸铅/聚偏二氟乙烯)压电复合材料。系统地研究了PZT体积分数对材料介电、压电性能的影响,并与Furukawa等人的理论预测进行了对比。结果显示在PZT体积分数为70%时,获得了性能优良的压电... 采用复合材料热压工艺,制备了0-3型PZT/PVDF(钛锆酸铅/聚偏二氟乙烯)压电复合材料。系统地研究了PZT体积分数对材料介电、压电性能的影响,并与Furukawa等人的理论预测进行了对比。结果显示在PZT体积分数为70%时,获得了性能优良的压电复合材料。在压电陶瓷高含量区,部分压电陶瓷颗粒相互联接,形成了类似0-3(1-3)型连通形式,获得了压电和介电性能优良的压电复合材料。 展开更多
关键词 PVDF pzt 聚偏二氟乙烯 理论预测 高含量 压电性能 介电性能 压电复合材料 压电陶瓷 体积分数
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