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多层PZT陶瓷自热温度影响因素分析
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作者 宜亚丽 旷庆文 +4 位作者 陈美宇 秦越 韩雪艳 褚祥诚 金贺荣 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期121-128,共8页
多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细... 多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细观结构仿真模型;然后搭建了温度测量实验平台,开展陶瓷表面自热温度测量实验进行验证;最后分析了交变电压幅值、频率特性和陶瓷压电层、死层厚度对陶瓷表面自热温度的作用机理。结果表明,陶瓷表面自热温度与交变电压幅值、频率呈近似线性增长;自热温度极值分布在陶瓷表面中心区域和边缘区域,温度差值小于3℃;压电层越厚,陶瓷表面自热温度越低;表面自热温度随死层厚度的增加呈先降后增趋势,且在死层厚度约300μm时达到最低值。该结论为多层PZT陶瓷自热温度调控与工程应用提供了理论依据和实验基础。 展开更多
关键词 自热温度 交变电压 多层结构 热模拟 pzt陶瓷
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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
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作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 pzt 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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电缆局部放电超声检测用高灵敏度柔性PZT压电超声传感器
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作者 颜育 姚露露 +3 位作者 吴明 刘泳斌 高景晖 钟力生 《高电压技术》 北大核心 2025年第7期3225-3233,共9页
传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基... 传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基于锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_(3),PZT)压电薄膜的柔性超声传感器;研究了不同极化方式对柔性传感器灵敏度的影响,测试了封装后柔性传感器的电磁屏蔽性能、灵敏度曲线以及方向敏感性;在此基础上,开展了基于柔性传感器的真型电缆气隙模型的局部放电超声信号检测实验。结果表明:该文设计制备的柔性传感器具有良好的电磁屏蔽性能,且不具有方向敏感性,在30~200 kHz范围内的灵敏度平均值与峰值分别为51.8 dB与53.8 dB;在真型电缆的气隙放电超声检测中,柔性传感器的检测灵敏度为传统压电陶瓷超声传感器的1.57倍。 展开更多
关键词 电力电缆 局部放电 超声检测 柔性pzt压电超声传感器 pzt薄膜
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Electrical properties of PVDF/PZT composite films prepared by direct ink writing
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作者 ZHOU Run-kai YANG Hong +4 位作者 PENG Chao-qun WANG Ri-chu ZHANG Dou FANG Guang-qiang WANG Xiao-feng 《Journal of Central South University》 2025年第1期71-81,共11页
Polyvinylidene fluoride/lead zirconate titanate(PVDF/PZT)composite films have been prepared by direct ink writing and the effect of PZT content on crystallization behavior and electrical properties of film were system... Polyvinylidene fluoride/lead zirconate titanate(PVDF/PZT)composite films have been prepared by direct ink writing and the effect of PZT content on crystallization behavior and electrical properties of film were systematically investigated.The composite films were characterized by scanning electron microscope(SEM),X-ray diffractometer(XRD),Flourier transform infrared spectroscope(FTIR)and differential scanning calorimeter(DSC).The results show that,surface modified PZT powder(PZT@PDA)is successfully coated by polydopamine(PDA),resulting in a large number of polar groups that interact with the-CF_(2)-groups in PVDF,inducing the generation of polarβphase due to hydrogen bonding formed in the interaction.Theβphase content in composite film increases with increasing PZT@PDA content,up to 28.09%as with 5 wt.%PZT@PDA.PZT@PDA plays a role of nucleating agent to promote the generation of polar phases in the film and also acts as an impurity hindering the growth of nuclei to reduce crystallinity.Moreover,the presence of PZT@PDA in interfaces provides more sites for the occurrence of interfacial polarization and thus improving the electrical properties of films.The composite film with 5 wt.%PZT@PDA possesses the highest dielectric constant(8.61)and residual polarization value(0.6803μC/cm^(2)). 展开更多
