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直流侧电压大幅波动下CHB-STATCOM满足调制约束的直流电容取值分析 被引量:3
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作者 杜少通 谭兴国 周娟 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期133-145,共13页
直流侧采用薄膜电容的级联型STATCOM需减小电容容值以提升装置功率密度。考虑器件电压应力,调制输出电压范围是制约电容容值减小的关键因素之一。针对星接H桥级联型STATCOM,考虑直流侧电压波动分量,分析调制输出电压约束下电容容值的取... 直流侧采用薄膜电容的级联型STATCOM需减小电容容值以提升装置功率密度。考虑器件电压应力,调制输出电压范围是制约电容容值减小的关键因素之一。针对星接H桥级联型STATCOM,考虑直流侧电压波动分量,分析调制输出电压约束下电容容值的取值范围。基于载波调制技术,推导直流侧电容、补偿电流与调制输出范围的解析关系。在此基础上,以直流侧电压峰值为约束条件,建立满足STATCOM调制输出的电压方程,分析满足调制要求时电容容抗的取值范围;基于此,进一步分析滤波电抗对电容容抗取值范围的影响和直流侧电压均值控制值的给定。通过仿真与实验对理论分析的有效性进行验证,并与传统电容取值方法进行对比,所获得的解析结论可为减小电容容值的研究提供理论参考。 展开更多
关键词 H桥级联 静止同步补偿器 减小电容 调制约束 电容取值范围 载波pwm
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