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PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响
被引量：
1
1
作者
靳瑞敏
蔡志端
+3 位作者
苍利民
阎韬
徐建军
栗书增
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期105-106,共2页
以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对...
以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。
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关键词
溶胶-凝胶
SiO2减反膜
pva添加剂
薄膜结构
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职称材料
P型氧化物半导体CuAlO_2粉末的制备工艺及掺杂
被引量：
1
2
作者
麦海翔
梁毅枫
+4 位作者
梁守智
王夫
胡典禄
谢致薇
杨元政
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期391-395,共5页
本文采用柠檬酸络合无机盐的溶胶凝胶法制备CuAlO2粉末。通过差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜观测、紫外—可见光分光光度测试等分析方法,研究PVA添加剂、湿磨、球磨等工艺参数以及稀土元素Eu和普通金属Mg的掺杂对CuAlO2纳米粉末...
本文采用柠檬酸络合无机盐的溶胶凝胶法制备CuAlO2粉末。通过差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜观测、紫外—可见光分光光度测试等分析方法,研究PVA添加剂、湿磨、球磨等工艺参数以及稀土元素Eu和普通金属Mg的掺杂对CuAlO2纳米粉末的制备及相结构和等性能的影响。结果表明,在不掺杂的情况下,添加PVA使粉末粒径均匀分布在10~20μm;球磨、湿磨处理预煅烧粉末可降低CuAlO2的形成温度,经1000℃煅烧后可获得纯相CuAlO2粉末,其粒度分别为5~15μm和5~10μm。Eu和Mg的最佳掺杂量分别为1%和5%;粉末未掺杂时光学带隙约为3.6eV,掺杂后其光学带隙有所减小,但仍对可见光透明。
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关键词
CuAlO2
pva添加剂
研磨
掺杂
相结构
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职称材料
题名
PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响
被引量：
1
1
作者
靳瑞敏
蔡志端
苍利民
阎韬
徐建军
栗书增
机构
南阳理工学院太阳能电池研究所
安彩高科股份有限公司博士后工作站
郑州大学材料物理工程学院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期105-106,共2页
基金
国家高技术产业计划项目(发改办高技072490)
河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310)资助
文摘
以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。
关键词
溶胶-凝胶
SiO2减反膜
pva添加剂
薄膜结构
Keywords
sol-gel process, silica film,
pva
, structure of film
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
P型氧化物半导体CuAlO_2粉末的制备工艺及掺杂
被引量：
1
2
作者
麦海翔
梁毅枫
梁守智
王夫
胡典禄
谢致薇
杨元政
机构
广东工业大学材料与能源学院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期391-395,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50971046)
文摘
本文采用柠檬酸络合无机盐的溶胶凝胶法制备CuAlO2粉末。通过差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜观测、紫外—可见光分光光度测试等分析方法,研究PVA添加剂、湿磨、球磨等工艺参数以及稀土元素Eu和普通金属Mg的掺杂对CuAlO2纳米粉末的制备及相结构和等性能的影响。结果表明,在不掺杂的情况下,添加PVA使粉末粒径均匀分布在10~20μm;球磨、湿磨处理预煅烧粉末可降低CuAlO2的形成温度,经1000℃煅烧后可获得纯相CuAlO2粉末,其粒度分别为5~15μm和5~10μm。Eu和Mg的最佳掺杂量分别为1%和5%;粉末未掺杂时光学带隙约为3.6eV,掺杂后其光学带隙有所减小,但仍对可见光透明。
关键词
CuAlO2
pva添加剂
研磨
掺杂
相结构
Keywords
CuAlO2
pva
additives
milling
doped
phase structure
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响
靳瑞敏
蔡志端
苍利民
阎韬
徐建军
栗书增
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
P型氧化物半导体CuAlO_2粉末的制备工艺及掺杂
麦海翔
梁毅枫
梁守智
王夫
胡典禄
谢致薇
杨元政
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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