关键词 polyvinylidene fluoride(PVDF) lead zirconate titanate(pzt) direct ink writing crystallization behaviour electrical properties
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一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器及其在睡眠监测中的应用 被引量:1
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作者 骆懿 王东祥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期345-352,共8页
针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进... 针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进行了测试。结果表明,该传感器不仅具有良好的微观外貌形态,且相比于纯P(VDF-TrFE)压电传感器0.73 V/N的灵敏度,制备的含30%PZT的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器灵敏度是纯P(VDF-TrFE)压电传感器的2.5倍,达到了1.78 V/N。此外在低频下能够保持稳定压电输出且具备2 ms较快的响应时间。最后采用自制的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器测量人体心冲击信号,并通过支持向量机(SVM)训练睡眠分期模型实现了对睡眠质量的监测,四分类模型平均准确率达到72.5%,为可穿戴睡眠监测传感器的选择提供了参考。 展开更多
关键词 压电传感器 P(VDF-TrFE) 高压静电纺丝 pzt 睡眠监测
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压电阻抗法中PZT片的形状选择研究 被引量:2
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作者 张耀文 何颖 +1 位作者 赵晶 霍林生 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期45-48,52,共5页
压电陶瓷锆钛酸铅(PZT)片是压电阻抗法中普遍使用的传感器,首先,对厚度相同且面积相近的圆形、正方形、矩形、五边形、梯形PZT片对同一钢板上相同损伤及其严重程度的敏感性进行了对比。然后,利用有限元软件COMSOL对各形状PZT片主表面平... 压电陶瓷锆钛酸铅(PZT)片是压电阻抗法中普遍使用的传感器,首先,对厚度相同且面积相近的圆形、正方形、矩形、五边形、梯形PZT片对同一钢板上相同损伤及其严重程度的敏感性进行了对比。然后,利用有限元软件COMSOL对各形状PZT片主表面平面内位移进行了分析研究。结果表明:在压电阻抗法应用中,面积相同的PZT片,圆形、正方形和矩形对损伤及其严重程度的敏感性较优。矩形PZT片对损伤的敏感性具有方向性,对宽度侧的损伤更敏感。就形状这一单一因素而言,压电阻抗法中PZT片的性能差异,取决于其主表面平面内位移一致性。一致性越好,对损伤及其严重程度的识别能力越强。 展开更多
关键词 压电阻抗法 锆钛酸铅片 形状
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高于居里温度极化的硬性PZT压电陶瓷的制备及叠层驱动器性能研究
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作者 江强 施立志 +2 位作者 陈政燃 周志勇 梁瑞虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1091-1099,共9页
压电叠层驱动器具有低驱动电压、大位移的特点,被广泛应用于诸多领域。作为目前压电叠层驱动器中最常使用的材料,软性锆钛酸铅(PZT)陶瓷较大的介电常数和损耗往往会导致较高的功耗和发热量,进而影响驱动器的疲劳特性和稳定性。为了制备... 压电叠层驱动器具有低驱动电压、大位移的特点,被广泛应用于诸多领域。作为目前压电叠层驱动器中最常使用的材料,软性锆钛酸铅(PZT)陶瓷较大的介电常数和损耗往往会导致较高的功耗和发热量,进而影响驱动器的疲劳特性和稳定性。为了制备出低发热量、适用于压电叠层驱动器的压电陶瓷,本工作选取Mn掺杂(摩尔分数)的Pb(Sb_(1/2)Nb_(1/2))_(0.02)Zr_(0.51)Ti_(0.47)O_(3)-0.6%MnCO_(3)(PSN-PZT)硬性压电陶瓷作为基体材料,通过掺入一定含量的Li_(2)CO_(3)烧结助剂来降低陶瓷的烧结温度,并采用高于居里温度极化工艺进一步提升陶瓷的电学性能。最后采用该材料,利用流延工艺制备出压电叠层驱动器,并与相同工艺制备的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.25)(Ti_(0.48)Zr_(0.52))_(0.75)O_(3)(PMN-PZT)驱动器进行比较。结果显示,Li_(2)CO_(3)通过引入液相烧结的方式将PSN-PZT陶瓷烧结温度降低至1050℃。当Li_(2)CO_(3)含量为0.1%(质量分数)时,高于居里温度极化的PSN-PZT陶瓷电学性能最优,其压电系数(d33)和2 kV/mm电场下的单极应变分别为388 pC/N和0.13%。在200 Hz下,PSN-PZT驱动器温升比PMN-PZT驱动器低大约20℃,且经过5×10^(6)次循环后应变仅降低6%。这表明Li_(2)CO_(3)低温烧结的PSN-PZT陶瓷不仅具备不错的压电性能,而且在发热和疲劳特性方面有较大优势,在大功率、高频等苛刻工况中有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 硬性pzt 低温烧结 压电叠层驱动器 温升 疲劳特性
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用于能量收集器的PMnN-PZT压电陶瓷 被引量:3
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作者 张浪 石棋 +3 位作者 张优 谢义磊 董皓天 洪顺球 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期37-41,共5页
试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺... 试验采用固相合成法,通过Li_(2)CO_(3)掺杂,制得高能量密度的Pb_(0.95)Sr_(0.05)[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.04)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))0.96]O_(3)+0.25wt%CeO_(2)+0.50wt%Yb_(2)O_(3)+0.15wt%Fe_(2)O_(3)三元系压电陶瓷材料。研究分析了掺杂不同质量分数的Li_(2)CO_(3)对PMnNPZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构的影响。结果显示:当掺杂量为0.1 wt%,烧成温度为1050℃时,材料结构致密,晶粒均匀,材料的压电和介电性能:d 33=340 pC/N,K_(p)=0.60,ε_(r)=725,tanδ=0.23%,Q_(m)=670,g_(33)=53.0×10^(-3)V·(m·N)^(-1),机电转化效率d_(33)·g_(33)为18016.8×10^(-15)m^(2)/N,满足能量收集器用压电陶瓷元件需要。 展开更多
关键词 能量收集器 Li_(2)CO_(3)掺杂 PMnN-pzt压电陶瓷材料 机电转化效率
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电缆局放检测用柔性压电超声传感器的灵敏度优化 被引量:2
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作者 袁燕岭 高岭 +4 位作者 张占新 赵一明 颜育 吴明 钟力生 《高电压技术》 北大核心 2025年第2期652-659,共8页
传统压电陶瓷超声传感器与电缆表面之间存在声学界面不匹配问题,而柔性压电超声传感器能够克服这一缺点、实现电缆局部放电超声信号的检测。然而持续提高柔性压电超声传感器的灵敏度,进一步降低其对超声信号的检出极限,是其走向实际应... 传统压电陶瓷超声传感器与电缆表面之间存在声学界面不匹配问题,而柔性压电超声传感器能够克服这一缺点、实现电缆局部放电超声信号的检测。然而持续提高柔性压电超声传感器的灵敏度,进一步降低其对超声信号的检出极限,是其走向实际应用的关键。为实现这一目标,该文从柔性压电超声传感器的核心敏感材料(压电薄膜)的优化设计出发,研究了厚度对Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_(3)(PZT)压电薄膜材料综合性能及其所制备的传感器灵敏度的影响。研究发现,受界面死层的影响,厚度约为1.2μm的PZT压电薄膜相较于厚度约为0.8μm、1.0μm和1.6μm的薄膜具有更大比例的(100)晶粒择优取向和更高的剩余极化,表现出最高的压电系数,更具备应用潜力。利用该厚度的PZT压电薄膜制备了柔性压电超声传感器,并用其检测在110 k V真型电缆上传播的由自动笔铅芯断裂产生的超声信号,计算得到该超声信号在交联聚乙烯绝缘层中的衰减系数为3.74 dB/m。该研究提供了一种利用压电薄膜厚度优化柔性压电超声传感器灵敏度的方法,为进一步推进柔性压电超声传感器在电缆等电力设备领域的应用提供了实验和理论基础。 展开更多
关键词 电力电缆 局部放电 柔性压电传感器 超声检测 pzt薄膜
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基于PZT的微驱动定位系统及控制方法的研究 被引量:46
10
作者 孙立宁 孙绍云 +1 位作者 曲东升 蔡鹤皋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第1期55-59,共5页
介绍了基于PZT驱动的一维微动工作台。该微动台采用柔性平行板铰链机构,对其进行了出力和位移关系的分析,并且进行了ANSYS的有限元分析设计,求得了系统的固有频率和最大位移。其理论分析、有限元计算和试验测试结果的对比分析的一致性... 介绍了基于PZT驱动的一维微动工作台。该微动台采用柔性平行板铰链机构,对其进行了出力和位移关系的分析,并且进行了ANSYS的有限元分析设计,求得了系统的固有频率和最大位移。其理论分析、有限元计算和试验测试结果的对比分析的一致性说明了理论分析的正确性和数值分析的可靠性。使用精密光栅进行微位移闭环检测,使用哈工大博实精密测控公司研制的压电陶瓷驱动电源。采用单神经元自适应PID控制算法对系统进行控制,单神经元具有自学习和自适应能力,而且结构简单易于计算;而传统的PID调节器也具有结构简单、调整方便和参数整定与工程指标联系密切等特点。推导了单神经元自适应PID控制器,并进行了实验,微位移为20μm时的响应时间为12ms,实验证明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 微动工作台 平行板 pzt驱动 单神经元 自适应PID控制 定位系统 微位移机构
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PZT系多层片式压电陶瓷微驱动器位移性能研究 被引量:32
11
作者 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期418-424,共7页
采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产... 采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产生的静态和动态位移特性,从PZT压电陶瓷材料的晶体和电畴结构特点进行了分析和研究. 展开更多
关键词 压电陶瓷 微驱动器 位移 陶瓷 pzt 多层片式
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关于PZT压电陶瓷低温活化烧结的研究进展 被引量:13
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作者 陈丰 杨世源 +2 位作者 王军霞 汪关才 黄文秀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期26-29,共4页
从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成... 从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成本以及制备性能优良的PZT压电陶瓷都具有重要的意义。 展开更多
关键词 pzt 低温 活化烧结 压电陶瓷 缺陷
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 被引量:10
13
作者 王培英 余大年 +3 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 李楚容 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜... 用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 展开更多
关键词 铁电薄膜 pzt铁电薄膜 界面 电滞回线 电极
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水热法制备PZT压电陶瓷粉体 被引量:16
14
作者 古映莹 戴恩斌 黄可龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期665-668,共4页
本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶... 本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为06 ~21μm , 展开更多
关键词 水热合成 pzt粉体 压电陶瓷 锆钛酸铅
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共沉淀法制备富锆PZT粉体及其烧结特性的研究 被引量:12
15
作者 郭丽 董显林 +2 位作者 向平华 孔令才 AlfredLyashchenko 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1141-1146,共6页
利用共沉淀法,以硝酸盐为原料,制备出组分均一的PZT95/5型陶瓷微粉,引入反应烧结和热压烧结的方法。经550℃热处理,1130℃热压烧结后,得到致密的PZT95/5型陶瓷材料,同时该材料具有高的击穿场强,为它在爆电换能方面的应用提供了更广阔的... 利用共沉淀法,以硝酸盐为原料,制备出组分均一的PZT95/5型陶瓷微粉,引入反应烧结和热压烧结的方法。经550℃热处理,1130℃热压烧结后,得到致密的PZT95/5型陶瓷材料,同时该材料具有高的击穿场强,为它在爆电换能方面的应用提供了更广阔的前景. 展开更多
关键词 烧结特性 共沉淀法 富锆pzt陶瓷 反应烧结 热压烧结 陶瓷粉体
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PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展 被引量:9
16
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 徐慢 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第10期64-67,共4页
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的... 铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点。介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 厚膜材料 铁电 pzt 集成光学 微电子学 热释电 光电子学 器件 压电
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PZT溶胶液静电雾化雾场模拟 被引量:12
17
作者 吴有金 吴亚雷 +1 位作者 许晓慧 褚家如 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期755-760,共6页
通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的... 通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的运动轨迹,并得到雾滴的速度与其空间分布密度,由此计算雾滴在衬底上的沉积通量. 展开更多
关键词 静电雾化 pzt薄膜 带电液滴 薄膜沉积
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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
18
作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 pzt 相结构 低损耗 体电阻率
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多孔氧化铝模板结合sol-gel旋转涂敷法制备PZT纳米管 被引量:6
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作者 宋晔 蒋龙飞 +4 位作者 戚卫星 路超 朱绪飞 杭启明 朱信华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1605-1609,共5页
利用溶胶-凝胶旋转涂敷法在通孔的多孔阳极氧化铝(PAA)模板中制备了锆钛酸铅(PZT)纳米管,研究了溶胶浓度对样品形貌的影响。利用SEM和TEM观察了纳米管阵列和单根纳米管的形貌,采用XRD和EDS图谱分析了纳米管的相结构和化学元素组成。结... 利用溶胶-凝胶旋转涂敷法在通孔的多孔阳极氧化铝(PAA)模板中制备了锆钛酸铅(PZT)纳米管,研究了溶胶浓度对样品形貌的影响。利用SEM和TEM观察了纳米管阵列和单根纳米管的形貌,采用XRD和EDS图谱分析了纳米管的相结构和化学元素组成。结果表明合成的PZT纳米管结晶良好,具有钙钛矿结构(属于四方晶系);纳米管具有较高的韧性但表面较粗糙,直径和管壁厚度分别约为75和7nm,直径与原始PAA模板的孔径相吻合。在一定范围内调节PZT溶胶的浓度(0.1~0.4mol/L),均能在PAA模板的孔洞中形成PZT多晶纳米管,且组成PZT纳米管的晶粒随着溶胶浓度的增加而变大。 展开更多
关键词 氧化铝模板 SOL-GEL法 pzt 纳米管 制备
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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.S... 采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 展开更多
关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 pzt铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法
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